一种半导体结型ZnO薄膜沉积设备制造技术

本发明专利技术属于氧化物薄膜沉积设备技术领域，具体涉及一种半导体结型ZnO薄膜沉积设备，包括底板，底板上端固定连接有竖板，竖板前端上侧固定连接有箱体，箱体下端均有开口，箱体内侧顶部固定连接有喷淋器，喷淋器的进料管贯穿箱体上端，箱体内侧顶部设有气压传感器，底板上端固定连接有电动升降机构，电动升降机构上侧的升降端固定连接有能与箱体内壁密封滑动连接的基座，通过这种动态调节沉积空间大小的方式能够使沉积空间内的气压处于合理压力范围值内，避免气压过大或者过小而影响沉积效果，由于该气压调节方式不会向外部空间排放反应气体，因此不会浪费反应气体，同时也不会对外部环境造成污染。外部环境造成污染。外部环境造成污染。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结型ZnO薄膜沉积设备


[0001]本专利技术属于氧化物薄膜沉积设备
，具体涉及一种半导体结型ZnO薄膜沉积设备。

技术介绍

[0002]目前，现有的ZnO薄膜沉积设备的沉积空间是一定的，由于ZnO薄膜在沉积时需要稳定在一合适的气压范围内，因而在沉积空间内的气压过高时就需要释放部分反应气体来降低气压，然而这种调节气压的方式会将反应气体排放到外部环境中，这样不仅会浪费反应气体，而且还会对外部环境造成污染，针对上述问题，我们提出了一种半导体结型ZnO薄膜沉积设备。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是：旨在提供一种半导体结型ZnO薄膜沉积设备，用于解决
技术介绍
中存在的问题。
[0004]为实现上述技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0005]一种半导体结型ZnO薄膜沉积设备，包括底板，所述底板上端固定连接有竖板，所述竖板前端上侧固定连接有箱体，所述箱体下端均有开口，所述箱体内侧顶部固定连接有喷淋器，所述喷淋器的进料管贯穿箱体上端，所述箱体内侧顶部设有气压传感器，所述底板上端固定连接有电动升降机构，所述电动升降机构上侧的升降端固定连接有能与箱体内壁密封滑动连接的基座，所述底板上端设有控制器，所述喷淋器、气压传感器和电动升降机构均与控制器电性连接。
[0006]所述电动升降机构包括固定连接在底板上端的步进电机，所述步进电机的输出端传动连接有丝杆，所述丝杆外侧螺纹连接有与基座下端固定连接的螺纹筒，所述基座下端固定连接有若干个与底板固定连接的伸缩杆。
>[0007]所述基座包括升降板，所述升降板左右两端均开设有贯穿升降板上端的第一滑槽，两个所述第一滑槽的前后壁均开设有第二滑槽，两个所述第一滑槽内均滑动连接有滑块，两个所述滑块相对一端的前后两侧均设有与第二滑槽相匹配的限位块，两个所述滑块相背一侧的上端均设有第一斜面，所述升降板中部开设有连通两个第一滑槽的圆槽，所述圆槽装配有弹簧，所述升降板上端固定连接有加热板，所述加热板上侧设有矩形架，所述矩形架左右两侧的下部均固定连接有顶块，两个所述顶块相对一侧的下端均设有第二斜面，两个所述第二斜面分别与两个所述第一斜面相抵接，所述加热板左右两侧均开设有与顶块相匹配的限位槽，所述加热板上端开设有与矩形架相匹配的矩形环槽。
[0008]所述加热板侧面开设有密封槽，所述密封槽内装配有密封圈。
[0009]所述矩形架中部设有稳定杆，所述加热板上端开设有与稳定杆相匹配的条形槽。
[0010]所述加热板内部开设有加热腔，所述加热板下端固定连接有两个水管，两个所述水管均与第二加热腔相连通，且两个水管另一端均贯穿升降板下端，所述加热板和矩形架
均采用导热材料制成。
[0011]两个水管分布在加热板的同一个对角线的左右两侧。
[0012]所述箱体顶部设有排气阀，所述排气阀与控制器电性连接。
[0013]所述箱体下端左右两侧均开设有安装槽，两个所述安装槽内均转动连接有与滑块相匹配的转辊，所述转辊的直径与箱体的壁厚相等。
[0014]本专利技术通过这种动态调节沉积空间大小的方式能够使沉积空间内的气压处于合理压力范围值内，避免气压过大或者过小而影响沉积效果，由于该气压调节方式不会向外部空间排放反应气体，因此不会浪费反应气体，同时也不会对外部环境造成污染。
附图说明
[0015]本专利技术可以通过附图给出的非限定性实施例进一步说明。
[0016]图1为本专利技术一种半导体结型ZnO薄膜沉积设备实施例的结构示意图；
[0017]图2为本专利技术箱体的俯视图；
[0018]图3为本专利技术基座的结构示意图；
[0019]图4为本专利技术基座的剖面结构示意图；
[0020]图5为本专利技术升降板的结构示意图；
