用于测试半导体结构的方法技术

用于测试半导体结构的方法包括在基板的测试区域上方形成介电层。在介电层上形成覆盖层。退火介电层和覆盖层。移除退火的覆盖层。在线测试退火的介电层的铁电性。

A Method for Testing Semiconductor Structures

A method for testing a semiconductor structure includes forming a dielectric layer above the test area of the substrate. A coating is formed on the dielectric layer. Annealed dielectric layer and coating. Remove annealed coating. Ferroelectric properties of annealed dielectric layers were measured on-line.

【技术实现步骤摘要】
用于测试半导体结构的方法
本揭露涉及半导体结构及其测试方法。
技术介绍
金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)是用于90纳米(nm)以及更高技术的集成电路技术。取决于栅极电压(gatevoltage,Vg)和源极-漏极电压(source-drainvoltage,Vds)，金属氧化物半导体装置可以在线性区域(linearregion)、饱和区域(saturationregion)和次临界区域(sub-thresholdregion)这三个区域中工作。次临界区域是栅极电压(Vg)小于临界电压(thresholdvoltage,Vt)的区域。次临界摆幅(sub-thresholdswing)表示切换晶体管电流的容易性，因此是决定金属氧化物半导体装置速度的因素。次临界摆幅可以表示为m*kT/q的函数，其中m是与电容相关的参数。金属氧化物半导体装置的次临界摆幅在室温下具有约60mV/decade(kT/q)的极限，这将限制工作电压VDD和临界电压(Vt)的进一步缩放。这种限制是由于载流子的漂移扩散传输机制(drift-diffusiontranspor本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于测试半导体结构的方法，其特征在于，包含：形成一介电层于一基板的一测试区域上；形成一覆盖层于该介电层上；退火该介电层和该覆盖层；移除退火的该覆盖层；以及在线测试退火的该介电层的一铁电性。

【技术特征摘要】
2017.11.30 US 62/593,124;2018.06.27 US 16/020,860...

【专利技术属性】
技术研发人员：林铭祥，何嘉政，吕俊颉，彭成毅，张智胜，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71