发光二极管封装体及其制造方法技术

本发明专利技术涉及发光二极管封装体及其制造方法，发光二极管封装体包括：分开配置的第一引线以及第二引线；壳体，支撑第一引线以及第二引线，包括使第一引线以及第二引线中任一个以上的上表面一部分露出的腔室；发光二极管芯片，配置于腔室内；第一波长部，配置于发光二极管芯片的上部，对由发光二极管芯片释放的光进行波长转换；以及第二波长部，以覆盖腔室的底面的方式配置，并对由发光二极管芯片释放的光进行波长转换，第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度不同。由于能够将发光二极管封装体所包含的荧光体的量以配置在发光二极管芯片上的荧光体的量为基准确定，因此能够对决定由发光二极管芯片释放的光的色坐标的荧光体的量进行数值控制。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装体及其制造方法
本专利技术涉及发光二极管封装体及其制造方法，更详细而言，涉及对由发光二极管芯片释放的光进行波长转换而向外部释放的发光二极管封装体。
技术介绍
对照明装置以及显示装置的背光灯等这样的器件广泛使用白色发光二极管。通常通过对释放短波长的光的发光二极管芯片、和用于对由发光二极管芯片释放的光的一部分进行波长转换而转换为长波长的光的荧光体进行封装，来实现白色发光元件。作为一例，白色发光元件包括释放青色光的青色发光二极管芯片，作为用于对青色光进行波长转换而转换为白色光的荧光体，利用钇铝石榴石(YAG)或者硅酸盐(silicate)系列的单一荧光体，或者利用将KSF系列的红色荧光体和beta-SiAlOn系列的绿色荧光体混合而成的荧光体。如上所述，通过将释放青色光的发光二极管芯片和荧光体组合而制造白色发光元件，但此时，为了将由制造出的白色发光元件释放的白色光的色温设定为所期望的色温，需要调节所利用的荧光体的量。以往，准备将量相互不同的多个荧光体分别与硅树脂等调配而成的多个模制材料，将所准备的多个模制材料填充至发光二极管封装体而制造多个发光二极管封装体。这样制造的多个发光二极管封装体，由于所包含的荧光体的量相互不同，所以各发光二极管封装体能够释放具有相互不同的色温的白色光。可以在以上述方式制造的多个发光二极管封装体中筛选释放所期望的色坐标的白色光的发光二极管封装体，并将筛选出的发光二极管封装体所包含的荧光体的量设定为基准而大量生产发光二极管封装体。但是，在这样制造发光二极管封装体时，由于无法确认各发光二极管封装体所包含的荧光体被包含了多少量，所以有可能导致由大量制造出的发光二极管封装体释放的白色光的色坐标不均匀。另外，为了筛选释放所期望的色坐标的白色光的发光二极管封装体，需要经过制造多个发光二极管封装体的过程，因此存在工序繁杂的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的问题在于，提供能够设定发光二极管封装体内所包含的荧光体的分布以及荧光体的量的基准的发光二极管封装体及其制造方法。根据本专利技术的一实施例的发光二极管封装体可以包括：相互分开配置的第一引线以及第二引线；壳体，支撑上述第一引线以及第二引线，并包括使上述第一引线以及第二引线中任意一个以上的上表面一部分露出的腔室；发光二极管芯片，配置于上述壳体的腔室内；第一波长部，配置于上述发光二极管芯片的上部，并对由上述发光二极管芯片释放的光进行波长转换；以及第二波长部，以覆盖上述腔室的底面的方式配置，并对由上述发光二极管芯片释放的光进行波长转换，上述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度相互不同。此时，上述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度的比率可以为1:1.5至1:3。或者，上述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度的比率可以为1:2。并且，上述壳体可以包括上述腔室的内侧面由倾斜面形成的面，上述第二波长部可以以覆盖上述倾斜面的至少一部分的方式配置。此处，以覆盖上述倾斜面的方式配置的第二波长部可以配置成：在与上述腔室的底面相邻的位置处的平均厚度比上述第一波长部的平均厚度厚，并且在与上述腔室的上部相邻的位置处的平均厚度比上述第一波长部的平均厚度薄。另外，以覆盖上述倾斜面的方式配置的第二波长部可以配置成：随着从上述腔室的底面朝向上方，覆盖上述倾斜面的第二波长部的平均厚度变薄。另一方面，根据本专利技术的一实施例的发光二极管封装体可以包括：相互分开配置的第一引线以及第二引线；壳体，支撑上述第一引线以及第二引线，并包括使上述第一引线以及第二引线中任意一个的上表面一部分露出的腔室；发光二极管芯片，配置于上述壳体的腔室内；以及波长部，以覆盖上述发光二极管芯片的方式配置于上述腔室内，并对由上述发光二极管芯片释放的光进行波长转换，上述腔室的侧面由倾斜面形成，上述波长部配置成：随着从上述倾斜面的下部朝向上部而变薄的方式覆盖上述倾斜面。此时，上述波长部可以包括：第一波长部，配置于上述发光二极管芯片的上部；以及第二波长部，以覆盖上述腔室的底面和倾斜面的方式配置，上述第一波长部的平均厚度以及第二波长部的平均厚度相互不同。此处，上述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度的比率可以为1:1.5至1:3。或者，上述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度的比率可以为1:2。又一方面，根据本专利技术的一实施例的发光二极管封装体的制造方法可以包括：在基底上配置多个发光二极管芯片的步骤；在上述多个发光二极管芯片上分别以相互不同的厚度形成波长部的步骤，该波长部包括用于对由上述多个发光二极管芯片释放的光进行波长转换的荧光体；通过由形成有上述相互不同的厚度的波长部的多个发光二极管芯片释放的光，来筛选释放所期望的色坐标的发光二极管芯片的步骤；以及利用在筛选出的上述发光二极管芯片的上部形成的波长部的厚度，来计算发光二极管封装体所包含的荧光体的量的步骤。并且，上述发光二极管封装体可以包括具有腔室的壳体、和配置于上述腔室内的发光二极管芯片，上述发光二极管封装体的制造方法还可以包括：利用估算出的上述荧光体的量，以覆盖上述发光二极管芯片的方式在上述腔室内形成波长部的步骤。