一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺制造技术

本发明专利技术提供一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺，包括以下步骤：硅片双面减薄：使用腐蚀液对硅片进行双面腐蚀，去除表面损伤层；扩散前处理：对减薄后的硅片依次进行碱处理、溢水清洗、酸清洗、溢水清洗、甩干；印刷扩散源：采用丝网印刷工艺对处理后的硅片一面印刷磷扩散源，另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源；叠片装舟：将硅片硼源面或硼铝源面与硼源面或硼铝源面相对，将磷源面与磷源面相对进行叠片，叠片后放入碳化硅舟中，在前后位置放置挡片。本发明专利技术的有益效果是使得在硅片上涂覆扩散源的工艺更加简单，能够实现硅片扩散源涂覆的自动化，节省劳动力，提高了扩散源涂覆的工作效率，且磷源和硼源在硅片上的涂覆一致性好，安全环保。

A Silicon Wafer Source Coating Process Using Screen Printing Technology

The invention provides a silicon wafer coating source process using screen printing technology, including the following steps: silicon wafer double-sided thinning: double-sided corrosion with corrosive solution to remove the surface damage layer; diffusion pretreatment: alkali treatment, overflow cleaning, acid cleaning, overflow cleaning and drying of the thinned silicon wafer in turn; printing diffusion source: using screen printing process to treat the silicon wafer. The silicon wafer is printed with phosphorus diffusion source on one side and boron diffusion source or boron-aluminium diffusion source on the other side; stacked boat: the boron or boron-aluminium source surface of silicon wafer is opposite to boron source surface or boron-aluminium source surface, and the phosphorus source surface is relative to phosphorus source surface is laminated, then placed in the silicon carbide boat, and the shield is placed in front and back positions. The invention has the advantages of simplifying the process of coating diffusion source on silicon wafer, realizing the automation of coating diffusion source on silicon wafer, saving labor, improving the working efficiency of coating diffusion source, good consistency of coating phosphorus source and boron source on silicon wafer, safety and environmental protection.

【技术实现步骤摘要】
一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺
本专利技术属于硅片制作领域，尤其是涉及一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺。
技术介绍
随着半导体技术的发展，对半导体表面钝化的要求越来越高，作为钝化材料，应具备良好的电气性能、可靠性、良好的化学稳定性、可操作性以及经济性。根据上述要求，半导体钝化专用玻璃作为一种较为理想的半导体钝化材料在半导体行业中开始应用。利用半导体钝化专用玻璃制作的芯片称为玻璃钝化芯片(GlasspassivationprocessChip)，即GPP芯片。目前，行业内硅片的制作大多会用到扩散工艺形成PN结，目前业内常用的硅片扩散源的涂覆一般采用旋转涂覆的方法，采用旋转涂覆扩散源工艺复杂，且扩散源在硅片表面涂覆不均匀，产品一致性差，劳动成本高。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是提供一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺，使得在硅片上涂覆的扩散源一致性好，且简化了硅片涂源工艺步骤，提高了硅片扩散源涂覆的工作效率。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺，包括以下步骤：1)印刷扩散源：采用丝网印刷技术对扩散前处理后的硅片一面印刷磷扩散本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺，其特征在于：包括以下步骤：1)印刷扩散源：采用丝网印刷技术对扩散前处理后的硅片一面印刷磷扩散源，另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源。

【技术特征摘要】
1.一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺，其特征在于：包括以下步骤：1)印刷扩散源：采用丝网印刷技术对扩散前处理后的硅片一面印刷磷扩散源，另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源。2.根据权利要求1所述的一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺，其特征在于：所述步骤1)包括以下步骤：A.印刷磷扩散源：将磷扩散源喷涂在网板上，所述扩散前处理后的硅片置于所述网板下方，用刮刀从网板上方以一定角度施加压力，将磷扩散源印刷至硅片表面；B.将印刷完磷扩散源的硅片置于烘板上，对硅片印有磷扩散源的一面进行烘烤；C.按照步骤B、步骤C的工艺将液态硼铝扩散源或者液态硼扩散源印刷至硅片的另一面上并进行烘烤；D.将所述硅片两面喷洒上Al2O3粉末或硅粉。3.根据权利要求2所述的一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺，其特征在于：所述步骤A中所述的刮刀的角度为45°-75°。4.根据权利要求1-3任一项所述的一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺，其特征在于：在印刷扩散源之前对硅片进行扩散前处理。5.根据权利要求4所述的一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李亚哲，王彦君，孙晨光，徐长坡，陈澄，武卫，梁效峰，黄志焕，杨玉聪，李丽娟，钟瑜，
申请(专利权)人：天津环鑫科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12