半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。对在表面形成有图案的衬底上形成的膜的面内膜厚分布进行控制。通过将下述(a)和(b)非同时地执行规定次数从而在衬底上形成包含规定元素的氧化膜：(a)针对在表面形成有图案的衬底，通过从衬底的外周向衬底的面内供给包含规定元素的原料气体，从而在表面形成包含规定元素的第1层的工序；(b)针对衬底，通过从衬底的外周向衬底的面内供给氧化气体，从而将第1层氧化，在表面形成包含规定元素的氧化层的工序，在(b)中，选择向衬底供给氧化气体的供给时间，以使氧化膜在衬底面内的厚度分布成为规定分布。衬底面内的厚度分布成为规定分布。衬底面内的厚度分布成为规定分布。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质


[0001]本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。

技术介绍

[0002]有时将分散装填有在表面上形成有图案的衬底的衬底支承件收容至处理室，在该衬底的表面形成规定的膜(例如参见专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2017/168675号小册子。

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]在表面形成有图案的衬底的表面上形成规定的膜时，在表面形成图案而使得表面积变大，由此存在使衬底的面内膜厚均匀性变差的情况。
[0008]本专利技术的目的在于，对在表面形成有图案的衬底上所形成的膜的面内膜厚分布进行控制。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]根据本专利技术的一方式，提供如下技术，其中，通过将下述(a)和(b)非同时地执行规定次数从而在衬底上形成包含规定元素的氧化膜：(a)针对在表面形成有图案的衬底，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半导体器件的制造方法，其中，通过将下述(a)和(b)非同时地执行规定次数从而在衬底上形成包含规定元素的氧化膜：(a)针对在表面形成有图案的所述衬底，通过从所述衬底的外周向所述衬底的面内供给包含所述规定元素的原料气体，从而在所述表面形成包含所述规定元素的第1层的工序；(b)针对所述衬底，通过从所述衬底的外周向所述衬底的面内供给氧化气体，从而将所述第1层氧化，在所述表面形成包含所述规定元素的氧化层的工序，在(b)中，选择向所述衬底供给所述氧化气体的供给时间，以使所述氧化膜在所述衬底面内的厚度分布成为规定分布。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述衬底由以规定间隔呈多层地排列的多个衬底构成，基于所述规定间隔，以使所述氧化膜在所述衬底面内的厚度分布成为规定分布的方式选择所述氧化气体的供给时间。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，基于所述衬底的上表面的表面积，以使所述氧化膜在所述衬底面内的厚度分布成为规定分布的方式选择所述氧化气体的供给时间。4.衬底处理装置，其具有：处理室；原料气体供给系统，其针对所述处理室内的在表面形成有图案的衬底，从所述衬底的外周向所述衬底的面内供给包含规定元素的原料气体；氧化气体供给系统，其针对所述处理室内的所述衬底，从所述衬底的外周向所述衬底的面内供给氧化气体；和控制部，其构成为能够对所述原料气体供给系统和所述氧化气体供给系统进行控制以针对所述处理室内的所述衬底进行下述处理，即，通过将下述(a)和(b)非同时地执行规定次数从而在所述衬底上形成包含所述规定元素的氧化膜：(a)供给所述原料气体，在所述衬底的表面形成包含所述规定元素的第1层的处理；(b)供给所述氧化气体，将所述第1层氧化，并在所述衬底的表面形成包含所述规定元素的氧化层的处理，在(b)中，选择向所述衬底供给所述氧化气体的供给时间，以使所述氧化膜在所述衬底面内的厚度分布成为规定分布。5.计算机可读取的记录介质，其记录有下述程序，所述程序通过计算机使衬底处理装置针对所述衬底处理装置的处理室内的在表面形成有图案的衬底执行下述步骤，即，通过将下述(a)和(b)非同时地执行规定次数从而在所述衬底上形成包含规定元素的氧化膜：(a)从所述衬底的外周向所述衬底的面内供给包含规定元素的原料气体，从而在所述衬底的表面形成包含所述规定元素的第1层的步骤；(b)从所述衬底的外周向所述衬底的面内供给氧化气体，从而将所述第1层氧化，在所述表面形成包含所述规定元素的氧化层的步骤；在(b)中，选择向所述衬底供给所述氧化气体的供给时间，以使所述氧化膜在所述衬底面内的厚度分布成为规定分布的步骤。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述(b)中，通过以所述氧化气体的供给时间变长的方式进行选择，从而将所述氧化膜在所述衬底面内的厚度分布从凸形状向成为凹形状的方向进行调节。7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，以与所述氧化膜在所述衬底面内的厚度分布变为凸形状的所述氧化气体的供给时间相比变长的方式，选择所述供给时间。8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述供给时间的长度被选择为使得所述氧化膜在所述衬底面内的厚度分布变均匀。9...

【专利技术属性】
技术研发人员：野野村一树，寿崎健一，永富佳将，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：