低寄生电阻的肖特基二极管制造技术

本发明专利技术提供了一种低寄生电阻的肖特基二极管，属于半导体器件技术领域，包括金属阳极、金属阴极、N型半导体沟道和半导体重掺杂区，金属阳极与N型半导体沟道连接，形成肖特基结；金属阴极与半导体重掺杂区连接，形成欧姆接触；N型半导体沟道具有半导体重掺杂区隔开的绝缘介质层，通过肖特基结的射频信号经连接部进入半导体重掺杂区，到达金属阴极。本发明专利技术提供的低寄生电阻的肖特基二极管，在保证N型半导体沟道与半导体重掺杂区连通的同时，采用绝缘介质层部分隔开N型半导体沟道与半导体重掺杂区，使得肖特基结的射频信号只能通过连接部位进入半导体重掺杂区，最终到达阴极，不需要通过未耗尽的N型半导体沟道，可以减小寄生电阻。

Schottky Diode with Low Parasitic Resistance

The invention provides a Schottky diode with low parasitic resistance, which belongs to the technical field of semiconductor devices, including metal anode, metal cathode, N-type semiconductor channel and semiconductor heavily doped area, metal anode and N-type semiconductor channel are connected to form Schottky junction, metal cathode and semiconductor heavily doped area are connected to form ohmic contact, and N-type semiconductor channel has semiconductor heavily doped area. The dielectric layer separated by doping region enters the heavily doped region of semiconductor through the radio frequency signal of Schottky junction and reaches the metal cathode. The low parasitic resistance Schottky diode provided by the invention ensures that the N-type semiconductor channel is connected with the heavily doped region of the semiconductor. At the same time, the insulating dielectric layer is used to partition the N-type semiconductor channel from the heavily doped region of the semiconductor, so that the radio frequency signal of the Schottky junction can only enter the heavily doped region of the semiconductor through the connecting part, and finally reach the cathode without the need to pass through the unexhausted N-type half. Conductor channel can reduce parasitic resistance.

【技术实现步骤摘要】
低寄生电阻的肖特基二极管
本专利技术属于半导体器件
，更具体地说，是涉及一种低寄生电阻的肖特基二极管。
技术介绍
肖特基二极管是倍频以及混频电路中使用的主要非线性半导体器件。常规的肖特基二极管结构自上而下依次为金属阳极、N型半导体沟道区、半导体重掺杂区以及金属阴极。为了提高肖特基二极管的功率承受能力，应当提高沟道区的长度以提高击穿电压。但是，由于耗尽区宽度总是小于沟道区长度，未耗尽的N型区存在一个较大的寄生电阻。沟道区越长，该电阻越大。该寄生电阻会影响器件的工作截止频率，同时也是产生能量耗散的主要因素。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种低寄生电阻的肖特基二极管，以解决现有技术中存在的寄生电阻高的技术问题。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：提供一种低寄生电阻的肖特基二极管，包括：金属阳极，与N型半导体沟道连接，形成肖特基结；金属阴极，与半导体重掺杂区连接，形成欧姆接触；所述N型半导体沟道具有所述半导体重掺杂区隔开的绝缘介质层；所述N型半导体沟道还具有与所述半导体重掺杂区连接的连接部，借助所述连接部通过所述半导体重掺杂区连接所述金属阴极；通过所述肖特基结的射频信号经本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.低寄生电阻的肖特基二极管，其特征在于，包括：金属阳极，与N型半导体沟道连接，形成肖特基结；金属阴极，与半导体重掺杂区连接，形成欧姆接触；所述N型半导体沟道具有所述半导体重掺杂区隔开的绝缘介质层；所述N型半导体沟道还具有与所述半导体重掺杂区连接的连接部，借助所述连接部通过所述半导体重掺杂区连接所述金属阴极；通过所述肖特基结的射频信号经所述连接部进入所述半导体重掺杂区，到达所述金属阴极。

【技术特征摘要】
1.低寄生电阻的肖特基二极管，其特征在于，包括：金属阳极，与N型半导体沟道连接，形成肖特基结；金属阴极，与半导体重掺杂区连接，形成欧姆接触；所述N型半导体沟道具有所述半导体重掺杂区隔开的绝缘介质层；所述N型半导体沟道还具有与所述半导体重掺杂区连接的连接部，借助所述连接部通过所述半导体重掺杂区连接所述金属阴极；通过所述肖特基结的射频信号经所述连接部进入所述半导体重掺杂区，到达所述金属阴极。2.如权利要求1所述的低寄生电阻的肖特基二极管，其特征在于，所述绝缘介质层的厚度为：1nm-100nm。3.如权利要求1所述的低寄生电阻的肖特基二极管，其特征在于，所述绝缘介质层的材质为SiO2、SiN、Al2O3、HfO2、AlN中的任一种。4.如权利要求1所述的低寄生电阻的肖特基二极管，其特征在于，所述N型半导体为Si、GaAs、InP、GaN、SiC、金刚石、Ga2O3、AlN、InN、BN中的任一种。5.如权利要求1所述的低寄生电阻的肖特基二极管，其特征在于，所述半导体重掺杂区为Si、GaAs、InP、GaN、SiC、金刚石、Ga2O3、AlN、InN、BN中的任一种。6.如权利要求1-5任一项所述的低...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋旭波，吕元杰，梁士雄，王元刚，张立森，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北,13