集成电路制造工艺的返工方法技术

本发明专利技术公开了一种集成电路制造工艺的返工方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上形成光刻胶，进行第一次光刻工艺；步骤二、进行显影后检测，在显影后检测超范围时进行如下返工步骤：步骤21、采用空白光罩对光刻胶进行全面的第二次曝光；步骤22、进行第二次显影将光刻胶进行第一次去除；步骤23、采用光刻胶减量工艺溶解对光刻胶进行第二次去除。本发明专利技术能增加光刻胶的去除率，能防止光刻胶残留，能消除光刻胶残留对后续湿法刻蚀机台产生污染。

Rework Method of Integrated Circuit Manufacturing Process

The invention discloses a rework method for integrated circuit manufacturing process, which includes steps: first, forming photoresist on semiconductor substrate for the first lithography process; second, performing post-development detection, following rework steps when detecting out-of-range after development: step 21, using blank masks for a comprehensive second exposure of photoresist; The photoresist is removed for the first time by secondary development. Step 23, the photoresist is dissolved by photoresist reduction process for the second removal. The invention can increase the removal rate of photoresist, prevent the residual photoresist, and eliminate the pollution of the residual photoresist to the subsequent wet etching machine.

【技术实现步骤摘要】
集成电路制造工艺的返工方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种集成电路制造工艺的返工方法。
技术介绍
具有高介电常数金属栅极(HKMG)的NMOS和PMOS的集成制造方法，HKMG工艺中需要同时形成高介电常数(HK)的栅介质层以及形成金属栅，在现有HKMG工艺通常会采用到后金属栅极工艺，后金属栅极工艺中，通常需要采用虚拟多晶硅栅即伪多晶硅栅，利用伪多晶硅栅来形成器件的栅介质层，沟道区，和源漏区，之后再进行金属栅的置换，即将伪多晶硅栅去除，再用金属填充伪多晶硅栅去除的区域形成金属栅。现有后金属栅极工艺中，通常在虚拟多晶硅栅极去除后，会先沉积一层TiN作为PMOS的功函数金属层，然后通过一次光刻和刻蚀工艺去除掉NMOS区域的TiN层。接下来是NMOS的功函数金属层TiAl的沉积，最后是金属栅极填充，金属栅的材料通常为Al，之后进行化学机械研磨(CMP)。在进行TiN层的光刻刻蚀中，通常会采用到由可牺牲的硅氧烷聚合体(DUO)组成的底部抗反射涂层(BARC)，在TiN层上形成DUO层之后在涂布光刻胶，通常，将由作为BARC的DUO和顶部涂布的光刻胶组成的工艺层次称为NR本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路制造工艺的返工方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底上形成光刻胶，进行第一次光刻工艺，所述第一次光刻工艺包括第一次曝光和第一次显影；步骤二、进行显影后检测，在所述显影后检测超范围时进行如下返工步骤：步骤21、采用空白光罩对所述光刻胶进行全面的第二次曝光；步骤22、对所述光刻胶进行第二次显影，结合所述第二次曝光和所述第二次显影将所述光刻胶进行第一次去除；步骤23、采用光刻胶减量工艺对所述光刻胶进行第二次去除，结合第一次去除和所述第二次去除增加所述光刻胶的去除率，防止所述光刻胶残留。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路制造工艺的返工方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底上形成光刻胶，进行第一次光刻工艺，所述第一次光刻工艺包括第一次曝光和第一次显影；步骤二、进行显影后检测，在所述显影后检测超范围时进行如下返工步骤：步骤21、采用空白光罩对所述光刻胶进行全面的第二次曝光；步骤22、对所述光刻胶进行第二次显影，结合所述第二次曝光和所述第二次显影将所述光刻胶进行第一次去除；步骤23、采用光刻胶减量工艺对所述光刻胶进行第二次去除，结合第一次去除和所述第二次去除增加所述光刻胶的去除率，防止所述光刻胶残留。2.如权利要求1所述的集成电路制造工艺的返工方法，其特征在于：步骤一在形成所述光刻胶之前还包括形成一层底部抗反射涂层的步骤，所述光刻胶涂布在所述底部抗反射涂层上。3.如权利要求1所述的集成电路制造工艺的返工方法，其特征在于：集成电路制造工艺用于形成具有HKMG的CMOS器件。4.如权利要求2所述的集成电路制造工艺的返工方法，其特征在于：HKMG采用后金属栅工艺形成，包括步骤：在所述半导体衬底表面依次形成栅介质层和多晶硅栅，所述栅介质层包括高介电常数材料层；在所述多晶硅栅的侧面形成侧墙；在所述多晶硅栅两侧的所述半导体衬底表面形成源区和漏区；依次形成接触刻蚀停止层和层间膜；进行平坦化，平坦化后所述多晶硅栅的顶部表面露出；去除所述多晶硅栅并在所述多晶硅栅去除区域形成栅极凹槽，所述栅极凹槽中用于形成金属栅；形成金属功函数层；形成所述底部抗反射涂层；进行步骤一的形成所述光刻胶的步骤。5.如权利要求4所述的集成电路制造工艺的返工方法，其特征在于：如果步骤二中所述显影后检测通过时则进...

【专利技术属性】
技术研发人员：余寅生，王志宏，赵弘文，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31