紫外线发光二极管制造技术

提供一种紫外线发光二极管。根据一实施例的紫外线发光二极管包括：基板；n型半导体层，位于基板上；台面，布置于型半导体层上，并包含活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于n型半导体层；p欧姆接触层，接触于p型半导体层；n凸块，电连接于n欧姆接触层；以及p凸块，电连接于p欧姆接触层，其中，台面包括主分支以及从主分支延伸的多个子分支，n欧姆接触层包围台面并夹设于子分支之间的区域，n凸块及p凸块分别覆盖台面的上部及侧表面。因此，能够减少光损失而提高光输出，并且能够降低正向电压。

Ultraviolet Light Emitting Diode

An ultraviolet light emitting diode is provided. According to an embodiment, ultraviolet light emitting diodes include: a substrate; an n-type semiconductor layer, located on a substrate; a mesa, arranged on a type semiconductor layer, and comprising an active layer and a p-type semiconductor layer; an n-ohmic contact layer, which is in contact with an n-type semiconductor layer; a p-ohmic contact layer, which is in contact with a p-type semiconductor layer; an n-bump, which is electrically connected to an n-ohmic contact layer; and a p-bump, which is electrically connected to a p-ohmic contact layer. Contact layer, in which the table includes the main branch and a number of sub-branches extending from the main branch. The n-ohmic contact layer surrounds the table surface and is clamped between the sub-branches. The n-and P-convex blocks cover the upper and lateral surfaces of the table surface respectively. Therefore, the optical output can be improved by reducing the optical loss, and the forward voltage can be reduced.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】紫外线发光二极管
本专利技术涉及一种无机半导体发光二极管，尤其涉及一种发出300nm以下的深紫外线的发光二极管。
技术介绍
通常，发出200～300nm范围内的紫外线的发光二极管可以用于包括杀菌装置、水或空气净化装置、高密度光学记录装置、生物气溶胶荧光检测系统的激发源的多种用途。与近紫外线发光二极管或蓝色光发光二极管不同，发出相对深的紫外线的发光二极管包括诸如AlGaN等含有Al的阱层。由于这样的氮化镓系半导体层的组成，深紫外线发光二极管具有与蓝色光发光二极管或近紫外线发光二极管非常不同的结构。尤其，根据现有技术的深紫外线发光二极管中布置于n型半导体层上的台面的形状及位置具有与蓝色光发光二极管或近紫外线发光二极管不同的结构。即，台面从n型半导体层的中心偏向一侧形成，并且在台面上布置有p凸块，在与所述一侧相向的另一侧附近从台面隔开地布置有n凸块。并且，现有的紫外线发光二极管利用热超声波(TS：thermalsonic)键合技术键合到基板(Submount)。为了TS键合，需要使n凸块与p凸块上端面的高度相同，为此，在n凸块下方布置有台阶调节层。这样的现有的紫外线发光二极管通常具有光输出低且正向电压高的缺点。尤其，为了欧姆接触，在p型半导体层包含p型GaN层，因此入射至p型半导体层的紫外线在p型半导体层被吸收而损失。并且，与n型半导体层接合的n欧姆接触层也吸收光，因此向n欧姆接触层行进的光被n欧姆接触层吸收而损失。对于蓝色发光二极管而言，虽然在n欧姆接触层采用反射金属层以减少光损失，但是对于深紫外线发光二极管而言，难以将n欧姆接触层形成为反射金属层，并且由于n欧姆接触层占据相当宽的区域，因此造成严重的问题。进而，现有的紫外线发光二极管难以灵活应用向台面的侧表面发出的光，因此具有尽可能减小台面的侧表面的倾向。即，将台面的宽度相对较宽地形成。然而，台面的宽度越大，从n欧姆接触层至台面中央区域的距离越大，从而电流分散不佳，导致正向电压升高。
