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本申请提供一种常关型氮化镓HEMT器件，所述器件包括异质结构和与所述异质结构连接的源极、漏极和栅极，所述异质结构包括：作为沟道层的第一半导体层和作为势垒层的第二半导体层，第二半导体层形成在第一半导体层上，第一半导体层与第二半导体层之间形成有...
该专利属于江苏能华微电子科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏能华微电子科技发展有限公司授权不得商用。

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