一种利用化学气相沉积法包覆阻燃性膜层的方法技术

本发明专利技术公开一种利用化学气相沉积法包覆阻燃性膜层的方法，所述方法包括：(1)向反应器内通入惰性气体进行吹扫；(2)吹扫结束后，向反应器内通入由惰性气体稀释的硅基前驱体，真空条件下在基底材料表面沉积硅膜层。优选的，所述方法还包括继续向反应器中通入反应气，在硅膜层表面形成Si

【技术实现步骤摘要】
一种利用化学气相沉积法包覆阻燃性膜层的方法


[0001]本专利技术属于化学气相沉积法包膜工艺
，具体涉及一种通过化学气相沉积法在基底包覆阻燃性膜层的方法。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。化学气相沉积法作为一种非常有效的材料表面改性方法，具有十分广阔的发展应用前景。例如，化学气相沉积包膜工艺广泛用于沉积功能化的表面薄膜材料，在前驱体与工件基体发生反应的时间里会在工件表面形成一层膜层。目前化学气相沉积包膜工艺常常应用在催化剂，表面改性材料，半导体行业，而在阻燃材料领域，将化学气相沉淀包膜工艺用于制备阻燃性膜层的技术鲜有报道。
[0003]常规的制备阻燃材料的方法是加入阻燃剂，这种内部掺杂的方法会严重损害材料的机械性能和热力学性能。专利技术人发现与内部掺杂阻燃剂相比，对材料进行表面处理，不仅能达到较好的阻燃效果，而且不会影响材料本身的机械性能。现有的表面处理方法包括化学沉积法、物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用化学气相沉积法包覆阻燃性膜层的方法，所述方法包括如下步骤：(1)将基底材料通过进样口放入表面改性反应器，向反应器内通入惰性气体进行吹扫，排除反应器内留存的气体和水分；(2)吹扫结束后，向反应器内通入由惰性气体稀释的硅基前驱体，真空条件下在基底材料表面沉积硅膜层，反应器内真空度为0.01
‑
0.02MPa；所述基底材料为有机材料或无机材料，其中，有机材料包括但不限于聚氨酯，聚苯乙烯，环氧树脂。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气，氮气纯度≥99.5％，硅基前驱体选自四氯化硅、四甲基硅烷、双(叔丁基氨基)硅烷、三(二甲氨基)硅烷、(N,N
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二硅烷基
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硅烷胺)、双(二乙胺基)硅烷、二(异丙氨基)硅烷、原硅酸乙酯、六氯乙硅烷、三(二(三甲硅)胺)钆中的一种或两种以上的组合。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用化学气相沉积法包覆阻燃性膜层的方法还包括：保持反应器内真空度为0.01
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0.02MPa，向反应器内通入反应气，所述反应气是惰性气体和水蒸气/酯蒸气的混合气体；其中，所述水选自蒸馏水、双蒸水、无菌水、超纯水、去离子水，酯包括但不限于甲酸乙酯、乙酸乙酯。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的反应气通过如下方法制备：向储水或者储酯的真空储罐中通入惰性气体，调节储罐真空度小于0.06Mpa，使惰性气体管没入真空储罐液面以下，调节惰性气体压力制备得到惰性气体和水蒸气的混合气体，或者惰性气体和酯蒸气的混合气体。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在通入反应气之前向反应器内通入惰性气体对表面沉积硅膜层的基底材料进行吹扫，所述惰性气体为氮气，氮气纯度≥99.5％。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用化学气相沉积法包覆阻燃性膜层的方法还包括：将反应器内的压力由0.01
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0.02Mpa提高到0.04

【专利技术属性】
技术研发人员：朱英明，梁斌，郑大为，付鹏程，刘胜强，吴可荆，鲁厚芳，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：