用于生产光电子组件的方法和光电子组件技术

一种用于生产光电子组件的方法包括：用于提供载体的步骤；用于在载体的顶侧上方布置被结构化的反射器的步骤；用于在反射器的开口中布置具有顶侧和与顶侧相对的底侧的光电子半导体芯片的步骤，其中光电子半导体芯片的底侧面对载体的顶侧；用于在载体的顶侧上方布置嵌入材料的步骤，其中光电子半导体芯片至少部分地嵌入到嵌入材料中，作为其结果形成包括光电子半导体芯片、反射器和嵌入材料的合成主体；以及用于将合成主体从载体卸除的步骤。

Method for producing photoelectronic components and photoelectronic components

A method for producing optoelectronic components includes: steps for providing a carrier; steps for arranging structured reflectors above the top side of the carrier; steps for arranging optoelectronic semiconductor chips with top side and bottom side opposite to top side in the opening of the reflector, where the bottom side of the optoelectronic semiconductor chip is opposite to the top side of the carrier; and steps for arranging a structured reflector over the top side of the carrier. A step of embedding material is arranged above the top side, in which the optoelectronic semiconductor chip is at least partially embedded in the embedding material as a result of which a synthetic body including the optoelectronic semiconductor chip, reflector and embedding material is formed; and a step for removing the synthetic body from the carrier.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于生产光电子组件的方法和光电子组件描述本专利技术涉及用于生产光电子组件的方法和光电子组件。本专利申请要求德国专利申请DE102016112293.9的优先权，其公开内容被通过引用合并于此。已知例如发光二极管组件的光电子组件，其中光电子半导体芯片被嵌入到嵌入材料中，该嵌入材料形成包括极其紧凑的尺寸的壳体。已知的是使用光学反射的嵌入材料，以便使由光电子半导体芯片在横向方向上发射的光沿向前方向偏转。本专利技术的一个目的是指定一种用于生产光电子组件的方法。本专利技术的进一步的目的是提供一种光电子组件。这些目的是借助于包括独立权利要求的特征的方法和装置来实现的。在从属权利要求中指定了各种发展。用于生产光电子组件的方法包括：用于提供载体的步骤；用于在载体的顶侧上方布置被结构化的反射器的步骤；用于在反射器的开口中布置包括顶侧和与顶侧相对的底侧的光电子半导体芯片的步骤，其中光电子半导体芯片的底侧面对载体的顶侧；用于在载体的顶侧上方布置嵌入材料的步骤，其中光电子半导体芯片至少部分地嵌入到嵌入材料中，作为其结果形成包括光电子半导体芯片、反射器和嵌入材料的合成主体；以及用于将合成主体从载体卸除的步骤。在通过该方法可获得的光电子组件的情况下，反射器可以用于反射由光电子半导体芯片发射的光，并且由此带来光在优选的发射方向上的偏转。作为结果，由通过该方法可获得的光电子组件发射的光被至少部分地引导。因为由光电子半导体芯片在其它空间方向上发射的光在反射器处被至少部分地沿优选的发射方向偏转并且因此被利用，所以所述光未损失。作为结果，通过该方法可获得的光电子组件可以包括高亮度和高效率。通过该方法可获得的光电子组件可以有利地包括非常紧凑的外部尺寸。这特别是凭借如下事实实现的：光电子组件不需要包括除了光电子半导体芯片、反射器和嵌入材料之外的任何进一步的主要组件部分。