带有载流子俘获中心的衬底的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，包括如下步骤：在半导体衬底中注入起泡离子，用于形成剥离层，并在绝缘层中注入改性离子，用于形成纳米团簇；提供一支撑衬底；以所述绝缘层为中间层，将所述支撑衬底与所述半导体衬底键合；对键合后衬底实施第一次热处理，使注入起泡离子的位置形成剥离层，并在剥离层的位置使所述半导体衬底发生剥离；对衬底实施快速热退火；对快速热退火后的半导体衬底实施第二次热处理，以加固键合表面并在改性离子的注入位置形成纳米团簇。

【技术实现步骤摘要】
带有载流子俘获中心的衬底的制备方法
本专利技术涉及半导体材料领域，尤其涉及一种带有载流子俘获中心的衬底的制备方法。
技术介绍
现有技术中典型的带有绝缘埋层的衬底结构包括三层，依次是支撑层，支撑层表面的绝缘层，以及绝缘层表面的器件层。在一些应用场合，为了防止载流子被高能射线激发而向衬底外部迁移，需要在衬底中引入一层载流子俘获中心来俘获这些载流子，从而提高器件层中电子元件的电学性能。但实践中，为了引入该载流子俘获中心，需要通过注入等手段引入额外的改性离子，工艺非常复杂。复杂的制备工艺对器件层造成了晶格损伤从而降低器件层中电子元件的电学性能。因此，如何优化工艺以降低对器件层的晶格损伤，是现有技术亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，提高了器件层的晶体质量。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，包括如下步骤：在半导体衬底中注入起泡离子，用于形成剥离层，并在绝缘层中注入改性离子，用于形成纳米团簇；提供一支撑衬底；以所述绝缘层为中间层，将所述支撑衬底与所述半导体衬底键合；对键合后衬底实施第一次热本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底表面具有绝缘层；在半导体衬底中注入起泡离子，用于形成剥离层，并在绝缘层中注入改性离子，用于形成纳米团簇；提供一支撑衬底；以所述绝缘层为中间层，将所述支撑衬底与所述半导体衬底键合；对键合后衬底实施第一次热处理，使注入起泡离子的位置形成剥离层，并在剥离层的位置使所述半导体衬底发生剥离；对衬底实施快速热退火；对快速热退火后的半导体衬底实施第二次热处理，以加固键合表面并在改性离子的注入位置形成纳米团簇。

【技术特征摘要】
1.一种带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底表面具有绝缘层；在半导体衬底中注入起泡离子，用于形成剥离层，并在绝缘层中注入改性离子，用于形成纳米团簇；提供一支撑衬底；以所述绝缘层为中间层，将所述支撑衬底与所述半导体衬底键合；对键合后衬底实施第一次热处理，使注入起泡离子的位置形成剥离层，并在剥离层的位置使所述半导体衬底发生剥离；对衬底实施快速热退火；对快速热退火后的半导体衬底实施第二次热处理，以加固键合表面并在改性离子的注入位置形成纳米团簇。2.根据权利要求1所述的带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，其特征在于，所述快速热退火的升温速率大于5℃/秒，升至目标温度并保温5分钟以上。3.根据权利要求1所述的带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，其特征在于，所述第二次热处理进一步包括：第一退火步骤，所述第一退火步骤在含氧气氛中实施，本步骤在衬底表面形成氧化层，所述氧化层的厚度大于40nm；第二退火步骤，在第一退火步骤后实施，第二退火步骤的温度高于第一退火步骤。4.根据权利要求3所述的带有载流子俘获...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏星，常永伟，陈猛，陈国兴，费璐，王曦，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31