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本实用新型公开了一种带负阻特性的单向瞬态电压抑制二极管器件，包括：第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底构成；第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区构成；第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区构成；第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩...
该专利属于上海长园维安微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海长园维安微电子有限公司授权不得商用。

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