在该方法的一个实施例中，反射器被形成为平坦片材或平坦膜，特别是被形成为金属引线框或金属膜。有利地，作为结果反射器包括高的光学反射率。此外，反射器是简单地可获得的并且是成本有效的。例如，可以通过激光切割来执行对反射器进行结构化。在该方法的一个实施例中，载体被提供有布置在其顶侧处的粘接膜，特别是被提供有通过热处理或者通过电磁辐照而可脱除的粘接膜。在该方法的该实施例中，反射器被布置在粘接膜上。有利地，提供粘接膜使得能够稍后进行合成主体从载体的简单的且可靠的卸除。这降低了对合成主体的损坏的风险以及对所生产的光电子组件的损坏的风险。为了卸除合成主体的目的，可以例如通过热处理或通过电磁辐照（例如通过利用UV光进行辐照）来降低粘接膜的粘接性。在该方法的一个实施例中，光电子半导体芯片的一个或多个电接触焊盘被布置在光电子半导体芯片的底侧处。所述电接触焊盘可以用于电接触光电子半导体芯片并且可以在通过该方法可获得的光电子组件的情况下形成电连接焊盘。在该方法的一个实施例中，光电子半导体芯片被形成为倒装芯片。通过示例的方式，光电子半导体芯片可以被形成为蓝宝石倒装芯片。在该方法的一个实施例中，光电子半导体芯片被形成为体发射的发光二极管芯片。有利地，在通过该方法可获得的光电子组件的情况下，由体发射的发光二极管芯片在并非对应于光电子组件的优选的发射方向的空间方向上发射的光在光电子组件的反射器处被至少部分地反射并且沿优选的发射方向偏转。作为结果，由光电子半导体芯片发射的光的这些部分也至少部分地被利用。在该方法的一个实施例中，光电子半导体芯片的顶侧被嵌入材料覆盖。这有利地使得如下是可能的：借助于可以被成本有效地执行的特别简单的处理步骤来执行布置嵌入材料的处理。凭借嵌入材料可以被形成为光学透明的事实使得通过嵌入材料来覆盖光电子半导体芯片的顶侧是可能的。凭借如下事实而使得这进而是可能的：嵌入材料不需要用于反射在不想要的空间方向上发射的光。相反，在通过该方法可获得的光电子组件的情况下提供反射器以用于反射这样的光。在该方法的一个实施例中，嵌入材料包括硅酮。有利地，嵌入材料因此可以是成本有效地可获得的并且容易处理。此外，嵌入材料可以包括高耐用性。特别是，通过与其它嵌入材料相比，包括硅酮的嵌入材料可以包括对于破裂的降低的易受影响性。使用包括硅酮的嵌入材料也可以支持在没有任何问题的情况下将合成主体从载体卸除。在该方法的一个实施例中，嵌入材料包括嵌入的波长转换颗粒。嵌入到嵌入材料中的波长转换颗粒可以被提供用于至少部分地把由光电子半导体芯片发射的光转换成包括不同波长的光。作为结果，在通过该方法可获得的光电子组件的情况下，通过示例的方式，可以从由光电子半导体芯片发射的并且包括来自蓝色或紫外谱范围的波长的光生成白色光，所述白色光是由光电子组件发射的。在该方法的一个实施例中，通过模制处理或浇注处理来执行对嵌入材料进行布置。有利地，作为结果，可以简单地并且成本有效地执行对嵌入材料进行布置。在该方法的一个实施例中，在布置嵌入材料之前，执行进一步的步骤以用于在光电子半导体芯片的顶侧上方布置包括波长转换材料的膜。此后，以合成主体也包括膜这样的方式将膜嵌入到嵌入材料中。在通过该方法可获得的光电子组件的情况下，膜的波长转换材料可以用于至少部分地把由光电子半导体芯片发射的光转换成包括不同波长的光。作为结果，在该方法的该实施例的情况下，嵌入材料不需要包括嵌入的波长转换颗粒。在该方法的一个实施例中，光电子半导体芯片被以如下这样的方式布置在反射器的开口中：光电子半导体芯片和反射器之间的距离在光电子半导体芯片的所有侧上具有相同的量值。在这种情况下，光电子半导体芯片和反射器之间的在光电子半导体芯片的所有侧上相同的距离被保持在光电子半导体芯片的定位精度的范围内。光电子半导体芯片和反射器之间的在光电子半导体芯片的所有侧上尽可能相同的距离可以有利地支持通过该方法可获得的光电子组件的特别均匀的光发射。在该方法的一个实施例中，反射器被形成为包括多个开口的栅网。例如，各开口可以是通过激光切割创建的。在该方法的一个实施例中，多个光电子半导体芯片被分别布置在反射器的开口中。在该方法的该实施例的情况下，所形成的合成主体包括所有光电子半导体芯片。在卸除合成主体之后，执行用于划分合成主体的进一步的步骤。作为结果，该方法有利地使得在共同的处理步骤中同时生产多个光电子组件是可能的。作为结果，减少了每个光电子组件的生产成本和用于生产光电子组件所要求的工作时间。一种光电子组件包括合成主体，合成主体包括嵌入材料、反射器和光电子半导体芯片。在这种情况下，光电子半导体芯片被至少部分地嵌入到嵌入材料中。光电子半导体芯片被布置在反射器的开口中。在这种情况下，光电子半导体芯片的底侧和反射器的底侧齐平地终止并且是至少部分地在合成主体的底侧处暴露的。