本实用新型专利技术属于铝膜制备技术领域，尤其为一种透明高阻隔氧化铝膜制备装置，包括操作台和保温层，所述操作台的端侧安装有底架，且底架的中间位置连接有固定杆，所述蒸发器的上端设置有导气管，且导气管的端头出处连接有真空沉积室，所述真空沉积室的上端设置有排气孔，且真空沉积室的端侧固定连接有铰链所述保温层安装于真空沉积室的内壁位置，且保温层的中间位置安装有固定板，所述固定板的下端设置有发热板，且固定板的上端安装有石墨舟板，并且石墨舟板的上端设置有硅片。该透明高阻隔氧化铝膜制备装置，结构简单，稳定性强，密封效果佳，可以保持内部气体不易流失，且具有保温性能，增加了装置的实用性。增加了装置的实用性。增加了装置的实用性。
【技术实现步骤摘要】
一种透明高阻隔氧化铝膜制备装置
[0001]本技术涉及铝膜制备
，具体为一种透明高阻隔氧化铝膜制备装置。
技术介绍
[0002]氧化铝膜被用作各种半导体器件所具有的层结构的一部分，氧化铝膜是通过使用由溅射气体生成的等离子体对以氧化铝作为主成分的靶材进行溅射而形成在成膜对象上的，在生产铝膜的过程中需要用到制备装置对其进行生产。
[0003]然而现有的铝膜制备装置结构复杂，稳定性差，在制备的过程中无法使铝膜成型完全，易出现铝膜软化，降低制备效果，而且密封效果不佳，制备的过程中易导致气体泄漏从而影响铝膜制备质量，并且保温性能差，无法有效的对制备装置内部温度进行保温，易使温度过高或过低影响使用效果，降低了装置的实用性。
[0004]针对上述问题，急需在原有透明高阻隔氧化铝膜制备装置的基础上进行创新设计。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种透明高阻隔氧化铝膜制备装置，以解决上述
技术介绍
中提出现有的透明高阻隔氧化铝膜制备装置，结构复杂，稳定性差，在制备的过程中无法使铝膜成型完全，易出现铝膜软化，降低制备效果，而且密封效果不佳，制备的过程中易导致气体泄漏从而影响铝膜制备质量，并且保温性能差，无法有效的对制备装置内部温度进行保温，易使温度过高或过低影响使用效果，降低了装置实用性的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种透明高阻隔氧化铝膜制备装置，包括操作台和保温层，所述操作台的端侧安装有底架，且底架的中间位置连接有固定杆，所述操作台的上端安装有蒸发器，且蒸发器的端侧设置有进气口，并且进气口的边侧连接有口塞，所述蒸发器的上端设置有导气管，且导气管的端头出处连接有真空沉积室，所述真空沉积室的上端设置有排气孔，且真空沉积室的端侧固定连接有铰链，所述铰链的端侧活动连接有外门，且外门的内端设置有密封条，并且外门的端侧安装有把手，所述保温层安装于真空沉积室的内壁位置，且保温层的中间位置安装有固定板，所述固定板的下端设置有发热板，且固定板的上端安装有石墨舟板，并且石墨舟板的上端设置有硅片。
[0007]优选的，所述进气口与蒸发器之间为嵌入式连接，且蒸发器与口塞之间通过进气口构成连接安装结构。
[0008]优选的，所述真空沉积室与蒸发器之间处同一水平面设置，且真空沉积室与蒸发器之间通过导气管构成连接安装结构。
[0009]优选的，所述外门与真空沉积室之间为卡合连接，且外门与真空沉积室之间通过铰链构成翻转安装结构，并且外门与密封条之间采用胶水连接。
[0010]优选的，所述保温层与真空沉积室之间为嵌入式连接，且保温层与真空沉积室之间采用轴线重合设置。
[0011]优选的，所述固定板与发热板之间紧密贴合，且固定板与硅片之间通过石墨舟板构成连接安装结构。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果是：该透明高阻隔氧化铝膜制备装置，结构简单，稳定性强，密封效果佳，可以保持内部气体不易流失，且具有保温性能，增加了装置的实用性；
[0013]1.在制备的过程中需要对真空沉积室内部进行封闭状态，避免气体泄漏影响铝膜制备质量，因此在外门内端周侧安装密封条，通过密封条可以加强连接的密封效果，减少气体泄漏情况的发生；
[0014]2.当气体成膜的过程中，若真空沉积室内温度过高或过低时，会导致气体成膜不完全，从而软化影响成膜质量，在真空沉积室的内壁周侧设置保温层，通过保温层使得内部环境处于恒温状态，达到保温效果，增加成膜质量。
附图说明
[0015]图1为本技术主视结构示意图；
[0016]图2为本技术正视结构示意图；
[0017]图3为本技术保温层与真空沉积室连接结构示意图。
