A semiconductor structure and its forming method include: providing a base with fins on the base; forming an isolation structure on the base with a first opening which exposes part of the side wall of the fin; forming a protective layer in the first opening which covers the side wall of the fin; removing part of the fin and protecting the fin. Source and drain openings are formed between the protective layers. The semiconductor device formed by the method has better performance.
【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
MOS(金属-氧化物-半导体)晶体管是一种重要的半导体器件，MOS晶体管的基本结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构；位于栅极结构两侧半导体衬底内的源漏掺杂区。随着半导体特征尺寸的进一步减小，相邻栅极结构之间的距离不断减小，使得用于形成源漏掺杂区的空间越来越小，使得相邻的源漏掺杂区易发生合并(Merge)。相邻的所述源漏掺杂区接触，不利于半导体器件的性能。因此，期望一种新的制造方法，使得相邻的源漏掺杂区不接触。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，使得相邻的源漏掺杂区不接触。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有鳍部；在所述基底上形成隔离结构，所述隔离结构内具有第一开口，所述第一开口暴露出鳍部的部分侧壁；在所述第一开口内形成保护层，所述保护层覆盖鳍部的侧壁；去除部分鳍部，在所述保护层之间形成源漏开口。可选的，所述第一开口沿垂直于鳍部侧壁方向上的尺寸为：2纳米～8纳...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有鳍部；在所述基底上形成隔离结构，所述隔离结构内具有第一开口，所述第一开口暴露出鳍部的部分侧壁；在所述第一开口内形成保护层，所述保护层覆盖鳍部的侧壁；去除部分鳍部，在所述保护层之间形成源漏开口。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有鳍部；在所述基底上形成隔离结构，所述隔离结构内具有第一开口，所述第一开口暴露出鳍部的部分侧壁；在所述第一开口内形成保护层，所述保护层覆盖鳍部的侧壁；去除部分鳍部，在所述保护层之间形成源漏开口。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口沿垂直于鳍部侧壁方向上的尺寸为：2纳米～8纳米。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口的深度为：3纳米～10纳米。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离结构包括：隔离层和位于隔离层上的第一牺牲层，所述第一牺牲层与鳍部之间具有所述第一开口；所述隔离结构和第一开口的形成步骤包括：在所述基底上形成隔离层；在所述隔离层、以及鳍部的侧壁和顶部表面形成第一牺牲膜；在所述隔离层和鳍部顶部的第一牺牲膜表面形成第二牺牲层；以所述第二牺牲层为掩膜，刻蚀鳍部侧壁的第一牺牲膜，在隔离层和鳍部顶部形成所述第一牺牲层，所述第一牺牲层和鳍部之间具有第一开口。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲膜的材料包括：SiO2、SiON、SiBN、SiBCN或者SiBON；第二牺牲层的材料包括氮化硅。6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲膜的厚度为：2纳米～8纳米。7.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口之后，形成保护层之前，所述形成方法还包括：去除第二牺牲层；去除第二牺牲层之后，去除第一开口侧壁的部分第一牺牲层、以及第一开口底部的部分隔离层，形成所述第二开口。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二开口沿垂直于鳍部侧壁方向上的最大尺寸为：3纳米～10纳米。9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二开口的深度为...
【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路新技术研发上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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