透明导电结构和其形成制造技术

实施例包含制造一或多种氧化锌晶体以形成透明导电结构和/或所述一或多种氧化锌晶体用以形成透明导电结构的用途，所述透明导电结构包括一或多种三维几何特征所述结构，以提供额外电型和/或光学型性质。

Transparent conducting structure and its formation

The embodiment includes the use of one or more Zinc Oxide crystals to form a transparent conducting structure and / or the one or more Zinc Oxide crystals to form a transparent conducting structure. The transparent conducting structure includes one or more three-dimensional geometric features of the structure to provide additional electrical and / or optical properties.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透明导电结构和其形成相关事项本PCT申请要求2015年9月4日提交的名称为“透明导电结构和其形成(TRANSPARENTCONDUCTIVESTRUCTUREANDFORMATIONTHEREOF)”的美国非临时专利申请序列号14/846,655的权益和优先权，所述申请以全文引入的方式并入本文中。
本文所揭示的主题涉及结晶氧化锌，如其制备方法和/或其用途，包括例如形成透明导电结构。
技术介绍
在各种不同情形下，太多以至于不能在这里方便地描述，可能需要一种具有某些性质的材料，所述性质如具导电性，以及例如具有某些光学和/或光学型性质。举例说明，透明并导电的物质可以用以制造各种光电子装置的膜、层和/或涂层(然而在下文中，在无“膜和/或涂层”的情况下使用的“层”在上下文中理解为意指“膜、层和/或涂层”)，为提供一些非限制性实例，所述光电子装置如：发光二极管(LED)；激光二极管；有机发光二极管(OLED)；光伏电池；液晶显示器；和/或触摸传感器显示器。在这一能力方面可以采用的一种物质是例如氧化锌。继续寻求使用氧化锌形成透明导电结构的方法。附图说明本说明书的结尾部分具体指出并且明确要求所要求的主题。然而，关于组织和/或操作方法以及其对象、特征和/或优点两方面，可以通过在与附图一起阅读时参考以下详细说明来被最佳地理解，在这些附图中：图1是光电子装置的一实施例的示意图；图2是用于制造一氧化锌透明导电结构实施例的工艺的一实施例的流程图；图3是用于制造一氧化锌透明导电结构实施例的工艺的另一实施例的流程图；图4A和4B是针对作为说明性实例相关于一氧化锌结构实施例的制造而提供的两个工艺实施例，在各个点下说明所得结构实施例的示意图；图5A和5B是显示一经制造氧化锌结构实施例的扫描电子显微照片(SEM)；图6是能够经制造的各个氧化锌结构实施例的说明性实例；图7是针对作为制造一氧化锌透明导电结构实施例的又一示意性实例而提供的一工艺实施例的另一实例，在各个点下说明所得结构实施例的示意图；图8A和8B是显示另一经制造氧化锌结构实施例的两个更多个扫描电子显微照片(SEM)；图9是能够经制造的光电子装置的一实施例的示意图；图10和11分别是用于制造一氧化锌透明导电结构实施例的工艺的额外实施例的流程图；图12是能够经制造的LED的一实施例的示意图，包括一相关制造工艺实施例的流程图；图13是能够经制造的LED的另一实施例的示意图，包括另一相关制造工艺实施例的流程图；图14是能够经制造的OLED的一实施例的示意图，包括一相关制造工艺实施例的流程图；图15是能够经制造的OLED的另一实施例的示意图，包括另一相关制造工艺实施例的流程图；图16是能够经制造的光伏装置的一实施例的示意图，包括一相关制造工艺实施例的流程图；图17是能够经制造的光伏装置的另一实施例的示意图，包括另一相关制造工艺实施例的流程图；图18是能够经制造的光伏装置的又一实施例的示意图，包括又一相关制造工艺实施例的流程图；图19是能够经制造的光伏装置的再一实施例的示意图，包括再一相关制造工艺实施例的流程图；图20和21是分别说明LED装置的各个可能结构实施例和光伏电池装置的结构实施例的示意图；图22是在制造LED倒装芯片的一实例(例如，实施例)工艺中在各个点下说明所得结构实施例的一实例的示意图；以及图23是说明计算环境的一实施例的示意图。在对附图的以下详细描述中进行参考，此处其形成一部分，其中通篇中相同编号可以表示相同部件以指示对应和/或类似的组件和/或方面。应了解，如为简单和/或清楚地说明，图式中所说明的组件和/或方面不必按比例绘制。举例来说，可以相对地放大尺寸。此外，应理解，可以利用除本文所描述的实施例以外的其它实施例。