一种带负阻特性的单向TVS器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带负阻特性的单向瞬态电压抑制二极管器件，包括：第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底构成；第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区构成；第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区构成；第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩散区构成；其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中，第二区域在第一区域的中间，第二区域和第三区域间距大于等于零；第四区域在第一区域的背面中，占据第一区域的整个背面。本实用新型专利技术通过背面深槽后氧化工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，降低了风险，能够改善表面状态，使得击穿发生在硅的体内，提高稳定性和可靠性，该结构的超低漏电流对器件自身的耗电和功耗优势明显。

A Unidirectional TVS Device with Negative Resistance

The utility model discloses a unidirectional transient voltage suppression diode device with negative resistance characteristics, which includes: the first region is P region, which is composed of P-type doped silicon substrate; the second region is N+region, which is composed of positive N-type doped diffusion region; the third region is P+region, which is composed of positive P-type doped diffusion region; the fourth region is N+region, which is composed of back N-type doped diffusion region. The second area and the third area are in the front of the first area, the second area is in the middle of the first area, and the distance between the second area and the third area is greater than or equal to zero; the fourth area occupies the whole back of the first area in the back of the first area. The utility model protects the position of the back which is prone to short circuit by the back deep groove oxidation process, reduces the risk, improves the surface condition, makes the breakdown occur in the silicon body, improves the stability and reliability, and the ultra-low leakage current of the structure has obvious advantages in power consumption and power consumption of the device itself.

【技术实现步骤摘要】
一种带负阻特性的单向TVS器件
本技术涉及半导体器件领域，特别涉及双向和单向低压瞬态电压抑制器件领域，为一种带负阻特性的单向TVS(TransientVoltageSuppressors)器件。
技术介绍
伴随IC电路集成度的不断提高、大规模集成电路中线宽也不断地在缩小，IC电路中更容易发生静电放电(ESD)和瞬态过电压对IC芯片造成破坏，因此，在整个电路系统中过压保护就变得至关重要。在消费电子充电电路中，要求浪涌残压超低的单向器件才能满足保护需求，而常规单向TVS二极管：击穿电压高、后端残压过高，容易损坏后端IC芯片，但负向浪涌抑制效果很优秀；常规双向TVS二极管：击穿电压低、残压低，但负向浪涌的残压很高，容易损坏IC芯片；为改进传统的单向和双向二极管存在的缺点、结合两者的优点，本专利中提出一种特殊的结构，既具有双向TVS二极管低残压和低击穿电压的优点，又具有单向TVS二极管负向浪涌残压超低的优点，在保护后端IC芯片时，正向浪涌残压超低，负向浪涌残压更低，对后端芯片能够起到优秀的保护作用。目前绝大部分电源和充电端口的保护都趋向于选择单向保护器件，随着手机、平板等电子设备出货量越来越本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带负阻特性的单向TVS器件，其特征在于，包括：第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底构成；第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区构成；第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区构成；第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩散区构成；其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中，第二区域在第一区域的中间，第二区域和第三区域间距大于等于零；第四区域在第一区域的背面中，占据第一区域的整个背面。

【技术特征摘要】
2017.12.05 CN 201721668063X1.一种带负阻特性的单向TVS器件，其特征在于，包括：第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底构成；第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区构成；第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区构成；第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩散区构成；其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中，第二区域在第一区域的中间，第二区域和第三区域间距大于等于零；第四区域在第一区域的背面中，占据第一区域的整个背面。2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王允，苏海伟，赵德益，赵志方，张啸，吕海凤，霍田佳，杜牧涵，苏亚兵，蒋骞苑，
申请(专利权)人：上海长园维安微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31