【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制备
，尤其涉及一种晶圆表面键合工艺及一种半导体器件结构。
技术介绍
在晶圆制造过程中，由于Si界面成键Si原子缺少以及界面Si原子未成键电子的存在，在Si界面形成具有电学活性的悬挂键(一般晶体因晶格在表面处突然终止，在表面的最外层的每个原子将有一个未配对的电子，即有一个未饱和的键，这个键称为悬挂键，简称Traps)，该悬挂键的键合程度较低，现有技术中与悬挂键形成键合的原子来源较少且缺乏键合动力，造成Si界面间悬挂键的键合程度较低，导致器件的Dark Current (暗电流)，BLC(背光补偿功能)等性能较差。因此，如何键合能使悬挂键的键合程度较高，同时使器件的Dark Current, BLC等性能较高成为本领域技术人员面临的一大难题。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术提供一种晶圆表面键合工艺及一种半导体器件结构，通过在晶圆表面沉积一薄膜层，然后沉积一包括H+离子的介质层，最后采用Anneal工艺，促进介质层中的H+离子与晶圆Si界面悬挂键键合，该技术方案具体为:—种晶圆Si表面键合工艺，其中，所述工艺包括:提供一...
【技术保护点】
一种晶圆Si表面键合工艺，其特征在于，所述工艺包括：提供一晶圆，所述晶圆的表面包含有悬挂键；沉积一薄膜层覆盖所述晶圆的表面；沉积一包含H+离子的介质层覆盖所述薄膜层的上表面；采用Anneal工艺，使所述介质层的H+离子与所述晶圆的表面的悬挂键键合。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王喜龙，胡胜，邹文，王言虹，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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