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一个实施例公开一种半导体器件，包括：半导体结构，该半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间布置的有源层并且包括多个第一凹部和第二凹部，多个第一凹部被布置为通过穿透第二导电半导体层和有源层直到...
该专利属于LG伊诺特有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过LG伊诺特有限公司授权不得商用。

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