技术实现思路
技术问题本专利技术要解决的课题在于提供一种能够改善电特性和/或光输出的新型结构的紫外线发光二极管。技术方案根据本专利技术的一实施例的紫外线发光二极管包括：基板；n型半导体层，位于所述基板上；台面，布置于所述n型半导体层上，并包含活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于所述n型半导体层；p欧姆接触层，接触于所述p型半导体层；n凸块，电连接于所述n欧姆接触层；以及p凸块，电连接于所述p欧姆接触层，其中，所述台面包括主分支以及从所述主分支延伸的多个子分支，所述n欧姆接触层包围所述台面并夹设于所述子分支之间的区域，所述n凸块及p凸块分别覆盖所述台面的上部及侧表面。根据本专利技术的又一实施例的紫外线发光二极管包括：基板；n型半导体层，位于所述基板上；台面，布置于所述n型半导体层上，并包含活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于所述n型半导体层；p欧姆接触层，接触于所述p型半导体层；n凸块，电连接于所述n欧姆接触层；以及p凸块，电连接于所述p欧姆接触层，其中，所述台面包括多个分支，所述n欧姆接触层包围所述台面并夹设于所述分支之间的区域，所述n凸块及p凸块分别覆盖所述台面的上部及侧表面，所述p凸块覆盖所述分支中的至少两个分支。有益效果根据本专利技术的实施例，n凸块及p凸块覆盖台面的侧表面，从而能够使紫外线在台面侧表面反射。因此，能够减少从台面侧表面发出而损失的紫外线。进而，通过采用多个分支，能够增加台面侧表面的表面积，因此增加台面侧表面与n欧姆接触层之间的光再入射区域的面积，从而能够使向台面侧表面发出的紫外线中的一部分光再次入射至基板侧。针对本专利技术的优点及特征，在详细的说明中进行详细论述，或者可以通过详细的说明而明确。附图说明图1是用于说明根据本专利技术的一实施例的紫外线发光二极管的平面图。图2是沿图1的截取线C-C截取的剖面图。图3是用于说明根据本专利技术的一实施例的台面的示意性平面图。图4是用于说明根据本专利技术的又一实施例的紫外线发光二极管的示意性平面图。图5是用于说明根据本专利技术的又一实施例的紫外线发光二极管的示意性平面图。图6是用于说明将根据本专利技术的一实施例的紫外线发光二极管贴装于基板(Submount)的示意性剖面图。具体实施方式以下，参照附图详细说明本专利技术的实施例。为了将本专利技术的思想充分传递给本领域技术人员，作为示例提供以下介绍的实施例。因此，本专利技术并不限定于如下所述的实施例，其可以具体化为其他形态。另外，在附图中，可能为了便利而夸张图示构成要素的宽度、长度、厚度等。并且，当记载到某构成要素位于另一构成要素的“上部”或“上”时，不仅包括各部分均“直接”位于其他构成要素的“上部”或“上”的情形，还包括各构成要素与另一构成要素之间夹设有又一构成要素的情形。在整个说明书中，相同的附图标号表示相同的构成要素。以下说明的氮化物系半导体层可以利用通常公知的多种方法生长，例如，可以利用金属有机化学气相沉积(MOCVD：MetalOrganicChemicalVaporDeposition)、分子束外延(MBE：MolecularBeamEpitaxy)或者氢化物气相外延(HVPE：HydrideVaporPhaseEpitaxy)等技术生长。但是，在以下说明的实施例中，对半导体层利用MOCVD而在生长腔室内生长的情形进行说明。在氮化物系半导体层的生长过程中，流入到生长腔室内的源(source)可以利用通常公知的源，例如，可以利用三甲基镓(TMGa)、三乙基镓(TEGa)等作为Ga源，可以利用三甲基铝(TMAl)、三乙基铝(TEAl)等作为Al源，可以利用三甲基铟(TMIn)和三乙基铟(TEIn)等作为In源，可以利用NH3作为N源。然而，本专利技术并不限定于此。