在该光电子组件的情况下，反射器用于至少部分地反射由光电子半导体芯片在并非对应于光电子组件的想要的发射方向的空间方向上发射的光，并且由此用于使所述光沿光电子组件的想要的发射方向偏转。作为结果，使所偏转的光是可使用的并且未损失。作为结果，光电子组件可以有利地包括高亮度和高效率。在光电子组件的一个实施例中，光电子半导体芯片的一个或多个电接触焊盘被布置在光电子半导体芯片的底侧处并且在合成主体的底侧处暴露。作为结果，光电子半导体芯片的电接触焊盘形成光电子组件的电接触并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于生产光电子组件（10）的方法，包括 以下步骤：‑ 提供载体（100）；‑ 在载体（100）的顶侧（101）上方布置被结构化的反射器（200）；‑ 在反射器（200）的开口（210）中布置包括顶侧（301）和与顶侧（301）相对的底侧（302）的光电子半导体芯片（300），其中光电子半导体芯片（300）的底侧（302）面对载体（100）的顶侧（101）；‑ 在载体（100）的顶侧（101）上方布置嵌入材料（400），其中光电子半导体芯片（300）至少部分地嵌入到嵌入材料（400）中，作为其结果形成包括光电子半导体芯片（300）、反射器（200）和嵌入材料（400）的合成主体（500）；‑ 将合成主体（500）从载体（100）卸除。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.05 DE 102016112293.91.一种用于生产光电子组件（10）的方法，包括以下步骤：-提供载体（100）；-在载体（100）的顶侧（101）上方布置被结构化的反射器（200）；-在反射器（200）的开口（210）中布置包括顶侧（301）和与顶侧（301）相对的底侧（302）的光电子半导体芯片（300），其中光电子半导体芯片（300）的底侧（302）面对载体（100）的顶侧（101）；-在载体（100）的顶侧（101）上方布置嵌入材料（400），其中光电子半导体芯片（300）至少部分地嵌入到嵌入材料（400）中，作为其结果形成包括光电子半导体芯片（300）、反射器（200）和嵌入材料（400）的合成主体（500）；-将合成主体（500）从载体（100）卸除。2.根据权利要求1所述的方法，其中，反射器（200）被形成为平坦片材或平坦膜，特别是被形成为金属引线框或金属膜。3.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，载体（100）被提供有布置在其顶侧（101）处的粘接膜（110），特别是被提供有通过热处理或者通过电磁辐照而可脱除的粘接膜，其中反射器（200）被布置在粘接膜（110）上。4.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，光电子半导体芯片（300）的一个或多个电接触焊盘（310）被布置在光电子半导体芯片（300）的底侧（302）处。5.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，光电子半导体芯片（300）被形成为倒装芯片。6.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，光电子半导体芯片（300）被形成为体发射的发光二极管芯片。7.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，光电子半导体芯片（300）的顶侧（301）被嵌入材料（400）覆盖。8.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，嵌入材料（400）包括硅酮。9.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，嵌入材料（400）包括嵌入的波长转换颗粒。10.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，通过模制处理或浇注处理来执行对嵌入材料（400）进行布置。11.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，在布置嵌入材料（400）之前，执行以下的进一步的...

【专利技术属性】
技术研发人员：T格布尔，M平德尔，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE