一种喷雾式晶圆附磷工艺制造技术

一种喷雾式晶圆附磷工艺。提供了一种将液态源雾化的方式在晶圆表面附着磷源，其兼有液态源的低成本性，也有效地改善了常规液态源难以控制磷源在晶圆表面均匀分布的现状，具有显著的实用效应的喷雾式晶圆附磷工艺。包括磷源配制、晶圆附磷、磷源烘干、装舟贮存；其中，磷源配制：将磷酸二氢铵、磷酸、无水乙醇、水按照比例配比；磷源喷洒：将待喷磷晶圆装入磷源喷洒专用盘，用喷枪将配置好的磷源以雾状的形态均匀喷洒到晶圆表面；磷源烘干；装舟贮存。本发明专利技术相比于固、气磷源，每片的物料成本节约相当客观，且对设备需求较低；相比于常见的液态磷源，此法作业效率高，节省较多的人力成本。

【技术实现步骤摘要】
一种喷雾式晶圆附磷工艺
本专利技术涉及晶圆加工领域，尤其涉及一种喷雾式晶圆附磷工艺。
技术介绍
目前，二极管晶圆在附磷时有固、液、气三种形态的源可供选择。然而，其存在以下缺点：使用固态纸源作为一种常见的附磷工艺方法，其高成本、杂质含量高等因素势必会导致此种方法逐渐退出市场。使用气态源进行附磷的工艺方法，因其工艺流程复杂，对设备的要求高，附磷效果控制难度高等因素，导致生产效率低下，工艺成本极高，仅适用于高端半导体器件。使用液态源在晶圆表面附磷的这种工艺，其成本较低；但是常见的液态源附磷方式是将液态源涂布在晶圆表面，易受员工操作熟练程度、设备运行状态等影响，使得源在晶圆表面附着时均匀性难以控制，实用性能受到了较大的削弱。
技术实现思路
本专利技术针对以上问题，提供了一种将液态源雾化的方式在晶圆表面附着磷源，其兼有液态源的低成本性，也有效地改善了常规液态源难以控制磷源在晶圆表面均匀分布的现状，具有显著的实用效应的喷雾式晶圆附磷工艺。本专利技术的技术方案是：包括以下步骤：S1，磷源配制，包括磷酸二氢铵120-250g、磷酸5-50ml、无水乙醇15-35ml和水300-500ml，首先，在广口瓶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种喷雾式晶圆附磷工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1，磷源配制，包括磷酸二氢铵120‑250g、磷酸5‑50ml、无水乙醇15‑35ml和水300‑500ml，首先，在广口瓶先放入磁性转子，然后放入水，置于磁力搅拌器上搅拌；其次，称取磷酸二氢铵，倒入广口瓶中进行搅拌，用滤纸过滤；最后，量筒分别量取磷酸和无水乙醇，倒入过滤后的广口瓶中搅拌，即成磷源；S2，晶圆附磷，将晶圆放置在托盘上，排片完成后，将托盘移至喷磷台上，使用喷枪将磷源喷到晶圆上；S3，磷源烘干，将喷磷完成的晶圆连同托盘移到红外灯烘干台上，打开红外灯和计时器，烘干温度为110‑130℃，时间为10‑25min；S4，装舟贮存，将烘干...

【技术特征摘要】
1.一种喷雾式晶圆附磷工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1，磷源配制，包括磷酸二氢铵120-250g、磷酸5-50ml、无水乙醇15-35ml和水300-500ml，首先，在广口瓶先放入磁性转子，然后放入水，置于磁力搅拌器上搅拌；其次，称取磷酸二氢铵，倒入广口瓶中进行搅拌，用滤纸过滤；最后，量筒分别量取磷酸和无水乙醇，倒入过滤后的广口瓶中搅拌，即成磷源；S2，晶圆附磷，将晶圆放置在托盘上，排片完成后，将托盘移至喷磷台上，使用喷枪将磷源喷到晶圆上；S3，磷源烘干，将喷磷完成的晶圆连同托盘移到红外灯烘干台上，打开红外灯和计时器，烘干温度为110-130℃，时间为10-25min；S4，装舟贮存，将烘干后的晶圆进行磷面对磷面叠起，放置在空盒中；使用乙二醇乙醚和铝粉混合做成混合液；混合液刷舟并撒上铝粉，晾干；用压块将晶圆装在舟上，贮存在氮气柜中。2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾延桃，葛宜威，王毅，
申请(专利权)人：扬州杰盈汽车芯片有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32