根据本专利技术的一实施例的紫外线发光二极管包括：基板；n型半导体层，位于所述基板上；台面，布置于所述n型半导体层上，并包含活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于所述n型半导体层；p欧姆接触层，接触于所述p型半导体层；n凸块，电连接于所述n欧姆接触层；以及p凸块，电连接于所述p欧姆接触层，其中，所述台面包括主分支以及从所述主分支延伸的多个子分支，所述n欧姆接触层包围所述台面并夹设于所述子分支之间的区域，所述n凸块及p凸块分别覆盖所述台面的上部及侧表面。现有的紫外线发光二极管中，将p凸块布置于台面上部，因此无法反射向台面的侧表面发出的光。与此相反，在本专利技术的实施例中，台面侧表面被n凸块及p凸块部分覆盖，因此n凸块及p凸块能够将向台面侧表面发出的紫外线反射，进而再次入射至基板侧。进而，台面不仅可以位于p凸块下部，而且还可以位于n凸块下部，因此能够使台面跨过基板的较宽的区域而分布。进而，根据本专利技术的实施例，台面包括主分支及子分支，因此能够增加台面侧表面的表面积。从而，台面与n欧姆接触层之间的区域增加，因此向台面侧表面发出的紫外线能够通过该区域再次入射至基板侧，从而提高光输出。另外，暴露于所述子分支之间的n型半导体层的最小宽度可以大于或等于所述子分支的最小宽度。现有的紫外线发光二极管中，典型地将台面的宽度形成为相对大于暴露的n型半导体层的宽度，然而在本专利技术中，将台面的宽度形成为更窄。因此，能够易于进行台面内的电流分散并进一步降低正向电压。在若干实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紫外线发光二极管，包括：基板；n型半导体层，位于所述基板上；台面，布置于所述n型半导体层上，并包含活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于所述n型半导体层；p欧姆接触层，接触于所述p型半导体层；n凸块，电连接于所述n欧姆接触层；以及p凸块，电连接于所述p欧姆接触层，其中，所述台面包括主分支以及从所述主分支延伸的多个子分支，所述n欧姆接触层包围所述台面并夹设于所述子分支之间的区域，所述n凸块及p凸块分别覆盖所述台面的上部及侧表面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.15 KR 10-2016-00902011.一种紫外线发光二极管，包括：基板；n型半导体层，位于所述基板上；台面，布置于所述n型半导体层上，并包含活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于所述n型半导体层；p欧姆接触层，接触于所述p型半导体层；n凸块，电连接于所述n欧姆接触层；以及p凸块，电连接于所述p欧姆接触层，其中，所述台面包括主分支以及从所述主分支延伸的多个子分支，所述n欧姆接触层包围所述台面并夹设于所述子分支之间的区域，所述n凸块及p凸块分别覆盖所述台面的上部及侧表面。2.如权利要求1所述的紫外线发光二极管，其中，暴露于所述子分支之间的n型半导体层的最小宽度大于或等于所述子分支的最小宽度。3.如权利要求2所述的紫外线发光二极管，其中，所述主分支的最小宽度大于所述子分支的最小宽度。4.如权利要求1所述的紫外线发光二极管，其中，所述主分支包括：第一主分支，沿所述基板的一侧边缘部位延伸；以及第二主分支，沿与所述基板的一侧边缘部位相邻的另一侧边缘部位延伸，所述子分支包括从所述第一主分支延伸的子分支以及从所述第二主分支延伸的子分支。5.如权利要求4所述的紫外线发光二极管，其中，所述子分支之间相互平行。6.如权利要求5所述的紫外线发光二极管，其中，所述子分支平行于所述基板的对角线。7.如权利要求6所述的紫外线发光二极管，其中，所述子分支具有互不相同的长度。8.如权利要求1所述的紫外线发光二极管，其中，所述基板是具有四个边缘部位的四角形形状，并且从各个边缘部位到所述台面的最短距离小于从各个边缘部位到所述基板中心的最短距离的1/2。9.如权利要求1所述的紫外线发光二极管，还包括：n焊盘金属层，覆盖所述n欧姆接触层；以及p焊盘金属层，覆盖所述p欧姆接触层，其中，所述n凸块及p凸块分别连接于所述n焊盘金属层及所述p焊盘金属层。10.如权利要求9所述的紫外线发光二极管，其中，所述n欧姆接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴柱勇，张成逵，李圭浩，李俊熙，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR