具有吸收层的发光半导体器件制造技术

提出一种发射辐射的半导体器件(1)，所述半导体器件具有半导体本体，所述半导体本体具有半导体层序列(2)，其中半导体层序列具有吸收区域(3)和设置用于产生峰值波长在近红外光谱范围中的辐射的有源区域(20)，其中吸收区域至少部分地吸收短波长的辐射份额，所述短波长的辐射份额具有小于峰值波长的极限波长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设计一种发射辐射的半导体器件。
技术介绍
对于不同的应用而言，如下发射辐射的半导体器件，例如发光二极管是所期望的，所述半导体器件在红外光谱范围中发射辐射。已表明：在近红外、例如在850nm的发射波长下发射辐射的器件中能够具有短波长的辐射份额，所述短波长的辐射份额还是能够由人眼感觉到的。为了避免这种辐射份额，将被放射的辐射的峰值波长朝更大的波长移动。然而，常规的硅检测器的灵敏度对于850nm之上的波长而言下降，使得难以检测该波长之上的辐射。
技术实现思路
本专利技术的目的是：提出一种半导体器件，所述半导体器件的所发射的辐射可简单地检测并且同时人眼不能够感觉到。该目的尤其通过根据权利要求1的半导体器件来实现。其他的设计方案和有利方案是从属权利要求的主题。根据发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件具有半导体本体，所述半导体本体具有半导体层序列。半导体层序列包括设置用于产生辐射的、尤其用于产生峰值波长在近红外光谱范围中的辐射的有源区域。在有疑问的情况下将近红外光谱范围理解为波长在0.78μm和1.5μm之间的范围，其中包括边界值。优选地，峰值波长位于830nm和920nm本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发射辐射的半导体器件(1)，所述半导体器件具有半导体本体，所述半导体本体具有半导体层序列(2)，其中所述半导体层序列具有吸收区域(3)和设置用于产生峰值波长在近红外光谱范围中的辐射的有源区域(20)，其中所述吸收区域至少部分地吸收短波长的辐射份额，所述短波长的辐射份额具有小于所述峰值波长的极限波长。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.19 DE 102013112740.11.一种发射辐射的半导体器件(1)，所述半导体器件具有半导体本体，所述半导体本体具有半导体层序列(2)，其中所述半导体层序列具有吸收区域(3)和设置用于产生峰值波长在近红外光谱范围中的辐射的有源区域(20)，其中所述吸收区域至少部分地吸收短波长的辐射份额，所述短波长的辐射份额具有小于所述峰值波长的极限波长。2.根据权利要求1所述的发射辐射的半导体器件，其中用于具有所述极限波长的辐射的吸收区域具有至少5000/cm的吸收系数。3.根据权利要求1或2所述的发射辐射的半导体器件，其中所述极限波长小于或等于820nm。4.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的半导体器件，其中所述吸收区域具有至少一个层，所述层的掺杂浓度至多为设置在所述吸收区域和所述有源区域之间的半导体材料的掺杂浓度的一半高。5.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的半导体器件，其中所述吸收区域在名义上是未掺杂的。6.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的半导体器件，其中所述半导体器件具有用于外部电接触所述半导体器件的第一接触部(51)和第二接触部(52)，并且所述吸收区域设置在所述第一接触部和所述第二接触部之间的伸展穿过所述有源区域的电流路径之外。7.根据权利要求6所述的发射辐射的半导体器件，其中所述吸收区域具有至少一个留空部(...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊瓦尔·通林，彼得鲁斯·松德格伦，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE