用于减薄衬底的方法技术

各种实施例涉及用于减薄衬底的方法。根据各种实施例，一种方法可以包括：提供具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底；通过处理衬底的第一侧而在衬底中或上方中的至少一项形成掩埋层；将衬底从衬底的第二侧减薄，其中掩埋层包括与衬底相比对减薄具有较大抵抗性的固态化合物，并且其中减薄在掩埋层处停止。

【技术实现步骤摘要】
用于减薄衬底的方法
各种实施例总体上涉及用于衬底减薄的方法。
技术介绍
通常，使用半导体技术在衬底(也称为晶片或载体)上或者在衬底中处理半导体材料，例如以制造集成电路(也称为芯片)。在处理半导体材料期间，可以应用某些处理步骤，诸如减薄衬底或者在衬底上方形成一个或多个层。减薄衬底可以包括从衬底的背面去除材料。经减薄的衬底的剩余厚度是其中影响对于电气短路的鲁棒性的关键参数，例如在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中由于发射极与场停止区之间的所得到的距离。因此，用于减薄的精确调节是用于控制容易被处理的芯片的性能和可靠性的关键参数。在半导体材料的进一步处理中，某些杂质原子可以扩散到衬底外部，例如氮和氧。由于杂质原子的存在和浓度影响衬底的某些有源区域、例如IGBT的漂移区的电气性质，所以这可能损害容易被处理的芯片的性能。例如，减少的氧可能导致热施主，并且减少的氮可能减少漂移区的掺杂或者场停止区的掺杂。传统上，为了减薄衬底(减薄过程)，使用研磨结合蚀刻，或者如果需要对于晶片厚度的更准确的控制，则使用电化学蚀刻。电化学蚀刻关于空间电荷区域的边界是自调节的。这样的传统的处理在其精确性方面非常敏感。例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：提供具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的衬底；通过处理所述衬底的所述第一侧而在以下中的至少一项形成掩埋层：在所述衬底中或在所述衬底上方；从所述衬底的所述第二侧减薄所述衬底，其中所述掩埋层包括与所述衬底相比对所述减薄具有更大抵抗性的固态化合物，并且其中所述减薄在所述掩埋层处停止。

【技术特征摘要】
2015.11.20 US 14/946,8861.一种方法，包括：提供具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的衬底；通过处理所述衬底的所述第一侧而在以下中的至少一项形成掩埋层：在所述衬底中或在所述衬底上方；从所述衬底的所述第二侧减薄所述衬底，其中所述掩埋层包括与所述衬底相比对所述减薄具有更大抵抗性的固态化合物，并且其中所述减薄在所述掩埋层处停止。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述衬底上方形成外延层，其中所述掩埋层形成在以下中的至少一项：在所述衬底中、在所述外延层中或者在所述衬底与所述外延层之间。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述外延层包括所述衬底的材料。4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述掩埋层包括注入比所述衬底具有更大电负性的化学元素。5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述衬底中形成所述掩埋层包括：向所述衬底中形成多个沟槽；通过所述多个沟槽向所述衬底中引入比所述衬底具有更高电负性的化学元素；填充所述多个沟槽。6.根据权利要求2所述的方法，还包括：在所述外延层中形成以下电路部件中的至少一种：绝缘栅双极型晶体管、二极管、晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、功率金属氧化物半导体场效应晶体管或电路结构。7.根据权利要求6所述的方法，还包括：在所述衬底或所述外延层中的至少一项中形成贯通电接触，所述贯通电接触与所述至少一个电路部件电接触。8.根据权利要求2所述的方法，还包括：形成延伸通过所述衬底、所述掩埋层或所述外延层中的至少一项的贯通电接触。9.根据权利要求5所述的方法，其中填充所述多个沟槽包括通过加热所述衬底的至少所述第一侧来部分熔化所述衬底。10.根据权利要求9所述的方法，其中加热所述衬底的至少所述第一侧包括使用激光器。11.根据权利要求5所述的方法，其中填充所述多个沟槽包括在所述衬底上方形成外延层。12.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·拉普，I·莫德，I·穆里，F·J·桑托斯罗德里奎兹，HJ·舒尔策，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE