降温法生长氧化镓晶体的装置及其方法制造方法及图纸

本申请公开一种降温法生长氧化镓晶体的装置及其方法，包括：坩埚加热单元，置于所述坩埚四周；升降单元，用于支撑所述坩埚；风冷单元，位于所述坩埚下方，用于调节所述坩埚下部的温度；其中，所述坩埚在所述升降单元的作用下能够进入或移出所述加热单元内，且所述坩埚的温度梯度能够通过调节所述风冷单元风的流量和所述加热单元的功率而调节。本申请的装置及温降法生长晶体，无需依赖导模法所需的水冷系统，从而减少了对复杂设备和高温环境的依赖。这不仅降低了能源消耗，还减少了设备维护的费用。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及晶体生长，具体涉及一种降温法生长氧化镓晶体的装置及其方法。

技术介绍

1、半导体材料是半导体产业的基石，是推动现代信息技术发展的重要引擎。氧化镓(β-ga2o3)作为新一代的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大(4.9ev)、透过范围大(260nm-2500nm)、击穿电场强度高(8mv/cm)、baliga品质因子大及物理化学性质稳定等优点，是制备短波长光电器件、高效率功率电子器件和高精度传感器的优选材料。在耐压能力相同的情况下，ga2o3基功率电子器件的导通电阻理论上可降至sic基器件的1/10。除了材料的优异特性，制备成本低是ga2o3半导体材料的另一个优势，采用类似蓝宝石单晶制备的成熟晶体生长方法，可实现低成本、高质量单晶材料的规模制备。对比只能采用气相法(生长速度约为0.1mm/h)规模生产的sic和gan晶体来说，氧化镓晶体可以通过熔体法(生长速度约为1-10mm/h)来制备，从而可有效降低材料的制备成本。采用ga2o3有望以更低的成本研制出同样性能，甚至性能更好的高耐压、低损耗半导体功率电子器件。因此，氧化镓晶体的生长具有非常明显的产本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种降温法生长氧化镓晶体的装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述坩埚与所述加热单元之间还包括保温材料。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述保温材料包括两种或两种以上的导热系数不同的材料；

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述保温材料由下至上依次包括：高导热坩埚底托、低导热坩埚套筒、低导热坩埚盖。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述低导热坩埚套筒和所述低导热坩埚盖的材料为氧化铝纤维；所述高导热坩埚底托的材料为氧化铝空气球材料。

6.根据权利要求1所述的装置，其...

【技术特征摘要】

1.一种降温法生长氧化镓晶体的装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述坩埚与所述加热单元之间还包括保温材料。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述保温材料包括两种或两种以上的导热系数不同的材料；

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述保温材料由下至上依次包括：高导热坩埚底托、低导热坩埚套筒、低导热坩埚盖。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述低导热坩埚套筒和所述低导热坩埚盖的材料为氧化铝纤维；所述高导热坩埚底托的材料为氧化铝空气球材料。

6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李龙，宫学源，王跃宇，董德彪，李培刚，
申请(专利权)人：北京镓创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：