[0018]图中：1、操作台；2、底架；3、固定杆；4、蒸发器；5、进气口；6、口塞；7、导气管；8、真空沉积室；9、排气孔；10、铰链；11、外门；12、密封条；13、把手；14、保温层；15、固定板；16、发热板；17、石墨舟板；18、硅片。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]请参阅图1
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3，本技术提供一种技术方案：一种透明高阻隔氧化铝膜制备装置，包括操作台1、底架2、固定杆3、蒸发器4、进气口5、口塞6、导气管7、真空沉积室8、排气孔9、铰链10、外门11、密封条12、把手13、保温层14、固定板15、发热板16、石墨舟板17和硅片18，操作台1的端侧安装有底架2，且底架2的中间位置连接有固定杆3，操作台1的上端安装有蒸发器4，且蒸发器4的端侧设置有进气口5，并且进气口5的边侧连接有口塞6，蒸发器4的上端设置有导气管7，且导气管7的端头出处连接有真空沉积室8，真空沉积室8的上端设置有排气孔9，且真空沉积室8的端侧固定连接有铰链10，铰链10的端侧活动连接有外门11，且外门11的内端设置有密封条12，并且外门11的端侧安装有把手13，保温层14安装于真空沉积室8的内壁位置，且保温层14的中间位置安装有固定板15，固定板15的下端设置有发热板16，且固定板15的上端安装有石墨舟板17，并且石墨舟板17的上端设置有硅片18；
[0021]进一步的，进气口5与蒸发器4之间为嵌入式连接，且蒸发器4与口塞6之间通过进气口5构成连接安装结构,在使用该装置进行铝膜制备时，将液态的三甲基铝通过进气口5灌入蒸发器4内，盖上口塞6使内部处于封闭状态，连接电源使得蒸发器4运作，从而将液态的三甲基铝蒸发成气态便于后续成膜；
[0022]进一步的，真空沉积室8与蒸发器4之间处同一水平面设置，且真空沉积室8与蒸发器4之间通过导气管7构成连接安装结构，在蒸发器4与真空沉积室8之间设置导气管7，蒸发后的气体通过导气管7传输到真空沉积室8内处理进行制备；
[0023]进一步的，外门11与真空沉积室8之间为卡合连接，且外门11与真空沉积室8之间通过铰链10构成翻转安装结构，并且外门11与密封条12之间采用胶水连接，在真空沉积室8表面安装外门11，以便于制备完成后将铝膜取出，然而设置外门11留有缝隙，在制备的过程中需要对真空沉积室8内部进行封闭状态，避免气体泄漏影响铝膜制备质量，因此在外门11内端周侧安装密封条12，通过密封条12可以加强连接的密封效果，减少气体泄漏情况的发生；
[0024]进一步的，保温层14与真空沉积室8之间为嵌入式连接，且保温层14与真空沉积室8之间采用轴线重合设置，当气体成膜的过程中，若真空沉积室8内温度过高或过低时，会导致气体成膜不完全，从而软化影响成膜质量，在真空沉积室8的内壁周侧设置保温层14，通过保温层14使得内部环境处于恒温状态，达到保温效果，增加本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种透明高阻隔氧化铝膜制备装置，包括操作台(1)和保温层(14)，其特征在于：所述操作台(1)的端侧安装有底架(2)，且底架(2)的中间位置连接有固定杆(3)，所述操作台(1)的上端安装有蒸发器(4)，且蒸发器(4)的端侧设置有进气口(5)，并且进气口(5)的边侧连接有口塞(6)，所述蒸发器(4)的上端设置有导气管(7)，且导气管(7)的端头出处连接有真空沉积室(8)，所述真空沉积室(8)的上端设置有排气孔(9)，且真空沉积室(8)的端侧固定连接有铰链(10)，所述铰链(10)的端侧活动连接有外门(11)，且外门(11)的内端设置有密封条(12)，并且外门(11)的端侧安装有把手(13)，所述保温层(14)安装于真空沉积室(8)的内壁位置，且保温层(14)的中间位置安装有固定板(15)，所述固定板(15)的下端设置有发热板(16)，且固定板(15)的上端安装有石墨舟板(17)，并且石墨舟板(17)的上端设置有硅片(18)。2.根据权利要求1所述的一种透明高阻隔氧化铝膜制备装置，其特征在于：所述进气...
【专利技术属性】
技术研发人员：张新岳，
申请(专利权)人：光阳模具制品深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：
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