【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制造方法
本专利技术涉及一种发光二极管及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。然而，发光二极管在装设于其他电子元件如电路板上时，往往需要摆正所述发光二极管使得其带有电极的表面与所述电路板电连接，从而使得安装耗时较长且耗费人力。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种便于安装的发光二极管。本专利技术还提供一种上述发光二极管的制造方法。一种发光二极管，其包括发光二极管晶粒及封装层，所述发光二极管晶粒包括半导体结构、设置于所述半导体结构上的第一电极及第二电极，所述半导体结构包括依次堆叠设置的N型半导体层、发光活性层及P型半导体层，所述第一电极设置于所述P型半导体层，所述第二电极设置于所述N型半导体层，所述封装层包覆所述发光二极管晶粒并露出所述N型半导体层、所述第一电极及所述第二电极，所述封装层沿所述半导体结构的堆叠方向开设与与所述发光二极管晶粒的...
【技术保护点】
1.一种发光二极管，其包括发光二极管晶粒及封装层，所述发光二极管晶粒包括半导体结构、设置于所述半导体结构上的第一电极及第二电极，所述半导体结构包括依次堆叠设置的N型半导体层、发光活性层及P型半导体层，所述第一电极设置于所述P型半导体层，所述第二电极设置于所述N型半导体层，所述封装层包覆所述发光二极管晶粒并露出所述N型半导体层、所述第一电极及所述第二电极，其特征在于，所述封装层沿所述半导体结构的堆叠方向开设与所述发光二极管晶粒的周缘间隔设置的贯穿孔，所述发光二极管还包括导电结构及第一导电层，所述导电结构填满所述贯穿孔，所述第一导电层形成于所述导电结构靠近所述第一电极的一端，并...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其包括发光二极管晶粒及封装层，所述发光二极管晶粒包括半导体结构、设置于所述半导体结构上的第一电极及第二电极，所述半导体结构包括依次堆叠设置的N型半导体层、发光活性层及P型半导体层，所述第一电极设置于所述P型半导体层，所述第二电极设置于所述N型半导体层，所述封装层包覆所述发光二极管晶粒并露出所述N型半导体层、所述第一电极及所述第二电极，其特征在于，所述封装层沿所述半导体结构的堆叠方向开设与所述发光二极管晶粒的周缘间隔设置的贯穿孔，所述发光二极管还包括导电结构及第一导电层，所述导电结构填满所述贯穿孔，所述第一导电层形成于所述导电结构靠近所述第一电极的一端，并电连接所述第一电极及所述导电结构。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述半导体结构呈“凹”字型，所述N型半导体层包括未被层叠的发光活性层及P型半导体层覆盖的第一部分，及连接于所述第一部分周缘且被层叠的发光活性层及P型半导体层覆盖的第二部分，所述第二电极设置于所述第一部分。3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括第二导电层、第三导电层及第四导电层，所述第二导电层形成于所述第二电极远离所述N型半导体层的一端，所述第三导电层形成于所述导电结构远离所述第一导电层的一端，所述第四导电层形成于所述N型半导体层背离所述第二电极的一侧。4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一导电层远离所述导电结构的一端与所述第二导电层远离所述第二电极的一端齐平，所述第三导电层远离所述导电结构的一端与所述第四导电层远离所述N型半导体层的一端齐平。5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极与所述P型半导体层之间设有一第一导电结合层，所述第四导电层与所述N型半导体层之间还设有一第二导电结合层。6.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一导电层、所述第二导电层、所述第三导电层及所述第四导电层的材料为锡。7.一种发光二极管的制造方法，其包括以下步骤：提供一设置于蓝宝石基板上的发光二极管晶粒，且所述发光二极管晶粒未覆盖所述蓝宝石基板的周缘区域，所述发光二极管晶粒包括半导体结构、设置于所述半导体结构上的第一电极及第二电极，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：林世川，江宗瀚，林峻峣，黄昭铭，洪秀龄，洪梓健，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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