管式炉制造技术

本实用新型专利技术提供一种管式炉，其包括：炉管工艺腔；成膜气体装置，与所述炉管工艺腔连通，用于向所述炉管工艺腔中提供成膜反应气体。等离子体装置，与所述炉管工艺腔连通，用于向所述炉管工艺腔中提供等离子体。本实用新型专利技术的优点在于，管式炉能够进行成膜反应及等离子体掺杂反应，避免了半导体结构的转移，节省了等待时间，大大提高生产效率。大大提高生产效率。大大提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
管式炉


[0001]本技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种管式炉。

技术介绍

[0002]随着超大规模集成电路的迅速发展，半导体芯片的集成度越来越高。在半导体元件的制造过程中，需要采用多道纷繁复杂的工序来形成所需要的半导体结构。金属氧化物半导体晶体管(MOSFET，Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor)是集成电路中一种重要的基本元器件，其主要由半导体衬底、栅介质层、多晶硅栅极、栅极侧壁层和源/漏掺杂区组成。对于某些膜层，通常需要进行掺杂，以提高其性能。
[0003]举例说明，栅介质层通常采用由SiO2材料组成栅氧化层，栅氧化层通常是对硅衬底进行氧化形成。随着半导体集成电路制造技术的不断发生，器件的特征尺寸不断等比例缩小，对于MOSFET来说，栅氧化层的厚度也会不断减小，栅氧化层的厚度减少能增加栅极电容，从而有利于提升MOSFET的驱动电流，从而提升器件的性能。
[0004]但是，当半导体技术的工艺节点到达9本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种管式炉，其特征在于，包括：炉管工艺腔；成膜气体装置，与所述炉管工艺腔连通，用于向所述炉管工艺腔中提供成膜反应气体；等离子体装置，与所述炉管工艺腔连通，用于向所述炉管工艺腔中提供等离子体。2.根据权利要求1所述的管式炉，其特征在于，等离子体装置包括：等离子体产生单元，用于产生等离子体；若干个等离子体输送管道，连接所述等离子体产生单元及所述炉管工艺腔，用于将等离子体输送至所述炉管工艺腔中。3.根据权利要求2所述的管式炉，其特征在于，所述等离子体产生单元包括：能量源，用于提供偏压；气体源，用于提供原始气体；极板，与所述能量源电连接，用于在所述偏压下将所述原始气体电离为等离子体。4.根据权利要求3所述的管式炉，其特征在于，所述能量源为射频能量单元，所述射频能量单元包括：射频...

【专利技术属性】
技术研发人员：李劲昊，侯潇，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：