扩散炉管设备及处理废气的方法技术

本发明专利技术提供一种扩散炉管设备及处理废气方法。该扩散炉管设备包括扩散炉管反应室、预处理系统以及真空泵，扩散炉管反应室用于半导体器件制造；预处理系统与扩散炉管反应室的废气口连接，预处理系统包括等离子体室，在等离子体室中扩散炉管反应室排出的废气与氧气进行电化学反应，真空泵与预处理系统的出气口连接，以抽取反应的副产气体；处理废气方法包括制造半导体器件时在扩散炉管设备中注入氧气并开启等离子体室和真空泵以使废气分解并排除；本发明专利技术采用针对扩散炉管设备产生的特定气体分子使用等离子体使其分解达到完全分离的作用。无需冷凝阱，也能实现降低粉尘塞管，避免粉尘进入真空泵影响真空抽气效率及使用寿命。

Diffusion furnace tube equipment and method for treating exhaust gas

The invention provides a diffusion furnace tube device and a method for treating exhaust gas. The diffuser tube equipment includes a diffuser tube reaction chamber, a pretreatment system and a vacuum pump. The diffuser tube reaction chamber is used for semiconductor device fabrication; the pretreatment system is connected with the exhaust gas port of the diffuser tube reaction chamber, and the pretreatment system includes a plasma chamber in which the exhaust gas and oxygen discharged from the diffuser tube reaction chamber are diffused. The vacuum pump is connected with the outlet of the pretreatment system to extract the by-product gas of the reaction; the waste gas treatment method includes injecting oxygen into the diffuser tube equipment and opening the plasma chamber and the vacuum pump to decompose and remove the waste gas in the diffuser tube equipment when making semiconductor devices; and the invention adopts the diffuser tube equipment. The specific gas molecules produced are decomposed to complete separation by plasma. Without condensation trap, dust plug can also be reduced to avoid dust entering the vacuum pump affecting the efficiency of vacuum pumping and service life.

【技术实现步骤摘要】
扩散炉管设备及处理废气的方法
本专利技术涉及半导体存储器生产技术，尤其是涉及一种扩散炉管设备及处理废气的方法。
技术介绍
扩散炉管设备是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，通常在扩散炉管设备中扩散炉管反应室和真空泵(PUMP)之间设置冷凝阱(Coldtrap)。冷凝阱作为一种冷却装置,利用一密闭容器于内部置一循环水管或冷媒接触片状或网状物,因废气冷凝效应会有粉层吸附于片状或网状物上,达到微尘抓取功能,降低粉层塞管及真空泵异常的现象，因冷凝阱需频繁配合保养更换或清洗,降低机台产能上应用，同时冷凝阱由于设计安装上常配置于机台真空反应容器出口端管路上,拆装时粉尘量较大,也易污染到真空反应容器本身的环境，同时冷凝阱无法完全避免因粉尘造成真空泵异常造成真空回灌导致产品缺陷(defect)异常报废的风险。
技术实现思路
本专利技术提供一种扩散炉管设备及处理废气的方法，以至少解决现有技术中的以上技术问题。为达到上述目的，本专利技术一种扩散炉管设备，包括：扩散炉管反应室，用于制造半导体器件并产生废气，所述扩散炉管反应室包括用于排出所述扩散炉管反应室中废气的废气口，其中，所述废气包含粉尘；废气预处理系统本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扩散炉管设备，其特征在于，包括：扩散炉管反应室，用于制造半导体器件并产生废气，所述扩散炉管反应室包括用于排出所述扩散炉管反应室中废气的废气口，其中，所述废气包含粉尘；废气预处理系统，所述废气预处理系统的进气口与所述扩散炉管反应室的所述废气口连接，所述废气预处理系统包括等离子体室，所述等离子体室用于使所述粉尘与氧气进行电化学反应，以将所述废气转变为固体废料和副产气体；以及真空泵，所述真空泵与所述废气预处理系统的出气口连接，以抽取所述废气预处理系统中产生的所述副产气体。

【技术特征摘要】
1.一种扩散炉管设备，其特征在于，包括：扩散炉管反应室，用于制造半导体器件并产生废气，所述扩散炉管反应室包括用于排出所述扩散炉管反应室中废气的废气口，其中，所述废气包含粉尘；废气预处理系统，所述废气预处理系统的进气口与所述扩散炉管反应室的所述废气口连接，所述废气预处理系统包括等离子体室，所述等离子体室用于使所述粉尘与氧气进行电化学反应，以将所述废气转变为固体废料和副产气体；以及真空泵，所述真空泵与所述废气预处理系统的出气口连接，以抽取所述废气预处理系统中产生的所述副产气体。2.根据权利要求1所述的扩散炉管设备，其特征在于，所述废气预处理系统还包括：气体扩散器，与所述等离子体室连接；所述气体扩散器包括氧气注入口，用于将氧气注入到所述气体扩散器中；所述气体扩散器用于将输入的废气与所述氧气注入口注入的氧气混合，并将混合气体注入到所述等离子体室。3.根据权利要求2所述的扩散炉管设备，其特征在于，所述废气预处理系统还包括：气体偏转器，所述气体偏转器包括混合气体进口、第一出口和第二出口，所述气体偏转器的所述混合气体进口与所述等离子体室的连接，所述气体偏转器的所述第一出口作为所述废气预处理系统的所述出气口并与所述真空泵连接，所述气体偏转器通过所述第二出口将所述等离子体室分解产生的固体废料排出；以及固体收集器，所述固体收集器与所述气体偏转器的所述第二出口连接，用于收集所述气体偏转器排出的固体废料。4.根据权利要求3所述的扩散炉管设备，其特征在于，所述气体偏转器内设有弯折的气流曲道。5.根据权利要求4所述的扩散炉管设备，其特征在于，所述气体偏转器包括T型腔体，所述气体偏转器的所述混合气体进口与所述气体偏转器的所述第二出口在竖直方向上对齐，所述气体偏转器的所述第一出口垂直于所述气体偏...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34