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本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。对在表面形成有图案的衬底上形成的膜的面内膜厚分布进行控制。通过将下述(a)和(b)非同时地执行规定次数从而在衬底上形成包含规定元素的氧化膜：(a)针对在表面形成有图案的衬...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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