沉积IV族半导体的方法及相关的半导体器件结构技术

公开了一种在衬底的表面上沉积IV族半导体的方法。所述方法可包括：在反应室内提供衬底并加热衬底至沉积温度。所述方法可还包括：暴露衬底于至少一种IV族前体和暴露衬底于至少一种IIIA族掺杂剂前体；其中所述至少一种IIIA族掺杂剂前体包含硼氢化物、有机硼氢化物、卤化物或有机卤化物。还提供了包含通过本公开的方法沉积的IV族半导体的半导体器件结构。

【技术实现步骤摘要】
沉积IV族半导体的方法及相关的半导体器件结构相关专利申请的交叉引用本公开要求2017年7月19日提交并且标题为“沉积IV族半导体的方法及相关的半导体器件结构(AMETHODFORDEPOSITINGAGROUPIVSEMICONDUCTORANDRELATEDSEMICONDUCTORDEVICESTRUCTURES)”的美国临时专利申请第62/534,618号的权益，该临时专利申请以引用方式并入本文。
本公开一般涉及沉积IV族半导体的方法及相关的半导体器件结构。本公开还一般涉及掺杂IV族半导体的方法及可用于IV族半导体的p-型掺杂的掺杂前体。
技术介绍
半导体器件结构如互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的微缩化已带来集成电路速度和密度的显著改善。然而，常规的器件微缩化面临着未来技术节点的巨大挑战。一种改善半导体器件性能的方法是利用应变诱导效应提高载流子迁移率，并因此提高晶体管驱动电流。例如，已经表明，在采用应力源区如晶体管结构的源极和漏极区中采用的应力源区的p-沟道硅(Si)晶体管中，空穴迁移率可大大提高。与半导体器件结构的有源区的接触电阻可能是未来技术节点下不断进行的器件改进的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在衬底的表面上沉积IV族半导体的方法，所述方法包括：在反应室内提供衬底；加热所述衬底至沉积温度；暴露所述衬底于至少一种IV族前体；和暴露所述衬底于至少一种IIIA族掺杂剂前体，其中所述至少一种IIIA族掺杂剂前体包含：硼氢化物、有机硼氢化物、卤化物或有机卤化物中的至少之一。

【技术特征摘要】
2017.07.19 US 62/534,6181.一种在衬底的表面上沉积IV族半导体的方法，所述方法包括：在反应室内提供衬底；加热所述衬底至沉积温度；暴露所述衬底于至少一种IV族前体；和暴露所述衬底于至少一种IIIA族掺杂剂前体，其中所述至少一种IIIA族掺杂剂前体包含：硼氢化物、有机硼氢化物、卤化物或有机卤化物中的至少之一。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种IIIA族掺杂剂前体包含选自以下的硼氢化物：硼氢化镓(Ga(BH4)3)、硼氢化铝(Al(BH4)3)或硼氢化铟(In(BH4)3)。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种IIIA族掺杂剂前体包含具有通式YxM(BH4)3-x的硼氢化物，其中Y独立地选自氢、氘、氯、溴和碘；M为IIIA族金属，独立地选自镓、铝和铟；x为0-2的整数。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种IIIA族掺杂剂前体包含具有式RxM(BH4)3-x的有机硼氢化物，其中R独立地选自CH3、C2H5、C6H5、CF3SO3和NH2；M为IIIA族金属，独立地选自镓、铝和铟；x为1-3的整数。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述IIIA族掺杂剂前体包含具有通式ZxMY3-x的卤化物，其中Z独立地选自氢、氘、氯、溴和碘；M为IIIA族金属，独立地选自镓、铝和铟；Y为卤化物，独立地选自氯、溴和碘；x为0-3的整数。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述IIIA族掺杂剂前体包含具有通式(ZxMY3-x)2的卤化物，其中Z独立地选自氢、氘、氯、溴和碘；M为IIIA族金属，独立地选自镓、铝和铟；Y为卤化物，独立地选自氯、溴和碘；x为0-3的整数。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述IIIA族掺杂剂前体包含具有通式RxMY3-x的有机卤化物，其中R独立地选自CH3、C2H5、C6H5、CF3SO3和NH2；M为IIIA族金属，独立地选自镓、铝和铟；Y为卤化物，独立地选自氯、溴和碘；x为0-3的整数。8.根据权利要求1所述的方法，其中加热所述衬底至沉积温度还包括加热所述衬底至大约280℃和大约700℃之间的温度。9.根据权利要求1所述的方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·托尔，J·玛格蒂斯，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL