【技术实现步骤摘要】
低压扩散炉低压扩散工艺
本专利技术属于硅片制备
，具体涉及一种低压扩散炉低压扩散工艺。
技术介绍
在制备硅晶片时，原料硅片需经历上料、水洗、下料、甩干等一系列工序。值得注意的是，为确保硅晶片制备精度和制备质量，原料硅片从上料开始，需严格根据各工序的工艺参数等相关规定执行。然而，在生产实践中发现，现有的常压扩散工艺存在缺陷，例如存在废片比例较高、光电转换效率待改善等。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的状况，克服上述缺陷，提供一种低压扩散炉低压扩散工艺。本专利技术采用以下技术方案，所述低压扩散炉低压扩散工艺包括以下步骤：步骤S1：将已制绒的待处理硅片匀速推入低压扩散炉，在持续通入大氮的同时将低压扩散炉内的第一至第五温度区域升温至第一预定温度；步骤S2：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空；步骤S3：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入大氮；步骤S4：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空；步骤S5：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入氧气和大氮；步骤S6：维持第一至第五温度区域在...
【技术保护点】
1.一种低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：将已制绒的待处理硅片匀速推入低压扩散炉，在持续通入大氮的同时将低压扩散炉内的第一至第五温度区域升温至第一预定温度；步骤S2：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空；步骤S3：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入大氮；步骤S4：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空；步骤S5：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入氧气和大氮；步骤S6：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入氧气、大氮和小氮；步骤S7：将低压扩散炉的第一至...
【技术特征摘要】
1.一种低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：将已制绒的待处理硅片匀速推入低压扩散炉，在持续通入大氮的同时将低压扩散炉内的第一至第五温度区域升温至第一预定温度；步骤S2：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空；步骤S3：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入大氮；步骤S4：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空；步骤S5：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入氧气和大氮；步骤S6：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入氧气、大氮和小氮；步骤S7：将低压扩散炉的第一至第五温度区域升温至第二预定温度的同时持续通入氧气、大氮和小氮；步骤S8：维持第一至第五温度区域在第二预定温度的同时持续通入大氮；步骤S9：将低压扩散炉的第一至第五温度区域降温至第三预定温度的同时持续通入氧气和大氮；步骤S10：将低压扩散炉的第一至第五温度区域升温至第四预定温度的同时持续通入大氮；步骤S11：将低压扩散炉的第一至第五温度区域降温至第三预定温度的同时持续通入大氮，同时将待处理硅片匀速推出低压扩散炉。2.根据权利要求1所述的低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于：上述第一预定温度为：第一至第五温度区域依次是815℃、800℃、800℃、800℃、800℃；上述第二预定温度为：第一至第五温度区域依次是915℃、868℃、908℃、908℃、849℃；上述第三预定温度为：第一至第五温度区域依次是790℃、790℃、790℃、790℃、790℃；上述第四预定温度为：第一至第五温度区域依次是800℃、800℃、800℃、800℃、800℃。3.根据权利要求1或者2中任一权利要求所述的低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于：步骤S1中，持续通入大氮的流量为5000sscm；步骤S3中，持续通入大氮的流量为2000sscm；步骤S5中，持续通入氧气的流量为500sscm，持续通入大氮的流量为1400sscm；步骤S6中，持续通入氧气的流量为300sscm，持续通入大氮的流量为1400sscm，持续通入小氮的流量为120sscm；步骤S7中，持续通入氧气的流量为300sscm，持续通入大氮的流量为1400sscm，持续通入小氮的流量为120sscm；步骤S8中，持续通入大氮的流量为1...
【专利技术属性】
技术研发人员：张育，
申请(专利权)人：嘉兴金瑞光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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