一种太阳能电池片扩散工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池片扩散工艺,其特征在于，包括步骤：将硅片进行清洗、制绒处理，再放入扩散炉；将扩散炉温度加热至设定的第一温度，稳定后通入氧气，进行第一次氧化反应；温度加热至设定的第二温度，稳定后通入氧气、三氯氧磷，进行第一次扩散反应；温度加热至设定的第三温度，稳定后进行第二次扩散反应；温度加热至设定的第四温度，稳定后进行第二次氧化反应；温度进行冷却至第五温度，稳定后通入氧气、三氯氧磷，保持设定的第五时间；停止通入三氯氧磷，继续通入氧气，将扩散炉降温退火，退火后取出硅片即可。本发明专利技术在扩散工艺中，杂质P的扩散深度较浅，使硅表面形成重掺杂N+区域，增大电池片短路电流，提高电池转换效率。

A Diffusion Process for Solar Cell Sheets

The invention discloses a diffusion process for solar cell sheets, which is characterized by steps: cleaning and wool-making of silicon sheets, then putting them into the diffusion furnace; heating the diffusion furnace temperature to the set first temperature, stabilizing and then entering oxygen for the first oxidation reaction; heating the temperature to the set second temperature, stabilizing and then entering oxygen and phosphorus oxychloride for the first expansion. Bulk reaction; The temperature is heated to the set third temperature and then the second diffusion reaction is carried out after stabilization; The temperature is heated to the set fourth temperature and then the second oxidation reaction is carried out after stabilization; The temperature is cooled to the fifth temperature, then oxygen and phosphorus oxychloride are introduced into the diffusion furnace to keep the set fifth time after stabilization; The phosphorus oxychloride is stopped and oxygen is continuously introduced into the diffusion furnace to cool down and annealed. The silicon wafer can be removed after annealing. In the diffusion process, the diffusion depth of impurity P is relatively shallow, so that heavily doped N + region is formed on the silicon surface, short circuit current of the battery sheet is increased, and conversion efficiency of the battery is improved.

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池片扩散工艺
本专利技术属于太阳能电池片领域，尤其涉及一种太阳能电池片扩散工艺。
技术介绍
太阳能电池是一种可以将光能直接转换为电能的器件，由于其应用具有清洁、环保、无污染的优点，因此备受关注，正逐步成为有希望取代传统能源的最佳新能源。在众多种类的太阳能电池中，多晶硅太阳能电池价格较低且转换效率较高，在光伏市场中占据了绝对的主导地位。随着光伏行业竞争加剧，各太阳能电池生产厂家都在想尽办法提升电池的转换效率。其中，提升方块电阻是其中一个重要方向，这是由于高方阻可获得较低的表面杂质浓度，有效地降低表面的杂质复合中心浓度，提高表面少子的存活率，增强少子对短波的响应，如此便能有效地增加电池的短路电流Isc和开路电压Voc，从而达到提高电池效率的目的。但是，单纯提升方块电阻也是不可取的，因为方阻升高会导致串联升高，填充因子下降，反而使电池转换效率下降。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种太阳能电池片扩散工艺，本专利技术在扩散工艺中，杂质P的扩散深度较浅，使硅表面形成重掺杂的N+区域，与电极形成好的欧姆接触，增大电池片的短路电流，提高电池转换效率。为解决上述技术问题，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池片扩散工艺，其特征在于，包括如下步骤：（1）将硅片进行清洗、制绒处理；（2）将硅片放入扩散炉；（3）将扩散炉温度加热至设定的第一温度，待加热的温度值稳定在第一温度的范围值后通入氧气，并保持设定的第一时间，对硅片表面进行第一次氧化反应；（4）将扩散炉温度加热至设定的第二温度，待加热的温度值稳定在第二温度的范围值后通入氧气、三氯氧磷，并保持设定的第二时间，在硅片表面进行第一次扩散反应；（5）将扩散炉温度加热至设定的第三温度，待加热的温度值稳定在第三温度的范围值后保持设定的第三时间，在硅片表面进行第二次扩散反应；（6）将扩散炉温度加热至设定的第四温度，待加热的温度值稳定在第四温度的...

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片扩散工艺，其特征在于，包括如下步骤：（1）将硅片进行清洗、制绒处理；（2）将硅片放入扩散炉；（3）将扩散炉温度加热至设定的第一温度，待加热的温度值稳定在第一温度的范围值后通入氧气，并保持设定的第一时间，对硅片表面进行第一次氧化反应；（4）将扩散炉温度加热至设定的第二温度，待加热的温度值稳定在第二温度的范围值后通入氧气、三氯氧磷，并保持设定的第二时间，在硅片表面进行第一次扩散反应；（5）将扩散炉温度加热至设定的第三温度，待加热的温度值稳定在第三温度的范围值后保持设定的第三时间，在硅片表面进行第二次扩散反应；（6）将扩散炉温度加热至设定的第四温度，待加热的温度值稳定在第四温度的范围值后保持设定的第四时间，在硅片表面进行第二次氧化反应；（7）将扩散炉温度进行冷却至第五温度，待冷却的温度值稳定在第五温度的范围值后通入氧气、三氯氧磷，并保持设定的第五时间；（8）停止通入三氯氧磷，继续通入氧气，然后将扩散炉降温退火，退火后取出硅片即可。2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片扩散工艺，其特征在于：所述的步骤（3）中的第一温度到800℃-820℃，第一时间为13min-15min，氧气通入流量为100-500sccm。3.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片...

【专利技术属性】
技术研发人员：李涛，
申请(专利权)人：苏州惠捷迦装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32