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本申请公开一种降温法生长氧化镓晶体的装置及其方法，包括：坩埚加热单元，置于所述坩埚四周；升降单元，用于支撑所述坩埚；风冷单元，位于所述坩埚下方，用于调节所述坩埚下部的温度；其中，所述坩埚在所述升降单元的作用下能够进入或移出所述加热单元内，且...
该专利属于北京镓创科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京镓创科技有限公司授权不得商用。

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