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本发明涉及用于处理硅晶圆的方法。公开了用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括：在半导体晶圆中形成含氧区，其中形成含氧区包括经由第一表面将氧引入到半导体晶圆中；至少在含氧区中创建空位；以及在退火过程中至少使含氧区退火以便形成氧沉淀物。...
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