举例来说，可以在不脱离所要求的主题的情况下作出结构和/或其它改变。还应注意，方向和/或参考(例如上、下、顶部、底部等)可以用于便于论述图式，和/或并不打算限制所要求的主题的应用。因此，以下详细描述并不应理解为限制所要求的主题和/或等效物。具体实施方式在整个本说明书中对一个实施方案、一实施方案、一个实施例、一实施例等等的提及意指结合特定实施方案和/或实施例描述的特定特征、结构和/或特性包括于所要求的主题的至少一个实施方案和/或实施例中。因此，例如在整个本说明书中的各处中出现这类短语未必打算指代相同实施方案和/或实施例或所描述的一个特定实施方案和/或实施例。此外，应理解，所描述的特定特征、结构和/或特性能够在一或多个实施方案和/或实施例中以各种方式组合，并且因此，例如在既定的权利要求范围内。一般来说，当然，这些和其它问题随着上下文而变化。因此，描述和/或使用的特定上下文提供关于待进行的推断的有帮助导引。同样，在此上下文中，一般使用术语“耦接”、“连接”和/或类似术语。应理解，这些术语并不意图为同义词。相反地，“连接”一般用以指示例如两个或更多个组件和/或类似者呈直接物理(包括电)接触形式；而“耦接”一般用以意指两个或更多个组件等等潜在地呈直接物理(潜在地包括电)接触形式；“耦接”还一般用以意指两个或更多个组件等等未必呈直接物理接触形式，但仍然能够共操作和/或相互作用，例如“光学耦接”。术语耦接在(例如)适当上下文中还一般理解为意指间接连接。另外，在此上下文中，本文中(例如，在本专利申请中)“在……上”与“在……上方”之间有区别。举例来说，物质沉积“在”衬底“上”是指在所沉积物质与衬底(在这后一实例中)之间涉及无中间物(如中间物质)的直接物理接触的沉积，；但是，沉积“在”衬底“上方”虽然一般理解为潜在地包括沉积“在”衬底“上”(由于“在……上”也可以精确地描述为“在……上方”)，但一般理解为包括其中一或多种中间物如一或多种中间物质存在于所沉积物质与衬底之间的情况，使得所沉积物质不必直接以物理方式接触衬底。本文中在“在……下”与“在……下方”(例如，在……下面)之间有类似区别。虽然在此上下文中“在……下”打算必要地暗示物理接触(如例如刚刚描述的“在……上”)，“在……下方”潜在地包括其中存在直接物理接触的情况，但不必暗示直接物理接触，如在存在一或多种中间物如一或多种中间物质的情况下。因此，“在……上”一般理解成意指“立即在……上方”并且“在……下”一般理解成意指“立即在……下方”。同样应了解，术语如“在……上方”或“在……下方”以类似方式理解为先前提及的术语上、下、顶部、底部等。这些术语可用以便于论述，但并不打算限制所要求的主题的应用。举例来说，例如术语“在……上方”并不是表明权利要求范围仅限于如相较于倒置的实施例，实施例在右侧上的情况。一实例包括呈一种说明形式的倒装芯片产品，其中，例如在各个时间下(例如，在制造期间)的取向可能未必对应于最终产品的取向。然而，在本实例下，如果产品以特定取向(如倒置)在可应用的权利要求范围内，那么作为一个实例，同样预期后者还以另一取向(如右侧上)包括于可应用的权利要求范围内，再次，作为一实例，且反之亦然。再次，描述和/或使用的特定上下文提供关于待进行的推断的有帮助导引。如本文所使用，术语“和”、“或”、“和/或”和/或类似术语包括还预期至少部分地取决于使用这类术语的特定上下文的各种含义。通常，“或”如果用于联合一列表(例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，其包含：光电子装置；其中所述装置包括形成单一邻接三维透明导电结构的一或多种氧化锌晶体(ZnO)，在所述结构中包括一或多种三维几何特征以提供额外电型和/或光学型性质。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.04 US 14/846,6551.一种设备，其包含：光电子装置；其中所述装置包括形成单一邻接三维透明导电结构的一或多种氧化锌晶体(ZnO)，在所述结构中包括一或多种三维几何特征以提供额外电型和/或光学型性质。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述额外电型和/或光学型性质包含增强的电和/或光学性质。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述额外电型和/或光学型性质是相对于包括单一基本上平面邻接的ZnO透明导电结构的光电子装置，其中所述整体邻接三维透明导电结构具有一或多种基本上均一的厚度。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述额外电型和/或光学型性质是相对于包括一或多种氧化锌晶体(ZnO)的光电子装置，所述氧化锌晶体形成无所述一或多种三维几何特征的单一邻接三维透明导电结构。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述一或多种三维几何特征包含一或多种非平面几何特征。