[0021]图6为本专利技术滑块的结构示意图。
[0022]主要元件符号说明如下：
[0023]底板1、竖板2、箱体21、喷淋器22、进料管221、气压传感器23、基座24、控制器25、步进电机3、丝杆31、螺纹筒32、伸缩杆33、升降板34、第一滑槽35、第二滑槽36、滑块37、限位块38、第一斜面39、圆槽4、弹簧41、加热板42、矩形架43、顶块44、第二斜面45、限位槽46、矩形环槽47、密封圈471、稳定杆48、条形槽49、加热腔51、水管54、排气阀55、转辊56。
具体实施方式
[0024]为了使本领域的技术人员可以更好地理解本专利技术，下面结合附图和实施例对本专利技术技术方案进一步说明。
[0025]如图1
‑
6所示，本专利技术的一种半导体结型ZnO薄膜沉积设备，包括底板1，底板1上端固定连接有竖板2，竖板2前端上侧固定连接有箱体21，箱体21下端均有开口，箱体21内侧顶部固定连接有喷淋器22，喷淋器22的进料管221贯穿箱体21上端，箱体21内侧顶部设有气压传感器23，底板1上端固定连接有电动升降机构，电动升降机构上侧的升降端固定连接有能与箱体21内壁密封滑动连接的基座24，底板1上端设有控制器25，喷淋器22、气压传感器23和电动升降机构均与控制器25电性连接。
[0026]使用时，先将喷淋器22的进料管221与反应气体的发生源连通，使反应气体能够经过进料管221进入到喷淋器22内，然后通过控制器25控制电动升降机构带动基座24向下运动，使基座24从箱体21内退出，然后将基板放置在基座24上端，此时在通过控制器25控制电动升降机构带动基座24向上运动，使基座24带动基板进入到箱体21内侧中部，基座24进入箱体21内后能够与箱体21内壁密封滑动连接在一起，从而将箱体21下侧的开口密封,此时箱体21内部就能形成一个相对密闭的沉积空间，此时再通过控制器25控制喷淋器22打开，使喷淋器22将反应气体均匀的喷淋在沉积空间内，进入沉积空间内的反应气体就会逐渐沉
积在基板上，在沉积过程中，气压传感器23会实时监测沉积空间内的压力，控制器25内置有合理压力范围值；
[0027]当沉积空间内的压力值大于合理压力范围值时，控制器25将会控制电动升降机构带动基座24向下运动，使沉积空间的体积增大，体积增大后相应的气压就会减小，这样便能降低沉积空间内的气压，待沉积空间内的压力值回到合理压力范围值后，控制器25则会控制电动升降机构停止工作；
[0028]当沉积空间内的压力值小于合理压力范围值时，控制器25将会控制电动升降机构带动基座24向上运动，使沉积空间的体积减小，体积减小后相应的气压就会增大，这样便能升高沉积空间内的气压值，待沉积空间内的压力值回到合理压力范围值后，控制器25则会控制电动升降机构停止工作；
[0029]待基板上表面沉积一层ZnO透明导电薄膜后，通过控制器25控制喷淋器22先关闭，然后待沉积空间内的反应气体沉积完后，控制电动升降机构向下运动到最低处，使基座24脱离箱体21，此时使用者便可将沉积好ZnO透明导电薄膜的基板取下；
[0030]通过这种动态调节沉积空间大小的方式能够使沉积空间内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结型ZnO薄膜沉积设备，其特征在于：包括底板，所述底板上端固定连接有竖板，所述竖板前端上侧固定连接有箱体，所述箱体下端均有开口，所述箱体内侧顶部固定连接有喷淋器，所述喷淋器的进料管贯穿箱体上端，所述箱体内侧顶部设有气压传感器，所述底板上端固定连接有电动升降机构，所述电动升降机构上侧的升降端固定连接有能与箱体内壁密封滑动连接的基座，所述底板上端设有控制器，所述喷淋器、气压传感器和电动升降机构均与控制器电性连接。2.根据权利要求1所述的一种半导体结型ZnO薄膜沉积设备，其特征在于：所述电动升降机构包括固定连接在底板上端的步进电机，所述步进电机的输出端传动连接有丝杆，所述丝杆外侧螺纹连接有与基座下端固定连接的螺纹筒，所述基座下端固定连接有若干个与底板固定连接的伸缩杆。3.根据权利要求1所述的一种半导体结型ZnO薄膜沉积设备，其特征在于：所述基座包括升降板，所述升降板左右两端均开设有贯穿升降板上端的第一滑槽，两个所述第一滑槽的前后壁均开设有第二滑槽，两个所述第一滑槽内均滑动连接有滑块，两个所述滑块相对一端的前后两侧均设有与第二滑槽相匹配的限位块，两个所述滑块相背一侧的上端均设有第一斜面，所述升降板中部开设有连通两个第一滑槽的圆槽，所述圆槽装配有弹簧，所述升降板上端固定连接有加热板，所述加热板上侧设有矩形架，所述矩形架左右两...

【专利技术属性】
技术研发人员：季旭，林丽君，赵栋，
申请(专利权)人：仲恺农业工程学院，
类型：发明
国别省市：