【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件
实施例涉及半导体器件。
技术介绍
包括诸如GaN、AlGaN等化合物的半导体器件具有许多优点，诸如宽且易于调节的带隙能量等，并且能够被不同地用作发光器件、光接收器件、各种二极管等等。具体地，使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料的诸如发光二极管或激光二极管的发光器件可以使用荧光体或通过组合颜色来实现由薄膜生长技术和器件材料的发展产生的各种颜色，诸如红光、绿光、蓝光、紫外光等等，以及具有高效率的白光，并且当与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比具有低功耗、半永久寿命、快速响应时间、安全和环境友好的优点。此外，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，由于元件材料的发展，光接收器件吸收各种波长区域的光以产生光电流，使得可以使用从伽马射线到无线电波长区域的各种波长区域的光。此外，利用快速响应速度、安全性、环境友好性和易于控制器件材料的优点，光接收器件还能够被容易地用于功率控制、微波电路或通信模块。因此，半导体器件的应用已扩展到光通信设备的传输模块、代替配置液晶显示器(LCD)装置的背光的冷阴极荧光灯(C...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：半导体结构，所述半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间布置的有源层、多个第一凹部、以及第二凹部，所述多个第一凹部被布置为通过穿过所述第二导电半导体层和所述有源层直到所述第一导电半导体层的某个区域，所述第二凹部被布置在所述多个第一凹部之间；多个第一电极，所述多个第一电极被布置在所述多个第一凹部内并且被电连接到所述第一导电半导体层；多个第二电极，所述多个第二电极被电连接到所述第二导电半导体层；以及反射层，所述反射层被布置在所述第二凹部内，其中，所述半导体结构产生紫外波长范围内的光；相对于第一方...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.20 KR 10-2016-0092306;2016.07.27 KR 10-2011.一种半导体器件，包括：半导体结构，所述半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间布置的有源层、多个第一凹部、以及第二凹部，所述多个第一凹部被布置为通过穿过所述第二导电半导体层和所述有源层直到所述第一导电半导体层的某个区域，所述第二凹部被布置在所述多个第一凹部之间；多个第一电极，所述多个第一电极被布置在所述多个第一凹部内并且被电连接到所述第一导电半导体层；多个第二电极，所述多个第二电极被电连接到所述第二导电半导体层；以及反射层，所述反射层被布置在所述第二凹部内，其中，所述半导体结构产生紫外波长范围内的光；相对于第一方向中的所述半导体结构的最大面积，所述多个第一凹部的面积与所述第二凹部的面积之和处于60％或者更少的范围内；所述多个第一凹部的面积和所述第二凹部的面积是在所述半导体结构的下表面上形成的面积，以及所述第一方向是与所述半导体结构的厚度方向垂直的方向。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述多个第二电极之间的距离处于3μm至60μm的范围内；所述反射层的宽度在3μm至30μm的范围内；以及所述多个第二电极之间的距离等于所述反射层的宽度。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：相对于所述第一方向中的所述半导体结构的最大面积，所述多个第一电极电连接到所述第一导电半导体层的面积处于6.0％至11.0％的范围内；以及相对于所述第一方向中的所述半导体结构的最大面积，所述多个第二电极电连接到所述第二导电半导体层的面积处于40％至60％的范围内。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第一电极电连接到所述第一导电半导体层的面积与所述多个第二电极电连接到所述第二导电半导体层的面积的比率处于1:4到1:10的范围内。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述半导体结构包括由所述第二凹部分离的多个第一区域；所述多个第一电极被布置在所述多个第一区...
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