一种硅片一次负压扩散工艺制造技术

本发明专利技术提供一种硅片一次负压扩散工艺，包括如下步骤：对双面减薄后放入硅片扩散前处理，处理后的硅片进行印刷扩散源，采用丝网印刷工艺对处理后的硅片一面印刷磷扩散源，另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源；将硅片相同扩散源的面相对进行叠片装舟；在扩散炉内进行低压扩散并进行扩散后处理。本发明专利技术的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片两面分别印刷磷扩散源、硼扩散源或硼铝扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，且加工周期得以缩减；液态源涂覆后采用一次负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，且该扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；采用该工艺方法进行硅片液态源一次扩散，使得制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。

A Primary Negative Pressure Diffusion Process for Silicon Wafers

The invention provides a silicon wafer primary negative pressure diffusion process, which comprises the following steps: after double-sided thinning, the silicon wafer is put into diffusion pretreatment, the treated silicon wafer is printed as a diffusion source, and the treated silicon wafer is printed as a phosphorus diffusion source on one side and a boron diffusion source or a boron-aluminium diffusion source on the other side by screen printing technology; the wafer is stacked on the opposite side of the same diffusion source; Low pressure diffusion is carried out in the bulk furnace and the diffusion post-treatment is carried out. The beneficial effect of the invention is that the screen printing process is used to print phosphorus diffusion source, boron diffusion source or boron-aluminium diffusion source on both sides of the silicon wafer, which simplifies the coating process of the liquid source of silicon wafer and reduces the processing period; after the liquid source is coated, a negative pressure diffusion process is adopted to reduce the circumstance of the edge regeneration of the silicon wafer, and the diffusion process step is simplified and the diffusion efficiency is improved; By using this process, the liquid source of silicon wafer is diffused once, which makes the PN junction uniform and reduces the processing cost of silicon wafer.

【技术实现步骤摘要】
一种硅片一次负压扩散工艺
本专利技术属于硅片的制造工艺领域，尤其是涉及一种硅片一次负压扩散工艺。
技术介绍
随着半导体技术的发展，对半导体表面钝化的要求越来越高，作为钝化材料，应具备良好的电气性能、可靠性、良好的化学稳定性、可操作性以及经济性。根据上述要求，半导体钝化专用玻璃作为一种较为理想的半导体钝化材料在半导体行业中开始应用。利用半导体钝化专用玻璃制作的芯片称为玻璃钝化芯片(GlasspassivationprocessChip)，即GPP芯片。目前，行业内硅片的制作大多会用到扩散工艺形成PN结，目前业内常用的扩散工艺一般采用磷纸源、硼纸源一次全扩散或者采用磷、硼两次扩散，这些扩散方式存在着不可避免的缺陷：1)由于纸源在烧结后硅片间间隙增大，导致挥发磷源扩散至硼面造成返源；2)两次扩散的方式工艺制作繁琐，在一面磷扩散后，另一面需要喷砂或者化学减薄去除反源量，再进行硼扩散，成本高，扩散效率低，而且容易造成碎片。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术要解决的问题是提供一种硅片一次负压扩散工艺，采用丝网印刷磷扩散源、硼扩散源或硼铝扩散源，并采用一次负压扩散工艺，制作均匀PN结，减轻返源情本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片一次负压扩散工艺，其特征在于：包括如下步骤：1)低压扩散：将涂覆扩散源后的硅片在扩散炉内进行低压扩散。

【技术特征摘要】
1.一种硅片一次负压扩散工艺，其特征在于：包括如下步骤：1)低压扩散：将涂覆扩散源后的硅片在扩散炉内进行低压扩散。2.根据权利要求1所述的硅片一次负压扩散工艺，其特征在于：所述步骤1)中的低压扩散具体步骤为：a.将所述涂覆扩散源后的硅片置于所述扩散炉中，并将所述扩散炉内气压抽至负压。3.根据权利要求2所述的硅片一次负压扩散工艺，其特征在于：所述步骤a之后还包括以下步骤：b.将所述扩散炉温度升至1250℃-1300℃进行恒温扩散，恒温时间为10-30h；c.扩散结束后，将所述扩散炉温度降至550℃-650℃进行出炉。4.根据权利要求1-3任一项所述的硅片一次负压扩散工艺，其特征在于：所述步骤1)负压扩散步骤之前还包括印刷扩散源。5.根据权利要求4所述的硅片一次负压扩散工艺，其特征在于：所述印刷扩散源采用丝网印刷技术，具体包括以下步骤：A.在经过扩散前处理的硅片一面印刷磷扩散源：将所述磷扩散源喷涂在网版上，所述硅片置于所述网版下方...

【专利技术属性】
技术研发人员：李亚哲，王彦君，孙晨光，徐长坡，陈澄，武卫，梁效峰，黄志焕，杨玉聪，李丽娟，朱建佶，
申请(专利权)人：天津环鑫科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12