此时，在形成上述波长部的步骤中，可以使配置于上述发光二极管芯片的上部的波长部的平均厚度、与以覆盖上述腔室的底面的方式配置的波长部的平均厚度相互不同地形成。此处，配置于上述发光二极管芯片的上部的波长部的平均厚度、与以覆盖上述腔室的底面的方式配置的波长部的平均厚度的比率可以为1:1.5至1:3。或者，配置于上述发光二极管芯片的上部的波长部的平均厚度、与以覆盖上述腔室的底面的方式配置的波长部的平均厚度的比率可以为1:2。并且，在计算上述荧光体的量的步骤中，可以基于数学式1来计算，上述数学式1为(a+2b)H，此时，a为发光二极管芯片的上部面积，b为腔室底面的面积，H为配置于发光二极管芯片的上部的波长部的平均厚度。另外，在上述发光二极管封装体中，上述壳体的腔室的内侧面可以为倾斜面，在计算上述荧光体的量的步骤中，可以基于数学式2来计算，上述数学式2为(a+2b+c)H，此时，a为发光二极管芯片的上部面积，b为腔室底面的面积，c为倾斜面的面积，H为配置于发光二极管芯片的上部的波长部的平均厚度。根据本专利技术，具有如下效果，即，能够将发光二极管封装体所包含的荧光体的量以配置在发光二极管芯片上的荧光体的量作为基准来确定，从而能够对决定由发光二极管芯片释放的光的色坐标的荧光体的量进行数值控制。尤其具有如下效果，即，针对发光二极管封装体所包含的荧光体的量，能够利用配置于发光二极管芯片的上部的荧光体的量与配置于发光二极管芯片的周边的荧光体的量的比率，对荧光体的量进行数值控制，从而能够更简单地制造释放所期望的色坐标的发光二极管封装体。附图说明图1是示出根据本专利技术的一实施例的发光二极管封装体的剖面的图。图2是截取图1的区域A的图。图3是截取图1的区域B的图。图4是示出对根据本专利技术的一实施例的发光二极管封装体所包含的荧光体的量进行计算而制造的方法的流程图。图5是示出为了在图4的流程图中形成波长部并且进行色坐标检测而利用多个发光二极管芯片的一例的图。附图标记的说明100：发光二极管封装体；110：壳体；121：第一引线；123：第二引线；130：发光二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管封装体，其特征在于，包括：相互分开配置的第一引线以及第二引线；壳体，支撑所述第一引线以及第二引线，并包括使所述第一引线以及第二引线中任意一个以上的上表面一部分露出的腔室；发光二极管芯片，配置于所述壳体的腔室内；第一波长部，配置于所述发光二极管芯片的上部，并对由所述发光二极管芯片释放的光进行波长转换；以及第二波长部，以覆盖所述腔室的底面的方式配置，并对由所述发光二极管芯片释放的光进行波长转换，所述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度相互不同。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装体，其特征在于，包括：相互分开配置的第一引线以及第二引线；壳体，支撑所述第一引线以及第二引线，并包括使所述第一引线以及第二引线中任意一个以上的上表面一部分露出的腔室；发光二极管芯片，配置于所述壳体的腔室内；第一波长部，配置于所述发光二极管芯片的上部，并对由所述发光二极管芯片释放的光进行波长转换；以及第二波长部，以覆盖所述腔室的底面的方式配置，并对由所述发光二极管芯片释放的光进行波长转换，所述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度相互不同。2.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，所述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度的比率为1:1.5至1:3。3.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，所述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度的比率为1:2。4.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，所述壳体包括所述腔室的内侧面由倾斜面形成的面，所述第二波长部以覆盖所述倾斜面的至少一部分的方式配置。5.根据权利要求4所述的发光二极管封装体，其特征在于，以覆盖所述倾斜面的方式配置的第二波长部配置成：在与所述腔室的底面相邻的位置处的平均厚度比所述第一波长部的平均厚度厚，并且在与所述腔室的上部相邻的位置处的平均厚度比所述第一波长部的平均厚度薄。6.根据权利要求4所述的发光二极管封装体，其特征在于，以覆盖所述倾斜面的方式配置的第二波长部配置成：随着从所述腔室的底面朝向上方，覆盖所述倾斜面的第二波长部的平均厚度变薄。7.一种发光二极管封装体，其特征在于，包括：相互分开配置的第一引线以及第二引线；壳体，支撑所述第一引线以及第二引线，并包括使所述第一引线以及第二引线中任意一个的上表面一部分露出的腔室；发光二极管芯片，配置于所述壳体的腔室内；以及波长部，以覆盖所述发光二极管芯片的方式配置于所述腔室内，并对由所述发光二极管芯片释放的光进行波长转换，所述腔室的侧面由倾斜面形成，所述波长部配置成：以随着从所述倾斜面的下部朝向上部而变薄的方式覆盖所述倾斜面。8.根据权利要求7所述的发光二极管封装体，其特征在于，所述波长部包括：第一波长部，配置于所述发光二极管芯片的上部；以及第二波长部，以覆盖所述腔室的底面和倾斜面的方式配置，所述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度相互不同。9.根据权利要求8所述的发光二极管封装体，其特征在于，所述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度的比...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑荣，金尚彦，金赫骏，
申请(专利权)人：首尔半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR