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本发明提供了一种低寄生电阻的肖特基二极管，属于半导体器件技术领域，包括金属阳极、金属阴极、N型半导体沟道和半导体重掺杂区，金属阳极与N型半导体沟道连接，形成肖特基结；金属阴极与半导体重掺杂区连接，形成欧姆接触；N型半导体沟道具有半导体重掺杂...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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