用于处理硅晶圆的方法技术
【技术实现步骤摘要】
用于处理硅晶圆的方法
本公开大体涉及处理硅晶圆，特别是形成针对硅晶圆中的杂质的吸杂中心。
技术介绍
基于硅半导体晶圆生产半导体器件可包括多个过程序列，在该过程序列中例如掺杂区在晶圆中形成，以及金属化层在晶圆上形成。在这样的处理期间，不希望有的杂质（诸如金属原子）可能最终在晶圆中。因此，这些杂质可过度地影响成品的半导体器件的操作。例如，在功率半导体器件中，如果杂质最终在器件的下述区中则杂质可降低电压阻断能力：在该区中，高电场强度在器件的操作中可出现。在晶圆的表面上形成的多晶硅层可以吸收那些杂质，并可在杂质引入处理之后被去除，以便去除杂质。然而，对于一些晶圆类型，用于在晶圆表面上形成多晶硅层的过程不是可用的。因此，存在对可替换的杂质吸杂的需要。
技术实现思路
一个实施方式涉及一种方法。该方法包括：在半导体晶圆中形成含氧区；至少在含氧区中创建空位；以及在第一退火过程中使至少含氧区退火以便形成氧沉淀物。形成含氧区包括经由第一表面将氧引入到半导体晶圆中。附图说明下面参考附图解释示例。附图用于图示某些原理，使得只有对于理解这些原理所必要的方面被图示。附图并不按比例。在附图中，相同...
【技术保护点】
一种方法，包括：在半导体晶圆中形成含氧区，其中形成所述含氧区包括经由第一表面将氧引入到所述半导体晶圆中；至少在所述含氧区中创建空位；以及在退火过程中至少使所述含氧区退火以便形成氧沉淀物。
【技术特征摘要】
2015.12.15 DE 102015121890.91.一种方法，包括：在半导体晶圆中形成含氧区，其中形成所述含氧区包括经由第一表面将氧引入到所述半导体晶圆中；至少在所述含氧区中创建空位；以及在退火过程中至少使所述含氧区退火以便形成氧沉淀物。2.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体晶圆是CZ、MCZ晶圆和FZ晶圆之一。3.如权利要求1或2所述的方法，其中形成所述含氧区还包括：在另一退火过程中使所引入的氧扩散。4.如权利要求3所述的方法，其中在所述另一退火过程中的温度选自在1050°C和1300°C之间的范围，以及其中这个另一退火过程的持续时间选自在1小时和20小时之间的范围。5.如权利要求4所述的方法，其中在所述另一退火过程中的温度高于1100°C。6.如权利要求1-5中的一项所述的方法，其中所述含氧区被形成以从所述第一表面延伸0.1和20微米之间到所述半导体晶圆中。7.如权利要求6所述的方法，其中所述含氧区被形成以从所述第一表面延伸1和5微米之间到所述半导体晶圆中。8.如权利要求1-7中的一项所述的方法，其中所述含氧区被形成有至少5E17原子/cm-3的氧浓度。9.如权利要求1-8中的一项所述的方法，其中引入氧包括经由所述第一表面将氧离子注入到所述半导体晶圆中。10.如权利要求9所述的方法，其中注入氧包括PLAD注入过程。11.如权利要求10所述的方法，其中注入能量选自在0.5keV和10keV之间的范围，以及其中注入剂量选自在1E14cm-2和1E18cm-2之间的范围。12.如权利要求1-11中的一项所述的方法，其中至少在所述含氧区中创建空位包括创建选自在1E17cm-3和1E19cm-3之间的范围的空位浓度。13.如权利要求1-12中的一项所述的方法，其中创建空位包括将微粒注入到所述半导体晶圆中。14.如权利要求13所述的方法，其中注入微粒包括经由所述第一表面或经由与所述第一表面相对的第二表面注入所述微粒。15.如权利要求13或14中的一项所述的方法，其中所述微粒包括质子和...
【专利技术属性】
技术研发人员：H厄夫纳，HJ舒尔策，W舒斯泰雷德，S瓦利亚，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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