一种减少SiO2表面颗粒的通气管路及方法技术

本发明专利技术提供一种减少SiO2表面颗粒的通气管路及方法，包括依次设置的TEOS装载容器、TEOS存储装置以及TEOS分解装置，TEOS装载容器与TEOS存储装置之间设有第一管路，TEOS存储装置与TEOS分解装置之间设有第二管路，其中：TEOS装载容器内设有氦气通入管路；第一管路上设有第一阀；第二管路上依次设有第二阀、流量计以及吹扫气体通入管路，其中，流量计与TEOS分解装置之间的进气口之间设有控制阀；TEOS分解装置内设有弥散管，弥散管与第二管路连通设置。本发明专利技术的有益效果是使得LPCVD制备出的SiO2膜厚在范围内且膜表面的颗粒(粒径>0.3um)小于300颗。0.3um)小于300颗。0.3um)小于300颗。

【技术实现步骤摘要】
一种减少SiO2表面颗粒的通气管路及方法


[0001]本专利技术属于半导体制造
，尤其是涉及一种减少SiO2表面颗粒的通气管路及方法。

技术介绍

[0002]随着电力电子技术的研究水平和功率半导体制造技术的提高，新的电力电子器件结构不断出现，提高其反向耐压能力一直是功率器件设计中的重点，而沟槽型器件结构很好的解决了这个问题，进一步降低了芯片的面积，提高器件耐压，提升了功率密度。
[0003]沟槽型场截止IGBT(Trench FS IGBT)是目前国际上最先进的IGBT结构，其耐压可达到6500V以上，且芯片面积进一步缩小，功率损耗更低，通态饱和压降更低，开关速度更快，广泛应用在高铁、智能电网等超高压领域。
[0004]沟槽型场截止IGBT在刻蚀沟槽前所用的掩膜层为SiO2，要求采用LPCVD的方式进行沉积并且不消化本身的Si材料；采用LPCVD制备SiO2膜较PECVD来说产能较大，均匀性较好，故采用LPCVD的方法制备SiO2，工艺条件是700℃，200mtorr的压力下进行制备，LPCVD制备SiO2的方程式如下：<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减少SiO2表面颗粒的通气管路，其特征在于：包括依次设置的TEOS装载容器、TEOS存储装置以及TEOS分解装置，所述TEOS装载容器与所述TEOS存储装置之间设有第一管路，所述TEOS存储装置与所述TEOS分解装置之间设有第二管路，其中：所述TEOS装载容器内设有氦气通入管路；所述第一管路上设有第一阀；所述第二管路上依次设有第二阀、流量计以及吹扫气体通入管路，其中，所述流量计与所述TEOS分解装置进气口之间设有控制阀；所述TEOS分解装置内设有弥散管，所述弥散管与所述第二管路连通设置。2.根据权利要求1所述的减少SiO2表面颗粒的通气管路，其特征在于：TEOS装载容器设置为TEOS液压瓶。3.根据权利要求1所述的减少SiO2表面颗粒的通气管路，其特征在于：TEOS存储装置设置为TEOS气罐。4.根据权利要求1
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3任一所述的减少SiO2表面颗粒的通气管路，其特征在于：所述TEOS存储装置的外部设有加热套。5.根据权利要求4所述的减少SiO2表面颗粒的通气管路，其特征在于：所述流量计设置为MFC，所述MFC的内部设有加热装置。6.根据权利要求1所述的减少SiO2表面颗粒的通气管路，其特征在于：所述TEOS分解装置采用石英炉管，所述石英炉管上设置排气通道，所述排气通道与二级泵连接。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵晓丽，郉锡祥，张馨予，戴明磊，杜宏强，王维，刘晓芳，王正芳，
申请(专利权)人：天津环鑫科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：