晶圆支撑系统，晶圆支撑装置，包括晶圆和晶圆支撑装置的系统以及掩模对准器制造方法及图纸

一种晶圆支撑系统，具有晶圆支撑装置(16)和切割框架(14)，其中晶圆支撑装置(16)具有底板(26)和顶板(28)。顶板(28)包括用于支撑晶圆(12)的支撑表面(34)，并且底板(26)具有大于顶板(28)的最大直径(dt)的最大直径(db)，使得底板(26)包括用于切割框架(14)的储存部(32)。切割框架(14)具有限定中心孔(20)的板状形状，其中中心孔(20)的最小直径(dh)大于顶板(28)的最大直径(dt)，使得切割框架(14)下沉到晶圆(12)的上表面和/或支撑表面(34)的下方。此外，提供了晶圆支撑装置(16)，晶圆支撑系统(18)和掩模对准器。

【技术实现步骤摘要】
晶圆支撑系统，晶圆支撑装置，包括晶圆和晶圆支撑装置的系统以及掩模对准器
本专利技术涉及晶圆支撑系统，晶圆支撑装置，包括晶圆和晶圆支撑装置的系统以及包括掩模保持件和晶圆支撑系统的掩模对准器。
技术介绍
在半导体元件或类似物的微纳米制造期间，使用了像晶圆的一样非常薄的基板。已知的是，使用切割框架和切片带来处理和对薄基板进行切片。切割框架是刚性的带有中心孔的板状结构。使用横跨中心孔的至少一部分(优选地横跨整个中心孔)的一层切片带，将基板或晶圆固定在中心孔内。通常，切割框架本身的厚度比基板的厚度大至少一个数量级。例如，晶圆具有25到100μm的厚度，并且框架具有1至2mm的厚度。这种厚度差异在基板处理期间、特别是在掩模对准器中会引发问题，其中例如在阴影成像中，可以在掩模和基板之间仅有小的间隙或无间隙。当使掩模靠近通常由卡盘支撑的基板或晶圆时，在间隙足够小之前，即在实现所需的间隙尺寸之前，掩模与切割框架接触。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供一种晶圆支撑系统，晶圆支撑装置，包括晶圆和晶圆支撑装置的系统，以及掩模对准器，即使基板安装在切割框架中，该掩模对准器允许掩模和基板间的小间隙或无间隙本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于支撑晶圆(12)的晶圆支撑系统，包括晶圆支撑装置(16)和切割框架(14)，其中，所述晶圆支撑装置(16)具有彼此同心布置的底板(26)和顶板(28)，其中，所述顶板(28)包括用于支撑所述晶圆(12)的支撑表面(34)，所述支撑表面是所述顶板(28)的背离所述底板(26)的表面，其中，所述底板(26)具有大于所述顶板(28)的最大直径(dt)的最大直径(db)，使得所述底板(26)包括围绕所述顶板(28)的肩部(30)，所述肩部形成用于所述切割框架(14)的储存部(32)，其中，所述切割框架(14)具有限定中心孔(20)的板状形状，其中，所述中心孔(20)的最小直径(dh)大于所...

【技术特征摘要】
2017.09.25 NL 20196231.一种用于支撑晶圆(12)的晶圆支撑系统，包括晶圆支撑装置(16)和切割框架(14)，其中，所述晶圆支撑装置(16)具有彼此同心布置的底板(26)和顶板(28)，其中，所述顶板(28)包括用于支撑所述晶圆(12)的支撑表面(34)，所述支撑表面是所述顶板(28)的背离所述底板(26)的表面，其中，所述底板(26)具有大于所述顶板(28)的最大直径(dt)的最大直径(db)，使得所述底板(26)包括围绕所述顶板(28)的肩部(30)，所述肩部形成用于所述切割框架(14)的储存部(32)，其中，所述切割框架(14)具有限定中心孔(20)的板状形状，其中，所述中心孔(20)的最小直径(dh)大于所述顶板(28)的最大直径(dt)，其中，所述顶板(28)成形为使得其可以延伸穿过所述切割框架(14)的中心孔(20)，以便所述切割框架(14)位于所述储存部(32)中，其中，当所述晶圆(12)安装在所述切割框架(14)中并且布置在所述晶圆支撑装置(16)的顶部上时，所述切割框架(14)的最高点在竖直方向上位于所述晶圆(12)的上表面下方和/或所述支撑表面(34)的下方。2.一种用于支撑安装在切割框架(14)中的晶圆(12)的晶圆支撑装置，其包括彼此同心布置的底板(26)和顶板(28)，其中，所述顶板(28)包括用于支撑所述晶圆(12)的支撑表面(34)，所述支撑表面是所述顶板(28)的背离所述底板(26)的表面，其中，所述底板(26)具有大于所述顶板(28)的最大直径(dt)的最大直径(db)，使得所述底板(26)包括围绕所述顶板(28)的肩部(30)，所述肩部形成用于所述切割框架(14)的储存部(32)，使得所述切割框架(14)位于所述储存部(32)中，其中，当所述晶圆(12)安装在所述切割框架(14)中并且放置在所述晶圆支撑装置(16)的顶部上时，所述切割框架(14)的最高点在竖直方向上位于所述晶圆(12)的上表面下方和/或所述支撑表面(34)的下方。3.一种包括晶圆(12)和晶圆支撑装置(16)的系统，所述晶圆支撑装置具有彼此同心布置的底板(26)和顶板(28)，其中，所述顶板(28)包括用于支撑所述晶圆(12)的支撑表面(34)，所述支撑表面是所述顶板(28)的背离所述底板(26)的表面，其中，所述底板(26)具有大于所述顶板(28)的最大直径(dt)的最大直径(db)，使得所述底板(26)包括围绕所述顶板(28)的肩部(30)，所述肩部形成用于所述切割框架(14)的储存部(32)，从而当所述晶圆(12)安装在所述切割框架(14)中并且放置在所述晶圆支撑装置(16)的顶部上时，所述切割框架(14)在竖直方向上位于所述晶圆(12)的上表面下方和/或所述支撑表面(34)的下方。4.根据权利要求1所述的晶圆支撑系统，根据权利要求2所述的晶圆支撑装置，或根据权利要求3所述的系统，...

【专利技术属性】
技术研发人员：天野泰明，斯文·汉森，伦纳特·施瓦特，
申请(专利权)人：苏斯微技术光刻有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE