一种载流子增强型MOS结构制造技术

本发明专利技术提供了一种载流子增强型MOS结构，包括一具有第一掺杂型的衬底，及在衬底内形成的具有第二掺杂型的源区和漏区，所述源区及所述漏区之间开设有沟槽，所述沟槽内设置有负膨胀应力增强层，所述负膨胀应力增强层与所述沟槽内壁贴合。该结构不仅可以做到隔离沟槽的作用，而且还可以为MOS提供应力，负膨胀应力增强层在低温下，可以膨胀激发电子迁移活力，从而增强MOS的迁移率。

A carrier enhanced MOS structure

The invention provides a carrier enhanced MOS structure includes a substrate having a first doping type, and is formed in the substrate with second doped source and drain regions, a trench opened between the source region and the drain region are disposed in the grooves of negative thermal expansion stress increase layer, the negative thermal expansion stress enhancement layer and the inner wall of the groove. The structure can not only isolate the groove, but also provide the stress for the MOS. The negative expansion stress enhancement layer can expand and excite the electron migration activity at low temperature, thus enhancing the migration rate of MOS.

【技术实现步骤摘要】
一种载流子增强型MOS结构
本专利技术涉及一种载流子增强型MOS结构。
技术介绍
目前，集成电路一直在往频率更高，功率更低的方向发展。MOS集成电路主要用于高速计算和存储等领域。PMOS的载流子的迁移率要远低于NMOS，会影响器件在高频下性能。应力应变会增强PMOSFET迁移率，因此，也可以减短信号传输的延迟时间和降低开关能量。
技术实现思路
本专利技术提供了一种载流子增强型MOS结构。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现：一种载流子增强型MOS结构，包括一具有第一掺杂型的衬底，及在衬底内形成的具有第二掺杂型的源区和漏区，所述源区及所述漏区之间开设有沟槽，所述沟槽内设置有负膨胀应力增强层，所述负膨胀应力增强层与所述沟槽内壁贴合。优选地，所述负膨胀应力增强层上设置有固化层。优选地，所述固化层蒸镀于所述负膨胀应力增强层上。优选地，所述第一掺杂型为p型，所述的第二掺杂型为n型。优选地，所述第一掺杂型为n型，所述的第二掺杂型为p型。优选地，所述沟槽至少为一个。优选地，所述负膨胀应力增强层为钼酸钇应力增强层或钼酸铒应力增强层。本专利技术的有益效果体现在：该结构不仅可以做到隔离沟槽的作用，而且还可以为MOS提供应力，负膨胀应力增强层在低温下，可以膨胀激发电子迁移活力，从而增强MOS的迁移率。附图说明图1：本专利技术的结构示意图。具体实施方式以下结合附图具体阐述下本专利技术的具体方案，本专利技术揭示了一种载流子增强型MOS结构，结合图1所示，包括一具有第一掺杂型的衬底1，及在衬底内形成的具有第二掺杂型的源区2和漏区3。所述第一掺杂型为p型，所述的第二掺杂型为n型。或者所述第一掺杂型为n型，所述的第二掺杂型为p型。与现有技术不同的是，所述源区及所述漏区之间开设有沟槽，所述沟槽截面呈V形，所述沟槽至少为一个。所述沟槽内设置有负膨胀应力增强层4，所述负膨胀应力增强层4与所述沟槽内壁贴合。所述负膨胀应力增强层上蒸镀有固化层5。具体的，当负膨胀应力增强层4在高的宽深比的沟槽内时，经过烘干，高温处理，形成内部负膨胀材料的结构。将wafer表面抛光，去除多余的负膨胀材料，蒸镀二氧化硅固化负膨胀材料，最后抛光或者光刻去除多余的二氧化硅固化层。这样，沟槽内部即填充负膨胀材料，并且有二氧化硅绝缘层固化在沟槽内部。所述负膨胀应力增强层的负膨胀材料可以采用钼酸盐，钼酸盐具有荧光性能，在检测的过程中，可以使用荧光性能来表征电容材料的失效，例如材料变性，质量偏差。材料变性导致荧光性能变化，质量偏差将导致荧光发射强度变化等，以此提高器件检测能力。本专利技术能更好的应用于动态随机存储器，在沟槽的两侧分别制作电容，字线和位线，即可完成DRAM的制作。由于DRAM的制作与现有技术相同，同时，也不是本专利技术的技术重点，故在此不再赘述。本专利技术的原理是，由于器件在低温下，电容材料膨胀，基质的收缩，将导致负膨胀应力增强层内部出现较大的压应力。由于这种电容设置在MOS旁边，因此，这个应力会传到MOS材料中。PMOS的载流子迁移率因此得到增强。本专利技术尚有多种具体的实施方式。凡采用等同替换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本专利技术要求保护的范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种载流子增强型MOS结构，包括一具有第一掺杂型的衬底，及在衬底内形成的具有第二掺杂型的源区和漏区，其特征在于：所述源区及所述漏区之间开设有沟槽，所述沟槽内设置有负膨胀应力增强层，所述负膨胀应力增强层与所述沟槽内壁贴合。

【技术特征摘要】
1.一种载流子增强型MOS结构，包括一具有第一掺杂型的衬底，及在衬底内形成的具有第二掺杂型的源区和漏区，其特征在于：所述源区及所述漏区之间开设有沟槽，所述沟槽内设置有负膨胀应力增强层，所述负膨胀应力增强层与所述沟槽内壁贴合。2.如权利要求1所述的一种载流子增强型MOS结构，其特征在于：所述负膨胀应力增强层上设置有固化层。3.如权利要求2所述的一种载流子增强型MOS结构，其特征在于：所述固化层蒸镀于所述负膨胀应力增强层...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋超，
申请(专利权)人：苏州通富超威半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32