显示器件制造方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示器件制造方法及装置。所述方法包括以下步骤：步骤A、形成显示器件，其中，所述显示器件设置有半导体构件和绝缘层，所述绝缘层包覆所述半导体构件的至少一部分；步骤B、将所述显示器件放置于密封腔室内；步骤C、向所述密封腔室输入氢气，以使所述氢气中的氢原子扩散至所述绝缘层中；步骤D、将所述密封腔室内的所述氢气和/或所述显示器件加热至预定温度，以使所述绝缘层中的所述氢原子扩散至所述半导体构件中。本发明专利技术能提高其中的半导体构件的电性表现。

【技术实现步骤摘要】
显示器件制造方法及装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种显示器件制造方法及装置。
技术介绍
传统的显示器件一般包括栅极、绝缘层、半导体构件等部件，该半导体构件的电性表现是显示器件的显示质量的重要决定因素。影响半导体构件的电性表现的因素有多种，氢含量是其中的一种。在实践中，专利技术人发现：传统的显示器件中的半导体构件中的氢含量较少，因此，传统的显示器件中的半导体构件的电性表现较低。故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示器件制造方法及装置，其能提高其中的半导体构件的电性表现。为解决上述问题，本专利技术的技术方案如下：一种显示器件制造方法，所述方法包括以下步骤：步骤A、形成显示器件，其中，所述显示器件设置有半导体构件和绝缘层，所述绝缘层包覆所述半导体构件的至少一部分；步骤B、将所述显示器件放置于密封腔室内；步骤C、向所述密封腔室输入氢气，以使所述氢气中的氢原子扩散至所述绝缘层中；步骤D、将所述密封腔室内的所述氢气和/或所述显示器件加热至预定温度，以使所述绝缘层中的所述氢原子扩散至所述半导体构件中。在上述显示器件制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示器件制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤A、形成显示器件，其中，所述显示器件设置有半导体构件和绝缘层，所述绝缘层包覆所述半导体构件的至少一部分；步骤B、将所述显示器件放置于密封腔室内；步骤C、向所述密封腔室输入氢气，以使所述氢气中的氢原子扩散至所述绝缘层中；步骤D、将所述密封腔室内的所述氢气和/或所述显示器件加热至预定温度，以使所述绝缘层中的所述氢原子扩散至所述半导体构件中。

【技术特征摘要】
1.一种显示器件制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤A、形成显示器件，其中，所述显示器件设置有半导体构件和绝缘层，所述绝缘层包覆所述半导体构件的至少一部分；步骤B、将所述显示器件放置于密封腔室内；步骤C、向所述密封腔室输入氢气，以使所述氢气中的氢原子扩散至所述绝缘层中；步骤D、将所述密封腔室内的所述氢气和/或所述显示器件加热至预定温度，以使所述绝缘层中的所述氢原子扩散至所述半导体构件中。2.根据权利要求1所述的显示器件制造方法，其特征在于，所述预定温度处于300摄氏度至450摄氏度的范围内。3.根据权利要求2所述的显示器件制造方法，其特征在于，所述预定温度处于330摄氏度至400摄氏度的范围内。4.根据权利要求1所述的显示器件制造方法，其特征在于，在所述步骤C之前，所述方法还包括以下步骤：步骤E、对所述密封腔室进行抽真空处理。5.根据权利要求1所述的显示器件制造方法，其特征在于，所述半导体构件所对应的半导体材料为多晶硅或非晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕明仁，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42