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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有鳍部；在基底上形成隔离结构，所述隔离结构内具有第一开口，所述第一开口暴露出鳍部的部分侧壁；在所述第一开口内形成保护层，所述保护层覆盖鳍部的侧壁；去除部分鳍部，在所述保护层之间...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司授权不得商用。