紫外线发光二极管制造技术

提供一种紫外线发光二极管。根据一实施例的紫外线发光二极管包括：基板；n型半导体层，位于基板上；台面，布置于型半导体层上，并包含活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于n型半导体层；p欧姆接触层，接触于p型半导体层；n凸块，电连接于n欧姆接触层；以及p凸块，电连接于p欧姆接触层，其中，台面包括主分支以及从主分支延伸的多个子分支，n欧姆接触层包围台面并夹设于子分支之间的区域，n凸块及p凸块分别覆盖台面的上部及侧表面。因此，能够减少光损失而提高光输出，并且能够降低正向电压。

Ultraviolet Light Emitting Diode

An ultraviolet light emitting diode is provided. According to an embodiment, ultraviolet light emitting diodes include: a substrate; an n-type semiconductor layer, located on a substrate; a mesa, arranged on a type semiconductor layer, and comprising an active layer and a p-type semiconductor layer; an n-ohmic contact layer, which is in contact with an n-type semiconductor layer; a p-ohmic contact layer, which is in contact with a p-type semiconductor layer; an n-bump, which is electrically connected to an n-ohmic contact layer; and a p-bump, which is electrically connected to a p-ohmic contact layer. Contact layer, in which the table includes the main branch and a number of sub-branches extending from the main branch. The n-ohmic contact layer surrounds the table surface and is clamped between the sub-branches. The n-and P-convex blocks cover the upper and lateral surfaces of the table surface respectively. Therefore, the optical output can be improved by reducing the optical loss, and the forward voltage can be reduced.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】紫外线发光二极管
本专利技术涉及一种无机半导体发光二极管，尤其涉及一种发出300nm以下的深紫外线的发光二极管。
技术介绍
通常，发出200～300nm范围内的紫外线的发光二极管可以用于包括杀菌装置、水或空气净化装置、高密度光学记录装置、生物气溶胶荧光检测系统的激发源的多种用途。与近紫外线发光二极管或蓝色光发光二极管不同，发出相对深的紫外线的发光二极管包括诸如AlGaN等含有Al的阱层。由于这样的氮化镓系半导体层的组成，深紫外线发光二极管具有与蓝色光发光二极管或近紫外线发光二极管非常不同的结构。尤其，根据现有技术的深紫外线发光二极管中布置于n型半导体层上的台面的形状及位置具有与蓝色光发光二极管或近紫外线发光二极管不同的结构。即，台面从n型半导体层的中心偏向一侧形成，并且在台面上布置有p凸块，在与所述一侧相向的另一侧附近从台面隔开地布置有n凸块。并且，现有的紫外线发光二极管利用热超声波(TS：thermalsonic)键合技术键合到基板(Submount)。为了TS键合，需要使n凸块与p凸块上端面的高度相同，为此，在n凸块下方布置有台阶调节层。这样的现有的紫外线发光二极管通常具有光输出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紫外线发光二极管，包括：基板；n型半导体层，位于所述基板上；台面，布置于所述n型半导体层上，并包含活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于所述n型半导体层；p欧姆接触层，接触于所述p型半导体层；n凸块，电连接于所述n欧姆接触层；以及p凸块，电连接于所述p欧姆接触层，其中，所述台面包括主分支以及从所述主分支延伸的多个子分支，所述n欧姆接触层包围所述台面并夹设于所述子分支之间的区域，所述n凸块及p凸块分别覆盖所述台面的上部及侧表面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.15 KR 10-2016-00902011.一种紫外线发光二极管，包括：基板；n型半导体层，位于所述基板上；台面，布置于所述n型半导体层上，并包含活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于所述n型半导体层；p欧姆接触层，接触于所述p型半导体层；n凸块，电连接于所述n欧姆接触层；以及p凸块，电连接于所述p欧姆接触层，其中，所述台面包括主分支以及从所述主分支延伸的多个子分支，所述n欧姆接触层包围所述台面并夹设于所述子分支之间的区域，所述n凸块及p凸块分别覆盖所述台面的上部及侧表面。2.如权利要求1所述的紫外线发光二极管，其中，暴露于所述子分支之间的n型半导体层的最小宽度大于或等于所述子分支的最小宽度。3.如权利要求2所述的紫外线发光二极管，其中，所述主分支的最小宽度大于所述子分支的最小宽度。4.如权利要求1所述的紫外线发光二极管，其中，所述主分支包括：第一主分支，沿所述基板的一侧边缘部位延伸；以及第二主分支，沿与所述基板的一侧边缘部位相邻的另一侧边缘部位延伸，所述子分支包括从所述第一主分支延伸的子分支以及从所述第二主分支延伸的子分支。5.如权利要求4所述的紫外线发光二极管，其中，所述子分支之间相互平行。6.如权利要求5所述的紫外线发光二极管，其中，所述子分支平行于所述基板的对角线。7.如权利要求6所述的紫外线发光二极管，其中，所述子分支具有互不相同的长度。8.如权利要求1所述的紫外线发光二极管，其中，所述基板是具有四个边缘部位的四角形形状，并且从各个边缘部位到所述台面的最短距离小于从各个边缘部位到所述基板中心的最短距离的1/2。9.如权利要求1所述的紫外线发光二极管，还包括：n焊盘金属层，覆盖所述n欧姆接触层；以及p焊盘金属层，覆盖所述p欧姆接触层，其中，所述n凸块及p凸块分别连接于所述n焊盘金属层及所述p焊盘金属层。10.如权利要求9所述的紫外线发光二极管，其中，所述n欧姆接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴柱勇，张成逵，李圭浩，李俊熙，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR