一种制备SiO2薄膜的方法、芯片及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种制备SiO2薄膜的方法，采用PECVD沉积方式制备SiO2薄膜：采用高频与低频交替方式沉积，其中高频频率13.56MHz；低频频率为50

【技术实现步骤摘要】
一种制备SiO2薄膜的方法、芯片及装置


[0001]本专利技术涉及芯片生产
，尤其涉及一种制备SiO2薄膜的方法、芯片及装置。

技术介绍

[0002]近年来，为了满足人们对信息传递的要求，光通信网络逐步向高速、全光网方向发展。半导体光电探测器作为光通信网络中重要的接收器件，其性能影响整个光通信网络的运转。评价光电探测器的主要指标有：响应度、暗电流、响应波长范围、可靠性等，其可靠性测试包括高低温冲击、高温热、高温老化等。
[0003]芯片作为光电探测器重要部件，其品质决定光电探测器的性能。
[0004]现有的探测器芯片通过PECVD的方式采用硅烷(SiH4)与笑气(N20)为原料并用纯高频(HF)13.56MHz的方式生长SiO2薄膜,该生长工艺SiO2薄膜长时间在高温热的环境下，SiO2薄膜容易吸水气，导致探测器暗电流上升。且纯高频生长的SiO2薄膜，生长的薄膜应力调整的范围小。

技术实现思路

[0005]为解决
技术介绍
中存在的至少一个方面的技术问题，本专利技术提出一种制备 SiO2薄膜的方法、芯片及光电探本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备SiO2薄膜的方法，采用PECVD沉积方式制备SiO2薄膜，其特征在于：采用高频与低频交替方式沉积，其中高频频率13.56MHz；低频频率为50
‑
400KHz；高频功率为20
‑
100W，低频功率为35
‑
100W；沉积的气体压力为900
‑
1600mtorr，沉积的气体为混合气体与笑气，其中混合气体与笑气的流量比例为90
‑
300：600
‑
800；所述混合气体包括硅烷和氮气，所述硅烷的体积占比为5％；沉积温度为250
‑
300℃。2.根据权利要求1所述的制备SiO2薄膜的方法，其特征在于，所述高频与所述低频交替时间为：高频10
‑
14s；低频6
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：万远涛，廖世容，况诗吟，
申请(专利权)人：浙江光特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：