一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计制造技术

本发明专利技术公开了一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计，它包括以下步骤：步骤1：将乙酰丙酮镓在常温下溶于去离子水中，加入Ga金属离子配置成前驱体溶液，并将将配置好的前驱体溶液与盐酸溶液均匀混合；步骤2：将蓝宝石衬底依次在在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗10min后然后用氮气吹干，再将蓝宝石衬底放入Mist CVD装置中进行薄膜生长。有益效果在于：本发明专利技术制备过程简单，所用衬底为商业产品，来源广，同时在制备过程中，采用商业化的制备方法Mist CVD生长大尺寸β

【技术实现步骤摘要】
一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计


[0001]本专利技术涉及到氧化镓薄膜制备
，尤其涉及一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计。

技术介绍

[0002]Ga2O3是一种透明的直接带隙半导体材料，其禁带宽度约为4.9eV，并且具有较低的导通电阻、较高的介电常数及良好的热稳定性等优秀的材料特性。由于其超宽的禁带宽度，使其在深紫外光电器件和高压大功率器件领域具有显著的优势和巨大的发展潜力。近年来，有许多学者利用不同的外延生长方法制备出了高质量的Ga2O3薄膜材料，例如分子束外延法(MBE)、金属有机物气相化学淀积法(MOCVD)、激光脉冲沉积法(PLD)、原子层淀积法(ALD)、磁控溅射法以及雾化学气相沉积法(Mist CVD)等。Mist CVD技术是一种基于普通化学沉积技术发展而来的新型薄膜外延技术，Mist CVD法具有安全性高，薄膜的生长环境不需要抽真空，前驱物选择灵活等特点，所以在材料外延方向上具有很大的发展潜力。
[0003]目前现有外延设备普遍价格昂贵，工艺复杂，例如MBE设备价格高，生长工艺复杂，且生长速度慢，也没本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计，其特征在于：它包括以下步骤：步骤1：将乙酰丙酮镓在常温下溶于去离子水中，加入Ga金属离子配置成前驱体溶液，并将将配置好的前驱体溶液与盐酸溶液均匀混合；步骤2：将蓝宝石衬底依次在在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗10min后然后用氮气吹干，再将蓝宝石衬底放入Mist CVD装置中进行薄膜生长；步骤3：将生长好的薄膜进行相应温度的原位退火，便可制得氧化镓薄膜。2.根据权利要求1所述的一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计，其特征在于：所述步骤1中前驱体溶液与盐酸溶液的体积比为100:1。3.根据权利要求1所述的一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计，其特征在于：所述步骤2中蓝宝石衬底在Mist CVD装置加工时工艺参数为：常压，载流气体流量为0.5L/min，稀释气体力量为1L/min，衬底温度为500℃
‑
750℃，生长时间120和60min。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：李培刚，季学强，李龙，陈梅艳，严旭，
申请(专利权)人：北京镓创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：