用于面积减小的注入结构制造技术

本文描述的各种实现涉及集成电路。集成电路可以包括具有指定用于第一类型注入的第一区域和指定用于与第一类型注入不同的第二类型注入的第二区域的单元。集成电路可以包括第一注入结构，其被配置为利用第一类型注入来注入第一区域，使得第一区域在第二区域的一部分内延伸。集成电路可以包括第二注入结构，其被配置为利用第二类型注入来注入第二区域，使得第二区域在第一区域的一部分内延伸。

【技术实现步骤摘要】
用于面积减小的注入结构
技术介绍
本章节旨在提供与理解本文所述的各种技术相关的信息。正如章节的标题所暗示的，这是对相关技术的讨论，其绝不暗示它是现有技术。通常，相关技术可以被认为是或者可以不被认为是现有技术。因此，应当理解的是本章节中的任何陈述应当从这个角度来阅读，而不作为对现有技术的任何承认。通常，在物理设计中，在高级工艺节点处的性能和可靠性可能受到标准单元库的法定要求的限制。例如，在标准单元库(其可能在标准单元内部不具有限定的阱或衬底束缚(tie))的情况下，可能需要设计者将N型阱束缚到最高电位(例如，源极电位，诸如VDD)，并且在使用阱分接头单元执行布局布线(PnR)之前进一步将衬底(或P型阱)束缚到最低电位(例如，地电位，诸如GND或VSS)。此外，阱分接头结构可以包括由N型阱、N型注入和有源区形成的N型分接头，以及由P型阱、P型注入和另一有源区形成的P型分接头。接下来，然后可以使用金属线和接触/通孔将N型和P型分接头连接或耦合到适当的电压电位(例如，VDD、VSS)。通常，参考标准单元库，这些类型的结构应当在最小可能面积内实现。参考物理设计，图1示出了如本领域中已知的用于单元10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，包括：单元，其具有指定用于第一类型注入的第一区域和指定用于与第一类型注入不同的第二类型注入的第二区域；第一注入结构，其被配置为利用第一类型注入来注入所述第一区域，使得所述第一区域在所述第二区域的一部分内延伸；以及第二注入结构，其被配置为利用第二类型注入来注入所述第二区域，使得所述第二区域在所述第一区域的一部分内延伸。

【技术特征摘要】
2016.01.22 US 15/004,8521.一种集成电路，包括：单元，其具有指定用于第一类型注入的第一区域和指定用于与第一类型注入不同的第二类型注入的第二区域；第一注入结构，其被配置为利用第一类型注入来注入所述第一区域，使得所述第一区域在所述第二区域的一部分内延伸；以及第二注入结构，其被配置为利用第二类型注入来注入所述第二区域，使得所述第二区域在所述第一区域的一部分内延伸。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述单元包括具有由第一和第二区域限定的单元边界的单元区域。3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述单元边界限定所述单元的单元宽度和单元高度。4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一区域包括N型阱区，并且其中所述第二区域包括衬底或P型阱区。5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一类型注入包括P型注入，并且其中所述第二类型注入包括N型注入。6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一注入结构包括第一连续注入结构，其被配置为利用在所述第二区域的一部分内连续延伸的第一类型注入来注入所述第一区域。7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一注入结构被配置为在第二区域的边界内包封所述单元的第一有源区。8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一注入结构经由第一金属线和通孔电耦合到具有第一极性的第一电位。9.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述第一电位包括地电压，并且其中所述第一极性包括负极性。10.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二注入结构包括第二连续注入结构，其被配置为利用在所述第一区域的一部分内连续延伸的第二类型注入来注入所述第二区域。11.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二注入结构被配置为在所述第一区域的边界内包封所述单元的第二有源区。12.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二注入结构经由第二金属线和通孔电耦合到具有第二极性的第二电位。13.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿比拉什·V·萨扎希达希尔，德尼尔·达斯·科拉迪，阿南·丹纳拉卡斯米·拉姆达斯，
申请(专利权)人：ARM有限公司，
类型：发明
国别省市：英国,GB