一种CVD法生成氧化镓纳米片及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种以砷化镓为镓源用CVD法生成氧化镓纳米片及其制备方法和应用，涉及半导体材料技术领域。该制备方法，包括以下步骤：在衬底上制备金纳米颗粒；将砷化镓粉体及所述衬底相隔置于单开口的耐高温长条形容器内，所述衬底距离所述砷化镓粉体之间的距离为15～17cm；在真空条件下，通入氢气和惰性气体的混合气体后，进行加热，当管式炉内位于所述砷化镓粉体处的温度为900～950℃时，保温1.5～2h，即在所述衬底上制得所述氧化镓纳米片。本发明专利技术采用砷化镓为镓源，用单温区管式炉烧制氧化镓纳米片，只需通入一种氢氩混合气，且真空度只需维持在300Pa左右，制备出的氧化镓纳米片表面光滑，纳米片厚度约为10nm左右，且厚度均匀，可重复性高。可重复性高。可重复性高。

【技术实现步骤摘要】
一种CVD法生成氧化镓纳米片及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及半导体材料
，具体涉及一种以砷化镓为镓源用CVD法生成氧化镓纳米片及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的迅速发展，半导体材料的应用范围和需求量逐年增加，其中宽禁带半导体材料在大功率半导体器件，紫外探测，紫外通讯方面发挥着重要的作用。氧化镓作为第三代宽禁带半导体材料，由于其超宽带隙、高击穿场强等优点，广泛应用于大功率器件等领域，是目前人们研究的重点对象。其中，氧化镓纳米片材料作为二维材料，通过进行局部掺杂或与其它二维材料进行复合可以用于光电器件元器件的制备。有助于对二维氧化镓材料掺杂的物理机制、内部电子气的物理性质、器件的制备工艺等基础问题进行深入研究。氧化镓纳米片目前的制备方法主要包括金属化学气相沉积、化学气相沉积法等。但是，金属化学气相沉积法制备氧化镓纳米片所需的设备价格昂贵，普通机构很难承担；化学气相法制备的氧化镓纳米片厚度不均匀且缺陷较多，且过程较复杂重复性较差。而管式炉制备氧化镓纳米片，大多以金属镓或氧化镓为镓源，制备过程较复杂，需要通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CVD法生成氧化镓纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上制备金纳米颗粒；将砷化镓粉体及所述衬底相隔置于单开口的耐高温长条形容器内，所述衬底置于靠近所述长条形容器开口的一侧，所述衬底将覆有金纳米颗粒的一侧朝向所述砷化镓粉体的一侧倾斜设置；其中，所述衬底距离所述砷化镓粉体之间的距离为15～17cm；随后将所述长条形容器置于管式炉中，并将所述长条形容器的开口端朝向所述管式炉的出气口，同时将长条形容器位于所述砷化镓粉体放置的部分处置于所述管式炉的中间热源处，在真空条件下，通入氢气和惰性气体的混合气体后，进行加热，当管式炉内位于所述砷化镓粉体处的温度为900～950℃时，保温1.5～2h，即在所述衬底上制得所述氧化镓纳米片。2.根据权利要求1所述的CVD法生成氧化镓纳米片的制备方法，其特征在于，所述长条形容器为石英玻璃管或者瓷舟，其中，所述瓷舟的顶部用瓷片将封住，并在顶部一侧留有开口。3.根据权利要求1所述的CVD法生成氧化镓纳米片的制备方法，其特征在于，所述金纳米颗粒的直径为100～150nm。4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：马淑芳，黄彪，刘松，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：