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本发明提供了一种带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，包括如下步骤：在半导体衬底中注入起泡离子，用于形成剥离层，并在绝缘层中注入改性离子，用于形成纳米团簇；提供一支撑衬底；以所述绝缘层为中间层，将所述支撑衬底与所述半导体衬底键合；对键合后衬底...
该专利属于上海新傲科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新傲科技股份有限公司授权不得商用。

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