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述一或多种非平面几何特征包含一或多种几何非平面形状。7.根据权利要求6所述的设备，其中所述一或多种几何非平面形状包含以下中的至少一种：类圆顶形；类斜坡形；类圆锥形、类角锥形、类半球形、类圆柱形、类球形、类椭圆形、类抛物线形、类双曲线形、类矩形或其组合。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述结构包含以下配置：至少部分地因所述一或多种三维几何特征所致，在所述光电子装置的所述透明导电结构内沿着特定路径引导电流。9.根据权利要求8所述的设备，其中所述配置包含在所述透明导电结构内沿着特定路径引导电流的配置，以至少部分地降低所述光电子装置的一或多个导电触点附近的电流集聚。10.根据权利要求9所述的设备，其中所述一或多个导电触点包含一或多个金属触点。11.根据权利要求1所述的设备，其中所述结构包含以下配置：至少部分地因所述一或多种三维几何特征所致，从所述光电子装置中提取光。12.根据权利要求11所述的设备，其中所述结构的所述配置包含以下配置：至少部分地因所述一或多种三维几何特征所致，经由几何光学提供光提取。13.根据权利要求11所述的设备，其中所述结构的所述配置包含经由光学散射提供光提取的配置。14.根据权利要求13所述的设备，其中所述光学散射包含相干散射。15.根据权利要求13所述的设备，其中所述光学散射包含不相干散射。16.根据权利要求1所述的设备，其中所述结构包含以下配置：至少部分地因所述一或多种三维几何特征所致，在所述光电子装置内提供光捕获。17.根据权利要求16所述的设备，其中所述结构的所述配置包含以下配置：至少部分地因所述一或多种三维几何特征所致，经由几何光学提供光捕获。18.根据权利要求1所述的设备，其中所述结构包含以下配置：至少部分地因所述一或多种三维几何特征所致，在所述光电子装置的所述透明导电结构内沿着特定路径引导光。19.根据权利要求1所述的设备，其中所述光电子装置包含以下中的至少一种：LED；OLED；光伏装置；激光二极管；显示装置或其任何组合。20.根据权利要求19所述的设备，其中所述光电子装置至少部分地包含III族氮化物半导体材料。21.根据权利要求1所述的设备，其中针对在所述一或多种氧化锌晶体下面的所述光电子装置的一或多种晶体，所述一或多种氧化锌晶体中的至少一种已以外延方式形成。22.根据权利要求1所述的设备，其中在所述单一邻接三维透明导电结构中，基本上所有的所述一或多种氧化锌晶体包含基本上相同的晶体取向。23.一种制造包含一或多种氧化锌晶体的透明导电结构的方法，所述方法包含：在先前沉积的氧化锌上形成图案化层，其中所述图案化层包含图案化模板层或图案化掩模层中的一个；如果所述图案化层包含所述图案化掩模层，那么选择性蚀刻所述先前沉积的氧化锌；和如果所述图案化层包含所述图案化模板层，那么通过水溶液型沉积来选择性沉积氧化锌；其中所述选择性蚀刻或选择性沉积以至少部分地形成一或多种三维几何特征，以向所述透明导电结构提供额外电型和/或光学型性质。24.根据权利要求23所述的方法，其中所述选择性蚀刻基本上是根据使所述先前沉积的氧化锌的表面位置暴露的所述图案化掩模层中的开口图案。25.根据权利要求23所述的方法，其中所述选择性沉积基本上是根据使所述先前沉积的氧化锌的表面位置暴露的所述图案化模板层中的开口图案。26.根据权利要求23所述的方法，其中所述先前沉积的氧化锌通过水溶液型沉积来沉积。27.根据权利要求26所述的方法，其中通过水溶液型沉积的所述沉积包含通过成核接种氧化锌，随后是块体沉积。28.根据权利要求23所述的方法，并且其进一步包含：使更多氧化锌沉积；在所述更多氧化锌上形成另一图案化层，其中所述另一图案化层包含图案化模板层或图案化掩模层中的一个；如果所述图案化层包含所述图案化掩模层，那么选择性蚀刻所述更多氧化锌；和如果所述图案化层包含所述图案化模板层，那么在所述更多氧化锌上选择性沉积氧化锌。29.根据权利要求28所述的方法，其中所述更多氧化锌层通过水溶液型沉积来沉积。30.根据权利要求23所述的方法，并且其进一步包含：去除所述模板或掩模层。31.根据权利要求30所述的方法，并且其进一步包含：形成另一图案化层，其中所述另一图案化层包含图案化模板层或图案化掩模层中的一个；如果所述图案化层包含所述图案化掩模层，那么选择性蚀刻所暴露的氧化锌；和如果所述图案化层包含所述图案化模板层，那么在所暴露的氧化锌的表面上选择性沉积氧化锌。32.根据权利要求23所述的方法，其中所述透明导电结构作为光电子装置的一部分被制造。33.根据权利要求32所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：雅各布·J·理查森，埃万·C·奥哈拉，申灿燮，
申请(专利权)人：首尔半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR