温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种制备SiO2薄膜的方法，采用PECVD沉积方式制备SiO2薄膜：采用高频与低频交替方式沉积，其中高频频率13.56MHz；低频频率为50
...
该专利属于浙江光特科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江光特科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。