一种二氧化锡纳米颗粒的冷等离子体气相制备方法技术

本发明专利技术公开了一种二氧化锡纳米颗粒的冷等离子体气相制备方法，涉及新材料领域。本发明专利技术提供了一种二氧化锡纳米颗粒的冷等离子体气相制备方法，其特征在于具体制备方法如下：向等离子体腔中依次通入惰性气体、氧气、含锡化合物的，得到所述二氧化锡纳米颗粒；其中，含锡化合物通过载气引入等离子反应腔体；混合气体使用射频源激发。本发明专利技术制备得到的SnO2纳米颗粒结晶性从非晶态到晶态可调，尺寸更小，可到5nm以下，尺寸分布更均匀，尺寸的标准偏差小于其平均尺寸的20％。于其平均尺寸的20％。

【技术实现步骤摘要】
纳米颗粒向腔体内壁的扩散，获得高的产率。在冷等离子体内部，纳米颗粒表面电子
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离子复合以及表面化学反应会释放大量的热量，这些大量密集的能量使得纳米颗粒的温度急剧上升，促使纳米颗粒结晶。通过调控射频源功率，可以控制等离子体内部的化学反应过程和能量释放，进而调控得到的SnO2纳米颗粒的晶型。
[0008]优选地，所述的惰性气体为在射频源的激发下能产生等离子体，而且不与SnO2纳米颗粒发生反应的气体，所述含锡化合物为50℃以下为气态的含锡化合物；进一步优选地，所述惰性气体为氦气、氩气中的至少一种；含锡化合物为四氯化锡，载气为氩气。由于四氯化锡在室温下具有较高的蒸汽压，成本较低，所述的含锡反应源优选为四氯化锡。
[0009]优选地，所述含锡化合物通过载气连续通入等离子体腔中进行反应；以体积流量计，所述载气的体积流量为10
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500sccm所述含锡化合物通过载气连续通入等离子体腔中进行反应；以体积流量计，所述载气的体积流量为10
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500sccm，所述氧气的体积流量为10
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100sccm，所述惰性气体的体积本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二氧化锡纳米颗粒的冷等离子体气相制备方法，其特征在于，具体制备方法如下：向等离子体腔中依次通入惰性气体、氧气、含锡化合物，得到所述二氧化锡纳米颗粒；其中，含锡化合物通过载气引入等离子反应腔体；混合气体使用射频源激发。2.如权利要求1所述的二氧化锡纳米颗粒的冷等离子体气相制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氦气、氩气中的至少一种；含锡化合物为四氯化锡，载气为氩气。3.如权利要求1所述的二氧化锡纳米颗粒的冷等离子体气相制备方法，其特征在于，所述含锡化合物通过载气连续通入等离子体腔中进行反应；以体积流量计，所述载气的体积流量为10
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500sccm，所述氧气的体积流量为10
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100sccm，所述惰性气体的体积流量为100
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1000sccm。4.如权利要求1所述的二氧化锡纳米颗粒的冷等离子体气相制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周述，韩旭，高平奇，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：