一种常关型氮化镓HEMT器件制造技术

本申请提供一种常关型氮化镓HEMT器件，所述器件包括异质结构和与所述异质结构连接的源极、漏极和栅极，所述异质结构包括：作为沟道层的第一半导体层和作为势垒层的第二半导体层，第二半导体层形成在第一半导体层上，第一半导体层与第二半导体层之间形成有二维电子气；所述第二半导体层上形成有半导体插入层，所述半导体插入层上形成有p型半导体层，所述栅极设置在所述p型半导体层的上表面，与所述p型半导体层电性接触；所述源极和所述漏极通过刻蚀工艺，穿过所述p型半导体层沉积形成在所述半导体插入层的上表面。利用本申请中各个实施例，可以防止势垒层被刻蚀而减薄，从而避免二维电子气浓度的降低，降低导通电阻。

A Constant GaN HEMT Device

This application provides a constant-closure GaN HEMT device, which includes a heterostructure and a source, drain and gate connected with the heterostructure. The heterostructure includes a first semiconductor layer as a channel layer and a second semiconductor layer as a barrier layer. The second semiconductor layer is formed on the first semiconductor layer and formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. There are two-dimensional electronic gas; a semiconductor insertion layer is formed on the second semiconductor layer, and a p-type semiconductor layer is formed on the semiconductor insertion layer. The gate is arranged on the upper surface of the p-type semiconductor layer, and the p-type semiconductor layer is electrically contacted; the source and the drain are deposited through the p-type semiconductor layer through an etching process to form the semiconductor insertion layer. Upper surface. Using the embodiments in the present application, it is possible to prevent the barrier layer from being etched and thinned, thereby avoiding the reduction of two-dimensional electron gas concentration and reducing the on-resistance.

【技术实现步骤摘要】
一种常关型氮化镓HEMT器件
本申请涉及半导体器件
，特别涉及一种常关型氮化镓HEMT器件。
技术介绍
氮化镓基高迁移率晶体管（HEMT）因其导通电阻小，耐高温高压等特点正在取得越来越多的关注。常关型(normally-off)的HEMT器件在此类器件中有着更为广阔的前景。目前，实现常关型HEMT器件的主流技术路线是通过Gate下方的p型GaN层(pGaN)耗尽AlGaN势垒层(AlGaNbarrier)和GaN通道层(GaNchannel)之间的二维电子气(2DEG)，从而实现器件的关断。源(source)和漏(drain)电极的形成则是通过——的方式刻蚀掉源漏下方的pGaN层后，在AlGaN势垒层表面沉积金属电极。因此，精准的刻蚀是非常重要的步骤。现有的常关型HEMT器件，由于为了沉积形成源极和漏极，在刻蚀过程中会将势垒层蚀刻从而导致势垒层减薄，进而导致二维电子气浓度降低，导致HEMT器件的导通电阻增大。如图2所示，现有的常关型HEMT器件，源极和漏极插接在势垒层中，导致势垒层减薄。现有技术中至少存在如下问题：在刻蚀过程中会将势垒层蚀刻从而导致势垒层减薄，进而导致二维电子气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种常关型氮化镓HEMT器件，包括异质结构和与所述异质结构连接的源极、漏极和栅极，其特征在于，所述异质结构包括：作为沟道层的第一半导体层和作为势垒层的第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述第一半导体层上，所述第一半导体层与所述第二半导体层之间形成有二维电子气；所述第二半导体层上形成有半导体插入层，所述半导体插入层上形成有p型半导体层，所述栅极设置在所述p型半导体层的上表面，与所述p型半导体层电性接触；所述源极和所述漏极通过刻蚀工艺，穿过所述p型半导体层沉积形成在所述半导体插入层的上表面。

【技术特征摘要】
1.一种常关型氮化镓HEMT器件，包括异质结构和与所述异质结构连接的源极、漏极和栅极，其特征在于，所述异质结构包括：作为沟道层的第一半导体层和作为势垒层的第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述第一半导体层上，所述第一半导体层与所述第二半导体层之间形成有二维电子气；所述第二半导体层上形成有半导体插入层，所述半导体插入层上形成有p型半导体层，所述栅极设置在所述p型半导体层的上表面，与所述p型半导体层电性接触；所述源极和所述漏极通过刻蚀工艺，穿过所述p型半导体层沉积形成在所述半导体插入层的上表面。2.如权利要求1所述的一种常关型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述半导体插入层的组成材料包括AlN、AlxGa(1-x)N中的任意一种或两种的组合，其中，x＞30%；所述半导体插入层与所述第二半导体层的刻蚀选择比，大于所述p型半导体层与所述第二半导体层的刻蚀选择比。3.如权利要求1或2所述的一种常关型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述半导体插入层的厚度大于等于0...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏远洋，李亦衡，朱廷刚，
申请(专利权)人：江苏能华微电子科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32