于工艺腔室表面或部件上形成保护涂层的方法技术

本揭露内容的实施方式提供在工艺腔室表面和/或部件上制造或以其他方式形成包含氧化铈的保护涂层的方法，工艺腔室表面和/或部件例如是暴露于工艺腔室内的等离子体的表面。在一个或多个实施方式中，在工艺腔室内形成保护涂层的方法包括在原子层沉积(ALD)工艺期间将氧化铈层沉积在腔室表面或腔室部件上。ALD工艺包括在一个ALD周期中，将腔室表面或腔室部件依次暴露于铈前驱物、净化气体、氧化剂和净化气体，以及重复ALD周期以沉积氧化铈层。以及重复ALD周期以沉积氧化铈层。以及重复ALD周期以沉积氧化铈层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】于工艺腔室表面或部件上形成保护涂层的方法


[0001]本揭露内容的实施方式大体涉及气相沉积工艺，更特定而言，涉及通过原子层沉积工艺形成保护涂层的方法。

技术介绍

[0002]微电子或集成电路器件的制造通常涉及复杂的工艺顺序，需要在半导体、介电和导电基板上进行数百个独立的步骤。这些工艺步骤的实例包括氧化、扩散、离子注入、薄膜沉积、清洁、蚀刻和光刻。等离子体工艺常被用于在等离子体腔室中进行的薄膜沉积和蚀刻。在化学气相沉积中，通过对适当的工艺气体施加电压而产生反应性物种，随后的化学反应导致在基板上形成薄膜。在等离子体蚀刻中，先前沉积的膜暴露于等离子体中的反应性物种，通常是通过在先前的光刻步骤中形成的图案化掩模层而暴露。反应性物种和沉积膜之间的反应导致沉积膜的去除或蚀刻。
[0003]当腔室零件或工艺配件长期暴露于等离子体环境时，可能会因与等离子体物种的反应而出现劣化。举例来说，现有的等离子体腔室工艺配件或组成部分通常是由含铝材料(如氧化铝、氮氧化铝或氮化铝)制成。含卤素气体(例如，含氟或含氯的气体)在电路制造中被用来蚀刻各种材料层。相信含铝材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在工艺腔室内形成保护涂层的方法，包括：在原子层沉积(ALD)工艺中将氧化铈层沉积于腔室表面或腔室部件上，其中所述ALD工艺包括：在一ALD周期中，将所述腔室表面或所述腔室部件依序暴露于铈前驱物、净化气体、氧化剂和所述净化气体；及重复所述ALD周期以沉积所述氧化铈层。2.如权利要求1所述的方法，其中所述铈前驱物包括β
‑
二酮酸铈化合物、环戊二烯铈化合物、烷氧化铈化合物、氨基铈化合物、乙脒化铈化合物、它们的加合物或它们的任何组合。3.如权利要求2所述的方法，其中所述铈前驱物包括β
‑
二酮酸铈化合物。4.如权利要求3所述的方法，其中所述β
‑
二酮酸铈化合物为Ce(thd)4、Ce(thd)3、Ce(thd)3(phen)、它们的加合物或它们的任何组合。5.如权利要求2所述的方法，其中所述铈前驱物包括环戊二烯铈化合物。6.如权利要求5所述的方法，其中所述环戊二烯铈化合物为(Cp)3Ce、(MeCp)3Ce、(EtCp)3Ce、(PrCp)3Ce、(BuCp)3Ce、它们的加合物或它们的任何组合。7.如权利要求2所述的方法，其中所述铈前驱物包括烷氧化铈化合物。8.如权利要求7所述的方法，其中所述烷氧化铈化合物为Ce(mmp)4(铈四(1
‑
甲氧
‑2‑
甲基
‑2‑
丙酸酯))、Ce(dmap)4(铈四(1
‑
(二甲基胺基)丙
‑2‑
酸酯))、Ce(dmop)4(铈四(2
‑
(4,4
‑
二甲基
‑
4,5
‑
二氢恶唑
‑2‑
基)丙
‑2‑
酸酯))、它们的加合物或它们的任何组合。9.如权利要求2所述的方法，其中所述铈前驱物包括氨基铈化合物或乙脒化铈化合物。10.如权利要求9所述的方法，其中所述铈前驱物为(hmdsa)3Ce或(
i
PrCp)2Ce(N
‑
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【专利技术属性】
技术研发人员：吉蒂卡，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：